SiC End Effector

Semicorex သည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor ၏ အကြီးစားထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းသူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများနှင့် epitaxy တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းများကို အာရုံစိုက်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC End Effector သည် ကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းအားသာချက်ရှိပြီး ဥရောပနှင့် အမေရိကန်ဈေးကွက်များစွာကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ရေရှည်လက်တွဲဖော်ဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ မျှော်လင့်ပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

Semicorex SiC End Effector ကို Silicon Carbide Coating (SiC) graphite ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး၊ အဆိုပါ coating ကို CVD နည်းလမ်းဖြင့် တိကျသောသိပ်သည်းဆမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်အဆင့်သို့ အသုံးချသောကြောင့် အပူချိန် 3000°C အထက်ရှိသော မီးဖိုထဲတွင် လည်ပတ်နိုင်သည်၊ လေဟာနယ်တွင် 2200°C။

ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC End Effector သည် အပူပရိုဖိုင်၏ညီညွှတ်မှုကိုသေချာစေရန် အကောင်းဆုံး laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံကိုရရှိစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် wafer ချစ်ပ်ပေါ်တွင် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုကို သေချာစေရန် ညစ်ညမ်းမှု သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ ပျံ့နှံ့မှုကို တားဆီးရန် ကူညီပေးသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC End Effector အကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

SiC End Effector ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC Î² အဆင့်
သိပ်သည်းဆ	g/cm ³	3.21
မာကျောခြင်း။	Vickers မာကျောမှု	2500
စပါးအရွယ်အစား	Î¼m	၂~၁၀
ဓာတုသန့်စင်မှု	%	99.99995
Heat Capacity ၊	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimation အပူချိန်	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4 မှတ်)	415
Young’s Modulus	Gpa (4pt bend, 1300â¹۔)	430
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E)	10-6K-1	4.5
အပူစီးကူးမှု	(W/mK)	300