Silicon Carbide ICP etching ပန်းကန်

Silicon Carbide ICP etching ပန်းကန်တုန်ခါမှုသို့မဟုတ်ရွှေ့ပြောင်းခြင်းဖြင့်ဖြစ်ပေါ်စေခြင်းဖြင့်သွေးခဲခြင်းဖြင့်လျှော့ချခြင်းဖြင့်လျှော့ချခြင်းအားထိရောက်စွာလျှော့ချခြင်းအားထိရောက်စွာတားဆီးခြင်းကိုထိရောက်စွာကာကွယ်ခြင်းကိုထိရောက်စွာတားဆီးရန်တည်ငြိမ်သောပံ့ပိုးမှုနှင့်တိကျသောနေရာချထားမှုကိုသင့်လျော်သောအထောက်အပံ့နှင့်တိကျသောနေရာချထားခြင်းအတွက်အရည်အချင်းရှိသည်။

Silicon Carbide ICP စွဲပစ္စည်းတွင်အပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းရည်ရှိသည်ယစ်မျိုးဆီလီကွန်ကာဘန်း ICP acp ттеринаринаринертиреглистиреглистиретреunрегာဏက်၏ရှုပ်ထွေးမှုများကိုကာကွယ်ရန်နှင့် underting အပူချိန်၏တူညီမှုကိုသေချာစေရန်ကူညီပေးသည်။ SIC Ceramics သည်အပူတရေးတည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းရန်အတွက်ကောင်းမွန်သောရှုထောင့်၏တည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းရန်အတွက် 0 င်ရောက်နိုင်သည့်နေရာရွှေ့ပြောင်းမှုသို့မဟုတ်ပုံပျက်မှုများကိုလျှော့ချရန်ခွင့်ပြုသည့်အပူတိုးချဲ့မှုကိုနိမ့်ကျစေသည်။

အလွန်အမင်းခိုင်မာသည့်အခက်အခဲနှင့်ခွန်အားဂုဏ်သတ္တိများကိုမှီခိုခြင်း, ဆီလီကွန်ကာလက် acp စွဲချက်သည်စိတ်ဖိစီးမှုဖြစ်စဉ်များသို့မဟုတ်ပျက်စီးဆုံးရှုံးမှုများခံစားခဲ့ရသည့်အတွင်းပိုင်းစိတ်ဖိစီးမှုနှင့်ပလာစူသက်ရောက်မှုကိုသည်းခံနိုင်ကြောင်းပြသသည်။ ဤစွမ်းရည်သည် Sememonductor ထုတ်ကုန်များ၏အထွက်နှုန်းနှင့်ထုတ်လုပ်ခြင်းထိရောက်မှုကိုထိရောက်စွာတိုးတက်စေသည်။

ICP operating environment သည် semiconductor-level သန့်ရှင်းမှုလိုအပ်သည်။ Semicorex ၏ဆီလီကွန်ကာရိုး Carbide ICP စွဲပြားမှုသည်ဤလိုအပ်ချက်ကိုအပြည့်အဝဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ပြီး ICP acts ား actsing ပတ် 0 န်းကျင်ရှိဓာတုဓာတ်ငွေ့များကိုအထူးသဖြင့်ခုခံနိုင်မှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤသိသာထင်ရှားသောအင်္ဂါရပ်သည်လုပ်ငန်းစဉ်ပတ် 0 န်းကျင်ကိုလည်ပတ်နေစဉ်အတွင်းထုတ်လွှတ်သည့်ညစ်ညမ်းမှုပမာဏကိုလျှော့ချခြင်းဖြင့်စင်ကြယ်သောပတ်ဝန်းကျင်ကိုထိန်းသိမ်းထားသည်။

Semicorex သည်သုံးစွဲသူအဆင်ပြေလွယ်ကူပြီး silicon carbide ICP empide plate ၏စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းများကိုတပ်ဆင်ထားပြီး Silicon Carbide ICP acp терပြားများကိုချောမွေ့စွာပေါင်းစပ်ထားပြီးအမျိုးမျိုးသော configurations များနှင့်သဟဇာတဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်အသွင်ကူးပြောင်းမှုချောမွေ့စေရန်ခွင့်ပြုထားပြီးပစ္စည်းကိရိယာထုတ်လုပ်သူများအတွက်စံပြအဆင့်မြှင့်တင်မှုကိုပြုလုပ်ရန်ခွင့်ပြုသည်။