lnoi wafer

အပြန်အလှန်အားဖြင့်လီသီယမ်သည်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ (LNOI Wafers) သည်သိသိသာသာယိုယွင်းနေသောအညွှန်းကိန်းနှင့်ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်စေသည်။ ၎င်းသည်မြင့်မားသောသိပ်သည်းသောဖိုတွန်ပေါင်းစည်းခြင်းနှင့်ခိုင်မာသောအလင်းချုပ်နှောင်မှုကိုခွင့်ပြုသည်။

LNOI Wafers များသည် Pulsed Laser Suptosition, Gel-Gel Methods, RF Magnetron sputtering နှင့်ဓာတုအဖုံးများအပါအ 0 င်နည်းစနစ်အမျိုးမျိုးကို အသုံးပြု. ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ သို့သော်ဤနည်းစနစ်များမှထုတ်လုပ်သော Lnoi သည် polycrystalline ဖွဲ့စည်းပုံကိုမကြာခဏပြသလေ့ရှိသည်။ ထို့အပြင်, ရုပ်ရှင်၏ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများနှင့်တစ်ကိုယ်ရေခတ်သော ln ၏ရုပ်ပွားတော်များအကြားကြီးမားသောကွာဟချက်များအကြားကြီးမားသောကွာဟချက်များရှိသည်။

LNOI Wafers များကိုပြင်ဆင်ရန်အကောင်းဆုံးနည်းလမ်းမှာအိုင်းယွန်း implantation, တိုက်ရိုက်နှောင်ကြိုးနှင့်အပူရှိန်နှင့်အပူချိန်များပေါင်းစပ်ခြင်းတို့ပါဝင်သည်။ ကြိတ်ဆုံနှင့် polishing နည်းစနစ်များသည်အရည်အသွေးမြင့်မားသော LNOI ကိုထုတ်ပေးနိုင်သည်။ ဤချဉ်းကပ်မှုသည်အိုင်းယွန်းတွင်ထည့်သွင်းမှုတွင် ION Crystal ရာဇမတ်ကွက်များသို့ပျက်စီးစေပြီးကြည်လင်သောအရည်အသွေးကိုထိန်းသိမ်းထားသည်။ Lnoi Wafers သည် Electro-optical, acousto-optic နှင့် nonline -ear optical applications ကဲ့သို့သောမရှိမဖြစ်လိုအပ်သောဂုဏ်သတ္တိများကိုဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားရုံသာမက optical production ဆုံးရှုံးမှုအတွက်အကျိုးရှိသည်။

Optical WaveGuides သည်ပေါင်းစပ်ထားသောဖိုတွန်တွင်အခြေခံကျသောကိရိယာများနှင့်သူတို့၏ပြင်ဆင်မှုအတွက်နည်းလမ်းအမျိုးမျိုးရှိသည်။ LNOI Wafers ရှိ Waveguides များသည်ပရိုတွန်လဲလှယ်ခြင်းစသည့်ရိုးရာနည်းစနစ်များကို အသုံးပြု. ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။ LN သည်ဓာတုဗေဒအရ unert ကိုရှောင်ရှားရန်, စွဲမှုကိုရှောင်ရှားရန်အလားအလာများကိုရှောင်ရှားရန်အလားအလာရှိသောပစ္စည်းများအား LoTing Waveguides ကိုဖန်တီးရန် LNOI သို့အပ်နှံနိုင်သည်။ Loading Strips များအတွက်သင့်တော်သောပစ္စည်းများတွင် Tio2, Sio2, Sinx, Ta2o5, Chalcogenide Glass နှင့် Silicon တို့ပါဝင်သည်။ ဓာတုစက်မှုဖြူဖွားသည့်နည်းစနစ်ကို အသုံးပြု. LNOI optical waveguide သည် 0.027 DB / CM 0.027 DB / CM ၏ဝါဒဖြန့်မှုဆုံးရှုံးမှုကိုရရှိခဲ့သည်။ သို့သော်၎င်း၏ရေတိမ်ပိုင်းလှိုင်း sidewall သည် Bending Radii ဖြင့် Waveguides ၏သဘောပေါက်မှုကိုပိုမိုသိရှိစေသည်။ LNOI Wafer WaveGuide သည် Plasma etching method ကို အသုံးပြု. ပြင်ဆင်ထားသည့် Plasma etching method ကို သုံး. ထုတ်လွှင့်မှုဆုံးရှုံးမှုကိုရရှိခဲ့သည်။ ၎င်းသည်ကြီးမားသော photon ပေါင်းစည်းမှုနှင့် Photon-level processing ကိုအကောင်အထည်ဖော်နိုင်ကြောင်းညွှန်ပြသည့်သိသာထင်ရှားသည့်သမိုင်းမှတ်တိုင်ကိုကိုယ်စားပြုသည်။ optical waveguides များအပြင် Micro-Ring / Micro-disk Resonators နှင့် Photonic coupers များအပါအ 0 င် LNOI တွင် Photonic Devices များအပြင်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော photonic devices များပြုလုပ်ခဲ့သည်။ အလုပ်လုပ်သော photonic devices အမျိုးမျိုးကိုလည်းအောင်မြင်စွာဖန်တီးနိုင်ခဲ့သည်။ လီသီယမ် Niobate (LN) Crystals ၏ထူးခြားသောလျှပ်စစ်နှင့် nonlineear optical သက်ရောက်မှုများကိုမြှင့်တင်ခြင်းသည် bandwidth optoelectronic modoration, ထိရောက်သော nonlinear ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် Electro-optionable optical frection ကိုပြောင်းလဲခြင်း, LN သည် acousto-optic အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလည်းပြသသည်။ Linoi တွင်ပြင်ဆင်ထားသော acousto-optic mach-zehnder modulator သည်ဆိုင်းငံ့ထား lithium niobate ရုပ်ရှင်၏ optomewnical interaction ကို အသုံးပြု. မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်၏လှိုင်းအလျားတစ်ခုတွင် 4.5 GHz မှအလင်းရောင်ဖြင့်အလင်းရောင်ဖြင့်ပြုလုပ်နိုင်သည့်မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်အချက်ပြဆီသို့ပြောင်းရွှေ့ရန်။

ထို့အပြင် Sapphire substrate အထက် LN ရုပ်ရှင်ကားပေါ်မှ LN ရုပ်ရှင်တွင်ပြုလုပ်သော Acousto-Optic Mettulator ကိုလုပ်ကြံသည်။ LNOI တွင်ရေးဆွဲထားသော acousto-optic frectic frectic frectic shifter သည်လူမီနီယမ် Nitride ရုပ်ရှင်နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်ပိုမိုမြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲမှုပိုမိုမြင့်မားမှုကိုပြသသည်။ ရှားပါးမြေကြီး Doped LNOI ကို အသုံးပြု. လေဆာများနှင့်အသံချဲ့စက်များတွင်တိုးတက်မှုများကိုလည်းပြုလုပ်ခဲ့သည်။ သို့သော်ရှားရှားပါးပါးမြေကြီး Doped ဒေသများသည် LNOI WAFRERS ဒေသများသည်ကြီးမားသော photonic ပေါင်းစပ်မှုကိုနှောင့်နှေးစေသောဆက်သွယ်ရေး optical တီးဝိုင်းတွင်သိသိသာသာအလင်းစုပ်ယူမှုကိုပြသည်။ LNOI တွင်ဒေသခံရှားပါးသောကမ္ဘာမြေကြီးများကိုစူးစမ်းလေ့လာခြင်းသည်ဤပြ issue နာကိုအဖြေရှာနိုင်သည်။ Amorphous silicon ကို photodetectors ဖန်တီးရန် LNOI တွင်အပ်နှံနိုင်သည်။ ရရှိလာသောသတ္တု - Semiconductor နှင့်သတ္တု photodetectors သည် 635-850 NM ၏လှိုင်းအလျားတစ်လျှောက်တွင် 22-37 ma / w ၏တာ 0 န်ယူမှုကိုပြသသည်။ တစ်ပြိုင်နက်တည်းကတစ်ပြိုင်နက်တည်း Heterogeneously ပေါင်းစပ် III-V ကို Semiconductor Pasers နှင့် detectors များနှင့် LNOI ရှိ detectors များသည်ဤပစ္စည်းအပေါ်လေဆာရောင်ခြည်နှင့်ရှာဖွေစက်များဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက်အခြားအလားအလာရှိသောဖြေရှင်းနည်းတစ်ခုကိုတင်ပြသည်။ သို့သော်ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည်ရှုပ်ထွေးပြီးအကုန်အကျများ,