Silicon Wafer အပူပေးစက်

Semicorex Silicon Wafer Heater သည် MOCVD ကို အသုံးပြု၍ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး အပူချိန် ၃၀၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက် မကျော်လွန်သော မသန်စွမ်းလေထုတွင်၊ လေဟာနယ်တွင် 2200 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ကျော်ဖြင့် လည်ပတ်နိုင်သည်။ SiC Coating သည် သိပ်သည်းပြီး ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံအလွှာဖြစ်သည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ Silicon Wafer အပူပေးစက်သည် သံချေးတက်ခြင်းနှင့် အပူခံနိုင်ရည်ရှိသော ဂုဏ်သတ္တိများအပြင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူကူးယူနိုင်စွမ်းရှိသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဓာတုငွေ့ထုတ်ခြင်း (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်သို့ SiC ကို ပါးလွှာသောအလွှာတွင် လိမ်းသည်။
Semicorex တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအား အရည်အသွေးမြင့်ပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော ထုတ်ကုန်များကို ပေးအပ်ရန် အာရုံစိုက်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Silicon Wafer အပူပေးစက်သည် စျေးနှုန်းအားသာချက်ရှိပြီး ဥရောပနှင့် အမေရိကဈေးကွက်များစွာသို့ တင်ပို့ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် တစ်သမတ်တည်း အရည်အသွေးပြည့်မီသော ထုတ်ကုန်များနှင့် ထူးခြားသော ဖောက်သည်ဝန်ဆောင်မှုကို ပေးဆောင်ရန် သင်၏ရေရှည်လက်တွဲဖော်ဖြစ်လာရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။

Silicon Wafer အပူပေးစက်၏ ကန့်သတ်ချက်များ

Silicon Wafer Heater ၏အင်္ဂါရပ်များ

- Silicon Carbide coatings များသည် CVD နည်းလမ်းကို အသုံးပြုပြီး ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးတက်စေပါသည်။
- စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် သန့်စင်ပြီး တောင့်တင်းသော ကာဗွန်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် အပူလျှပ်ကာ။
- ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ နှစ်ခုစလုံးသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးနိုင်စွမ်းရှိပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဖြန့်ဖြူးခြင်းဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။
- တွင်းပေါက်ခံနိုင်ရည်နှင့် သက်တမ်းပိုမိုမြင့်မားစေရန်အတွက် သန့်ရှင်းသော ဂရပ်ဖိုက်နှင့် SiC အပေါ်ယံပိုင်း

ကျွန်ုပ်တို့သည် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်ရေးနှင့် သက်တမ်းရှည်သော ဂရပ်ဖိုက်အတက်၊