Silicon On Insulator Wafer

Silicon On Insulator wafer ၏ဖွဲ့စည်းပုံတွင် အဓိကအလွှာ သုံးခုပါဝင်သည်။ အပေါ်ဆုံးအလွှာသည် ပုံမှန်အားဖြင့် နာနိုမီတာအနည်းငယ်မှ မိုက်ခရိုမီတာအနည်းငယ်အထိ အထူရှိသော စလင်း-ခရစ်ခဲဆီလီကွန်၏ ပါးလွှာသောဖလင်ဖြစ်သည်။ ဤပါးလွှာသော ဆီလီကွန်အလွှာသည် ထရန်စစ္စတာများနှင့် အခြား အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများ တည်ဆောက်သည့် တက်ကြွသော ဒေသအဖြစ် ဆောင်ရွက်သည်။

ပါးလွှာသော ဆီလီကွန်အလွှာ၏အောက်တွင် လျှပ်ကာအလွှာတစ်ခုရှိသည်။ ဤလျှပ်ကာအလွှာသည် ပါးလွှာသော ဆီလီကွန်အလွှာနှင့် ဆပ်စထရိတ်အလွှာကြားရှိ လျှပ်စစ်ဓာတ်အား စီးဆင်းမှုကို အတားအဆီးအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။

အောက်ခြေအလွှာသည် တစ်ခုတည်းသော သလင်းပြင်ဆီလီကွန်၏ ပိုထူသော အလွှာဖြစ်သည့် အလွှာဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် wafer အတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပံ့ပိုးမှုပေးသည့်အပြင် ထုတ်ပေးသော အပူများကို ပြေပျောက်စေရန်အတွက် အပူစုပ်ခွက်တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။

Silicon On Insulator wafer ၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် wafer bonding နှင့် layer transfer method အပါအဝင် နည်းပညာမျိုးစုံပါဝင်ပါသည်။ ဤနည်းပညာများသည် insulating layer ၏ထိပ်တွင် အရည်အသွေးမြင့် ပါးလွှာသော ဆီလီကွန်အလွှာကို ဖန်တီးနိုင်စေပါသည်။

Silicon On Insulator wafer သည် အထူးသဖြင့် မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ မမ်မိုရီကိရိယာများ၊ RF ဆားကစ်များနှင့် မြန်နှုန်းမြင့် ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ ထုတ်လုပ်မှုတွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းတွင် ပို၍အရေးကြီးလာသည်။ ၎င်းတို့၏ထူးခြားသောဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အားသာချက်များသည် နယ်ပယ်အသီးသီးတွင် ပိုမိုမြန်ဆန်ပြီး ထိရောက်သောစက်ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးသည့် အဆင့်မြင့်အီလက်ထရွန်နစ်အပလီကေးရှင်းများအတွက် ဦးစားပေးရွေးချယ်မှုဖြစ်စေသည်။