Silicon Carbide (SiC) epitaxy သည် အထူးသဖြင့် စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနယ်ပယ်တွင် အဓိကနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ SiC သည် ကျယ်ပြန့်သော bandgap ပါရှိသော ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားပြီး ဗို့အားမြင့်လုပ်ဆောင်မှုလိုအပ......
ပိုပြီးဖတ်ပါEpitaxial wafer လုပ်ငန်းစဉ်သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ရေးတွင် အသုံးပြုသည့် အရေးပါသော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် အလွှာတစ်ခု၏ အပေါ်ဘက်ရှိ သလင်းကျောက်လွှာ၏ သေးငယ်သော အလွှာတစ်ခု ကြီးထွားမှု ပါဝင်သည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် အဆင့်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာစေရန်အတွက် ပစ္စည်းနှစ်ခုကြားတွင......
ပိုပြီးဖတ်ပါEpitaxial wafers များကို အီလက်ထရွန်းနစ်စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဆယ်စုနှစ်များစွာ အသုံးပြုလာခဲ့သော်လည်း နည်းပညာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ ၎င်းတို့၏ အရေးပါမှုမှာ တိုးလာခဲ့သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင်၊ epitaxial wafers များသည် အဘယ်ကြောင့်နည်းနှင့် ၎င်းတို့သည် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်......
ပိုပြီးဖတ်ပါSemiconductors များသည် အက်တမ်နျူကလိယ၏ အပြင်ဘက်အလွှာရှိ အီလက်ထရွန်ဆုံးရှုံးမှုနှင့် ညီမျှသော ဖြစ်နိုင်ခြေရှိသော conductors နှင့် insulator များကြားတွင် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို လမ်းညွှန်ပေးသည့် ပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး PN လမ်းဆုံများအဖြစ် အလွယ်တကူ ပြုလုပ်ကြသည်။ "ဆီလီကွန် (Si)", "ဂျာမီယမ် (Ge)" နှင့် အခြား......
ပိုပြီးဖတ်ပါ