Insulator Wafers တွင် ဆီလီကွန်

Semicorex Silicon-on-Insulator wafers များသည် Standard bulk silicon wafers များဖြင့် မရရှိနိုင်သော အားသာချက်များစွာကို ပေးစွမ်းသည့် အဆင့်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးတွင် အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။ Insulator Wafers ပေါ်ရှိ ဆီလီကွန်တွင် ပါးလွှာပြီး အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်အလွှာကို ပုံမှန်အားဖြင့် ဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် (SiO₂) ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် ကာရံအလွှာဖြင့် အရင်းခံဆီလီကွန်အလွှာမှ ကွဲကွာသွားသည့် အလွှာဖွဲ့စည်းပုံတစ်ခု ပါဝင်သည်။ ဤဖွဲ့စည်းပုံသည် အမြန်နှုန်း၊ ပါဝါထိရောက်မှုနှင့် အပူစွမ်းအင်ဆိုင်ရာ စွမ်းဆောင်ရည်များတွင် သိသာထင်ရှားသော တိုးတက်မှုများကို ရရှိစေပြီး၊ Silicon on Insulator Wafers သည် လူသုံးအီလက်ထရွန်းနစ်၊ မော်တော်ယာဥ်၊ တယ်လီဖုန်းဆက်သွယ်ရေးနှင့် အာကာသယာဉ်စသည့် လုပ်ငန်းများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားပြီး ပါဝါနည်းပါးသော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ပစ္စည်းတစ်ခု ဖြစ်လာစေသည်။

SOI Wafer Structure နှင့် Fabrication

Insulator Wafers ပေါ်ရှိ Silicon ၏ ဖွဲ့စည်းပုံကို ရိုးရာဆီလီကွန် wafers များ၏ ကန့်သတ်ချက်များကို ဖြေရှင်းနေစဉ်တွင် စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် ဂရုတစိုက် အင်ဂျင်နီယာချုပ်ထားပါသည်။ Insulator Wafers ပေါ်ရှိ ဆီလီကွန်များကို အဓိကနည်းပညာနှစ်ခုထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည့် ပေါင်းစပ်ဖန်တီးခြင်း- အောက်ဆီဂျင်ထည့်သွင်းခြင်း (SIMOX) သို့မဟုတ် Smart Cut™ နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။

● ထိပ်တန်း ဆီလီကွန်အလွှာ-ဤအလွှာကို တက်ကြွသောအလွှာဟု မကြာခဏရည်ညွှန်းလေ့ရှိပြီး အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို တည်ဆောက်သည့် ပါးလွှာပြီး သန့်ရှင်းမြင့်မြတ်သော ဆီလီကွန်အလွှာဖြစ်သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် နာနိုမီတာအနည်းငယ်မှ မိုက်ခရိုများစွာအထိ တိကျသောအသုံးချပလီကေးရှင်းများ၏လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် ဤအလွှာ၏အထူကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

● မြှုပ်နှံထားသော ●Oxide Layer (BOX)BOX အလွှာသည် SOI wafers များ၏စွမ်းဆောင်ရည်အတွက်သော့ချက်ဖြစ်သည်။ ဤဆီလီကွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်အလွှာသည် အစုလိုက်အလွှာမှ တက်ကြွသောဆီလီကွန်အလွှာကို ခွဲထုတ်ကာ insulator အဖြစ်ဆောင်ရွက်သည်။ ၎င်းသည် parasitic capacitance ကဲ့သို့သော မလိုလားအပ်သော လျှပ်စစ်အပြန်အလှန်တုံ့ပြန်မှုများကို လျှော့ချပေးကာ နောက်ဆုံးစက်ပစ္စည်းတွင် ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ခလုတ်ပြောင်းခြင်းအမြန်နှုန်းများကို မြင့်မားစေသည်။

 ● ဆီလီကွန်အလွှာ-BOX အလွှာ၏အောက်တွင် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် လုပ်ဆောင်ခြင်းအတွက် လိုအပ်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည့် bulk silicon substrate ရှိသည်။ အလွှာသည် စက်ပစ္စည်း၏ အီလက်ထရွန်းနစ်စွမ်းဆောင်ရည်တွင် တိုက်ရိုက်မပါဝင်သော်လည်း၊ အပေါ်ထပ်အလွှာများကို ထောက်ပံ့ပေးရာတွင် ၎င်း၏အခန်းကဏ္ဍသည် wafer ၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုအတွက် အရေးကြီးပါသည်။

အဆင့်မြင့်ထုတ်လုပ်ရေးနည်းပညာများကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ အလွှာတစ်ခုစီ၏တိကျသောအထူနှင့်ညီညွှတ်မှုကို SOI wafers များအလွန်လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေရန် အမျိုးမျိုးသော semiconductor applications များ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့်အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သည်။

Silicon-on-Insulator Wafers ၏ အဓိက အကျိုးကျေးဇူးများ

Insulator Wafers ပေါ်ရှိ Silicon ၏ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းပုံသည် သမားရိုးကျ ဆီလီကွန် wafers များထက် အားသာချက်များစွာကို ပေးဆောင်သည်

ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်- Insulator Wafers ပေါ်ရှိ ဆီလီကွန်သည် ထရန်စစ္စတာများကြားရှိ ကပ်ပါးစွမ်းရည်ကို လျှော့ချပေးကာ အချက်ပြထုတ်လွှင့်မှု ပိုမိုမြန်ဆန်ပြီး စက်တစ်ခုလုံး၏ မြန်နှုန်းကို ပိုမိုမြင့်မားစေသည်။ ဤစွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်မှုသည် မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ကွန်ပျူတာ (HPC) နှင့် ကွန်ရက်ချိတ်ဆက်ကိရိယာများကဲ့သို့သော မြန်နှုန်းမြင့်လုပ်ဆောင်မှုလိုအပ်သည့် အပလီကေးရှင်းများအတွက် အထူးအရေးကြီးပါသည်။

စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု နည်းပါးခြင်း- Insulator Wafers ပေါ်ရှိ Silicon သည် စက်ပစ္စည်းများကို စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားစွာ ထိန်းသိမ်းထားစဉ် ဗို့အားနိမ့်သောနေရာတွင် လည်ပတ်စေပါသည်။ BOX အလွှာမှ ပံ့ပိုးပေးသော ကာရံသည် ယိုစိမ့်သော လျှပ်စီးကြောင်းများကို လျှော့ချပေးကာ ပါဝါအသုံးပြုမှုကို ပိုမိုထိရောက်စွာ အသုံးပြုနိုင်သည်။ ၎င်းသည် SOI wafers များသည် ဘက်ထရီသက်တမ်းကြာရှည်စေရန် ပါဝါထိရောက်မှုအရေးကြီးသောနေရာတွင် ဘက်ထရီအားသုံးကိရိယာများအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူပိုင်းစီမံခန့်ခွဲမှု- BOX အလွှာ၏ လျှပ်ကာဂုဏ်သတ္တိများသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူကို ပျံ့နှံ့စေပြီး အပူအထီးကျန်မှုကို ဖြစ်စေသည်။ ၎င်းသည် ဟော့စပေါ့များကို တားဆီးပေးပြီး စက်ပစ္စည်း၏ အပူပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးကာ ပါဝါမြင့်သော သို့မဟုတ် အပူချိန်မြင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ပိုမိုယုံကြည်စိတ်ချရသော လုပ်ဆောင်ချက်ကို ရရှိစေမည်ဖြစ်သည်။

ပိုကြီးသောအတိုင်းအတာ- ထရန်စစ္စတာအရွယ်အစားများ ကျုံ့လာပြီး ကိရိယာသိပ်သည်းဆများလာသောအခါ၊ Insulator Wafers ပေါ်ရှိ Silicon သည် ဆီလီကွန်အမြောက်အများထက် အရွယ်အစားပိုကြီးသောဖြေရှင်းချက်ကို ပေးဆောင်သည်။ ကပ်ပါးအကျိုးသက်ရောက်မှုများ လျှော့ချခြင်းနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အထီးကျန်ခြင်းတို့သည် သေးငယ်ပြီး ပိုမိုမြန်ဆန်သော ထရန်စစ္စတာများကို ပြုလုပ်နိုင်စေကာ SOI wafers များသည် အဆင့်မြင့် semiconductor node များအတွက် ကောင်းမွန်သင့်လျော်စေသည်။

Short-Channel Effects များကို လျှော့ချခြင်း- SOI နည်းပညာသည် နက်ရှိုင်းစွာ အတိုင်းအတာရှိသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်များတွင် ထရန်စစ္စတာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ကျဆင်းသွားစေသည့် တိုတောင်းသော ချန်နယ်သက်ရောက်မှုများကို လျော့ပါးသက်သာစေပါသည်။ BOX အလွှာမှ ပံ့ပိုးပေးသော သီးခြားခွဲထားမှုသည် အိမ်နီးချင်း ထရန်စစ္စတာများကြားတွင် လျှပ်စစ်ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို လျော့နည်းစေပြီး သေးငယ်သော ဂျီသြမေတြီများတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိစေပါသည်။

Radiation Resistance- Insulator Wafers ပေါ်ရှိ Silicon ၏ မွေးရာပါ ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်သည် အာကာသ၊ ကာကွယ်ရေးနှင့် နျူကလီးယား အသုံးအဆောင်များတွင် ရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုအန္တရာယ်ရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန်အတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။ BOX အလွှာသည် တက်ကြွသော ဆီလီကွန်အလွှာအား ပြင်းထန်သောအခြေအနေများတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရသော လည်ပတ်မှုကို သေချာစေကာ ဓာတ်ရောင်ခြည်ကြောင့် ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည်။

Semicorex Silicon-on-Insulator wafers များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် ပြိုင်ဘက်ကင်းသော စွမ်းဆောင်ရည်၊ ပါဝါထိရောက်မှုနှင့် ချဲ့ထွင်နိုင်စွမ်းတို့ကို ပေးစွမ်းနိုင်သော အဆန်းသစ်ဆုံးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ပိုမိုမြန်ဆန်သော၊ ပိုသေးငယ်ပြီး စွမ်းအင်သက်သာသည့် စက်ပစ္စည်းများ၏ လိုအပ်ချက်သည် ဆက်လက်ကြီးထွားလာသည်နှင့်အမျှ SOI နည်းပညာသည် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၏ အနာဂတ်တွင် ပိုမိုအရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်လာမည်ဖြစ်သည်။ Semicorex တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ယနေ့ခေတ်၏အဆင့်မြင့်ဆုံးအက်ပ်လီကေးရှင်းများ၏ပြင်းထန်သောတောင်းဆိုချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးသည့်အရည်အသွေးမြင့် SOI wafers များကိုကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအားပေးဆောင်ရန်ရည်ရွယ်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ထူးချွန်မှုအတွက် ကတိကဝတ်ပြုခြင်းသည် ကျွန်ုပ်တို့၏ Silicon on Insulator Wafers သည် မျိုးဆက်သစ် semiconductor စက်ပစ္စည်းများအတွက် လိုအပ်သော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်စေပါသည်။