တရုတ် Wafer ထုတ်လုပ်သူများ၊ တင်သွင်းသူများ၊ စက်ရုံ

semiconductor wafer ဆိုတာ ဘာလဲ။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafer သည် ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များ (IC) နှင့် အခြား အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများ တီထွင်မှုအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်အဖြစ် ဆောင်ရွက်သော ပါးလွှာသော အဝိုင်းသား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း တစ်မျိုးဖြစ်သည်။ wafer သည် အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများကို တည်ဆောက်ထားသည့် ညီညာသော မျက်နှာပြင်ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။

wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် လိုချင်သော semiconductor ပစ္စည်း၏ ကြီးမားသော တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကို ကြီးထွားလာစေခြင်း၊ စိန်လွှကို အသုံးပြု၍ အတုံးသေးလေးများဖြစ်အောင် လှီးဖြတ်ကာ မျက်နှာပြင် အပြစ်အနာအဆာများ သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် wafer များကို ပွတ်တိုက်သန့်စင်ခြင်း အပါအဝင် အဆင့်များစွာ ပါဝင်ပါသည်။ ရရှိလာသော wafers များသည် အလွန်ပြန့်ပြူးပြီး ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်ပါရှိပြီး ယင်းသည် နောက်ဆက်တွဲ ထုတ်လုပ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အရေးကြီးပါသည်။

wafers များကိုပြင်ဆင်ပြီးသည်နှင့်၊ ၎င်းတို့သည် photolithography၊ etching၊ deposition နှင့် doping ကဲ့သို့သော semiconductor ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကိုလုပ်ဆောင်ပြီး အီလက်ထရွန်နစ်အစိတ်အပိုင်းများတည်ဆောက်ရန် လိုအပ်သော ရှုပ်ထွေးသောပုံစံများနှင့် အလွှာများကိုဖန်တီးရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်အများအပြား သို့မဟုတ် အခြားစက်ပစ္စည်းများကို ဖန်တီးရန်အတွက် ဤလုပ်ငန်းစဉ်များကို wafer တစ်ခုတည်းတွင် အကြိမ်ပေါင်းများစွာ ထပ်ခါတလဲလဲ လုပ်ဆောင်ပါသည်။

ဖန်တီးမှုလုပ်ငန်းစဉ်ပြီးသွားသောအခါ၊ တစ်ခုချင်းစီကို ချစ်ပ်ပြားများကို ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသောမျဉ်းများတစ်လျှောက် wafer ကို အတုံးလိုက်ဖြင့် ပိုင်းခြားထားသည်။ ထို့နောက် ခွဲထုတ်ထားသော ချစ်ပ်များကို ၎င်းတို့အား ကာကွယ်ရန်နှင့် အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများတွင် ပေါင်းစည်းရန်အတွက် လျှပ်စစ်ချိတ်ဆက်မှုများကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် ထုပ်ပိုးထားသည်။

wafer ပေါ်တွင်ကွဲပြားခြားနားသောပစ္စည်းများ

Semiconductor wafers များသည် ၎င်း၏ များပြားမှု၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် စံ semiconductor ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် လိုက်ဖက်မှုရှိသောကြောင့် single-crystal silicon မှ အဓိကထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ သို့ရာတွင် တိကျသောအသုံးချပရိုဂရမ်များနှင့် လိုအပ်ချက်များအပေါ် မူတည်၍ wafer ပြုလုပ်ရန် အခြားပစ္စည်းများကိုလည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဤသည်မှာ ဥပမာအချို့ဖြစ်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC): SiC သည် ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ကြောင့် လူသိများသော ကျယ်ပြန့်သော ကြိုးဝိုင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ SiC wafer များကို ပါဝါပြောင်းစက်များ၊ အင်ဗာတာများနှင့် လျှပ်စစ်ကားအစိတ်အပိုင်းများကဲ့သို့သော စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုပါသည်။

Gallium Nitride (GaN) : GaN သည် ထူးခြားသော ပါဝါကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းရှိသော ကျယ်ပြန့်သော ကြိုးဝိုင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ GaN wafers များကို ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် အသံချဲ့စက်များနှင့် LEDs (အလင်းထုတ်လွှတ်သည့်ဒိုင်အိုဒ) များထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုပါသည်။

Gallium Arsenide (GaAs): GaAs သည် အထူးသဖြင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် နှင့် မြန်နှုန်းမြင့် အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုသော wafer များအတွက် နောက်ထပ် အသုံးများသော ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ GaAs wafers များသည် RF ( radio frequency ) နှင့် microwave devices ကဲ့သို့သော အချို့သော အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးဆောင်ပါသည်။

Indium Phosphide (InP) - InP သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှုရှိသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး လေဆာများ၊ ဓါတ်ဖမ်းကိရိယာများနှင့် မြန်နှုန်းမြင့် ထရန်စစ္စတာများကဲ့သို့သော optoelectronic စက်များတွင် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ InP wafers များသည် fiber-optic ဆက်သွယ်ရေး၊ ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေးနှင့် မြန်နှုန်းမြင့် ဒေတာထုတ်လွှင့်ခြင်းအတွက် အသုံးချရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။