MOCVD ဖုန်စုပ်ခန်းအဖုံး

MOCVD ဖုန်စုပ်ခန်းအဖုံးသည် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနှင့် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းလုပ်ဆောင်ရာတွင်အသုံးပြုသည့် မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ပြင်းထန်သောဓာတုသန့်စင်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိရမည်။ Semicorex Silicon Carbide Coated MOCVD Vacuum Chamber Lid သည် ဤစိန်ခေါ်မှုပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် အထူးသီးသန့် တီထွင်ဖန်တီးထားသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် ကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းအားသာချက်ရှိပြီး ဥရောပနှင့် အမေရိကန်စျေးကွက်များစွာကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ရေရှည်လက်တွဲဖော်ဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ မျှော်လင့်ပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

Semicorex Graphite အစိတ်အပိုင်းများသည် တစ်ခုတည်းသော crystal နှင့် wafer ဖြစ်စဉ်ကို ကြီးထွားစေရန် လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အသုံးပြု၍ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော SiC coated ဂရပ်ဖိုက်များဖြစ်သည်။ MOCVD Vacuum Chamber Lid Compound ကြီးထွားမှုသည် မြင့်မားသော အပူနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မတည်ငြိမ်သော ရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့များ၊ ပလာစမာနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်တို့ပေါင်းစပ်မှုကို ခံစားရရန် တာရှည်ခံပါသည်။

Semicorex တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအား အရည်အသွေးမြင့်ထုတ်ကုန်များနှင့် ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးအပ်ရန် ကတိပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းများကိုသာ အသုံးပြုထားပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် အရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အမြင့်ဆုံးစံချိန်စံညွှန်းများနှင့်ကိုက်ညီစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ MOCVD Vacuum Chamber Lid သည် ချွင်းချက်မရှိပါ။ မင်းရဲ့ semiconductor wafer processing လိုအပ်ချက်တွေကို ဘယ်လိုကူညီပေးနိုင်လဲဆိုတာကို ပိုမိုလေ့လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ကို ယနေ့ဆက်သွယ်လိုက်ပါ။

MOCVD Vacuum Chamber Lid ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC β အဆင့်
သိပ်သည်းမှု	g/cm ³	3.21
မာကျောခြင်း။	Vickers မာကျောမှု	2500
စပါးအရွယ်အစား	µm	၂~၁၀
ဓာတုသန့်စင်မှု	%	99.99995
အပူစွမ်းရည်	J kg-1 K-1	640
Sublimation အပူချိန်	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4 မှတ်)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃)	430
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E)	10-6K-1	4.5
အပူစီးကူးမှု	(W/mK)	300