Silicon Wafer Carrier

Semicorex သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းစက်မှုလုပ်ငန်းများရှိ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများကိုအာရုံစိုက်သည့် သင်၏ OEM တစ်ပိုင်းထုတ်လုပ်ရေးကိရိယာများနှင့် wafer ကိုင်တွယ်မှုအစိတ်အပိုင်းများအတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဆင့် ကြွေထည်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် Silicon Wafer Carrier ၏ ထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းခဲ့သည်မှာ နှစ်အတော်ကြာပြီဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Silicon Wafer Carrier သည် စျေးနှုန်းကောင်းမွန်ပြီး ဥရောပနှင့် အမေရိကန်ဈေးကွက်အများစုကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ရေရှည်လက်တွဲဖော်ဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ မျှော်လင့်ပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အပ်နှံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် မတည်ငြိမ်သောရှေ့ပြေးဓာတ်ငွေ့များ၊ ပလာစမာနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်တို့ ပေါင်းစပ်ထားသော အရည်အသွေးမြင့် ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များကို wafers များပေါ်သို့ အလွှာလိုက်ဖြစ်စေရန် အသုံးပြုသည်။ Deposition chambers များနှင့် wafer ကိုင်တွယ်ကိရိယာများသည် ဤစိန်ခေါ်မှုရှိသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ရပ်တည်ရန် တာရှည်ခံကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းများ လိုအပ်ပါသည်။
Semicorex Silicon Wafer Carrier သည် သန့်စင်မြင့်မားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြစ်ပြီး သံချေးတက်ခြင်းနှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဂုဏ်သတ္တိများအပြင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုပါရှိသည်။

Silicon Wafer Carrier ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ
အညွှန်း	ယူနစ်	တန်ဖိုး
ပစ္စည်းအမည်		Sintered Silicon Carbide ဓါတ်	Pressureless Sintered Silicon Carbide	ပြန်လည်ပုံသွင်းထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်
ဖွဲ့စည်းမှု		RBSiC	SSiC	R-SiC
အစုလိုက်သိပ်သည်းမှု	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Flexural Strength	MPa (kpsi)	၃၃၈(၄၉)၊	၃၈၀(၅၅)၊	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Compressive Strength	MPa (kpsi)	၁၁၂၀(၁၅၈)၊	၃၉၇၀(၅၆၀)၊	> ၆၀၀
မာကျောခြင်း။	Knoop	2700	2800	/
ဇွဲနပဲကို ချိုးဖျက်ခြင်း။	MPa m1/2	4.5	4	/
အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း	W/m.k	95	120	23
Thermal Expansion ၏ Coefficient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
သတ်မှတ်ထားသော အပူ	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
လေထဲတွင် အမြင့်ဆုံးအပူချိန်	℃	1200	1500	1600
Elastic Modulus	Gpa	360	410	240

SSiC နှင့် RBSiC အကြား ခြားနားချက်-

1. Sintering လုပ်ငန်းစဉ် မတူပါ။ RBSiC သည် အပူချိန်နိမ့်သောအချိန်တွင် အခမဲ့ Si ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ထဲသို့ စိမ့်ဝင်ရန်ဖြစ်ပြီး SSiC ကို 2100 ဒီဂရီတွင် သဘာဝအတိုင်း ကျုံ့ခြင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသည်။

2. SSiC သည် ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်၊ ပိုမြင့်သော သိပ်သည်းဆနှင့် ခိုင်ခံ့မှု ရှိပြီး၊ ပိုမိုတင်းကျပ်သော မျက်နှာပြင် လိုအပ်ချက်များနှင့် အချို့သော တံဆိပ်ခတ်ခြင်းများအတွက် SSiC သည် ပိုကောင်းပါသည်။

3. မတူညီသော PH နှင့် အပူချိန်အောက်တွင် မတူညီသောအသုံးပြုချိန်၊ SSiC သည် RBSiC ထက် ပိုရှည်သည်။

Silicon Wafer Carrier ၏အင်္ဂါရပ်များ

မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော SiC coated ဂရက်ဖိုက်
သာလွန်သောအပူခံနိုင်ရည်နှင့်အပူတူညီမှု
ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်အတွက် Fine SiC crystal coated
ဓာတုသန့်စင်မှုကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသည်။
အက်ကွဲခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်းများ မဖြစ်ပေါ်စေရန် ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။

ရရှိနိုင်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ပုံစံများï¼ƒ

â ကြွေတံ / ကြွေတံ / ကြွေထည် ပလပ်တံ

â ကြွေပြွန်/ ကြွေထည်အဖုံး/ ကြွေထည်လက်စွပ်

â ကြွေထည်လက်စွပ် / ကြွေထည်ဆေးစက် / ကြွေထည်ပါစတာ

â ကြွေပြားအချပ်

â ကြွေပြား/ကြွေတုံး

â ကြွေဘောလုံး

â ကြွေပစ္စတင်

â ကြွေထည် နော်ဇယ်

â ကြွေထည်အိမ်

â အခြားစိတ်ကြိုက်ကြွေထည်အစိတ်အပိုင်းများ