Doping တွင်အညစ်အကြေးများဆေးကို Semiconductor ပစ္စည်းများထဲသို့၎င်းတို့၏လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကိုပြောင်းလဲရန်အညစ်အကြေးများအဖြစ်မိတ်ဆက်ပေးခြင်းပါဝင်သည်။ ပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့်အိုင်းယွန် implantation သည် doping နည်းလမ်းနှစ်မျိုးဖြစ်သည်။ အစောပိုင်းအညစ်အကြေး doping ကိုအဓိကအားဖြင့်အပူချိန်ပျံ့နှံ့ခြင်းဖြင့်အဓိ......
ပိုပြီးဖတ်ပါကြည်လင်သောကြီးထွားမှုမီးဖိုသည်ဆီလီကွန်ကာဘက်ဂိလူး crystals ကြီးထွားမှုအတွက်အဓိကကိရိယာများဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်ရိုးရာပုံဆောင်ခဲ Silicon-Grade Crystal Crystal Crystal Crystal Grothing နှင့်ဆင်တူသည်။ မီးဖိုဖွဲ့စည်းပုံအလွန်ရှုပ်ထွေးမဟုတ်ပါဘူး။ ၎င်းကိုအဓိကအားဖြင့်မီးဖိုခန္ဓာကိုယ်, အပူပေးစနစ်, coil protrammion ......
ပိုပြီးဖတ်ပါအပူချိန်မြင့်မားသောအပူထုတ်လုပ်မှုတွင်မြင့်မားသောအပူချိန်ဖြစ်စဉ်တစ်ခု၏နောက်ကွယ်တွင်အသံတိတ်သည်တိတ်ဆိတ်စွာနေသည့်ကစားသမားတစ် ဦး ဖြစ်သည်။ Silicon Wafer ကိုတိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်သည့်အဓိကလေယာဉ်တင်သင်္ဘောအနေဖြင့်၎င်းအား 0 င်ရောက်ယှဉ်ပြိုင်မှုနှင့်သန့်ရှင်းမှုနှင့်သန့်ရှင်းမှုသည်နောက်ဆုံးချစ်ပ်အထွက်နှုန်းနှင့်လုပ......
ပိုပြီးဖတ်ပါနှစ် ဦး စလုံးသည် n-type semiconductors များဖြစ်သည်။ Single-Crystal Silicon, Arsenic (abphorus) နှင့် Phosphorus (P) သည်အများအားဖြင့်အသုံးပြုသော n-type dopants (အခမဲ့အီလက်ထရွန်များပေးသော pentavalent elements) ကိုအသုံးပြုကြသည်။ သို့သော်အက်တမ်ဖွဲ့စည်းပုံ, ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ဝိသေသလက္ခဏာမ......
ပိုပြီးဖတ်ပါSemiconductor ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အခန်းများနှင့်အခန်းများပါဝင်သည်။ ကြွေအများစုသည် 0 ယ်သူများထံမှပိုမိုနီးကပ်စွာအခန်းများတွင်အသုံးပြုသည်။ အဓိကပစ္စည်းကိရိယာများအလှည့်အခေါင်းပေါက်များ၌အသုံးပြုသောကြွေပြားများကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသောအရေးကြီးသောအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သော Semiconductor ပစ္စည်းအစိတ်အပိုင်းများ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ