Sicoi Wafer သည်အထူးနည်းစနစ်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသောဆီလီကွန်ကာလက်စားစက်ပေါင်းစပ်မှုပေါင်းစပ်ထားသော silicon carbide-insulator composite wafer ကို photonic integrated circuits နှင့် microelectromechomechanchanical systems များတွင်အသုံးပြုသည်။ ဤပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသည် silicon carbide ၏အလွန်ကောင်းမွန်သောဂုဏ်သတ္တိများကိုလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများ၏သီးခြားလက္ခဏာများနှင့်ပေါင်းစပ်ပြီး semiconductor devices များ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုသိသိသာသာတိုးမြှင့်ပေးပြီးစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်အီလက်ထရွန်နစ်နှင့် optoelelectronic devices များအတွက်စံပြဖြေရှင်းနည်းများကိုအထောက်အကူပြုသည်။
ကြှနျုပျတို့မှာညှစ်ထူးခွားတဲ့နည်းလမ်းတစ်ခုကိုသုံးတဲ့အလွှာသုံးပုံတစ်ပုံပါတဲ့ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံပါတဲ့ composite semiconductor ပစ္စည်းပါ။
Sicoi Wafer ၏ဖွဲ့စည်းပုံ၏အောက်ခြေအလွှာသည် Sicoi Wafer ၏ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေရန် commicon silicon အလွှာဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အကောင်းဆုံးအပူစီးကူးမှုသည် Semiconductor ထုတ်ကုန်များ၏စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ်အပူစုဆောင်းခြင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလျော့နည်းစေသည်။ ထို့အပြင် silicon အလွှာသည် Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင်အသုံးပြုသောပစ္စည်းကိရိယာများနှင့်စက်ကိရိယာများနှင့်အတူသဟဇာတဖြစ်သည်။ ထုတ်ကုန် R & D နှင့်အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအရှိန်အဟုန်မြှင့်တင်ခြင်းသည်ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်နှင့်ရှုပ်ထွေးမှုကိုအောင်မြင်စွာလျော့နည်းစေသည်။
ဆီလီကွန်အလွှာနှင့် Sic device layer, insulating odideo အလွှာသည် sii wafer ၏အလယ်အလတ်အလွှာဖြစ်သည်။ အထက်နှင့်အောက်ပိုင်းအလွှာများအကြားလက်ရှိလမ်းကြောင်းများအကြောင်းကိုသီးခြားခွဲထုတ်ခြင်းအားဖြင့်အောက်ဆိုဒ်သည် oxtination layer ကိုထိထိရောက်ရောက်လျှော့ချပြီး semiconductor device များ၏တည်ငြိမ်သောလျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုအာမခံသည်။ စုပ်ယူနိုင်သောဝိသေသလက်ခဏာကြောင့်၎င်းသည် optical scattering ကိုသိသိသာသာလျှော့ချပေးပြီး semiconductor devices ၏ optical signal provice provice ကိုတိုးတက်စေသည်။
Silicon Carbide Device Layer သည် Sicoi Wafer ၏ဖွဲ့စည်းပုံ၏အခြေခံအလုပ်လုပ်သောအလွှာဖြစ်သည်။ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောအီလက်ထရွန်နစ်, photonic နှင့် Quantum functions များကိုရရှိရန်အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်,
Sicoi Wafers ၏လျှောက်လွှာများ -
1. optical frequency ဖြီးနှင့်တူသော nonlinear optical device ကိုထုတ်လုပ်ခြင်း။
2. ကုန်ထုတ်လုပ်မှုပေါင်းစပ်ထားသော photonic ချစ်ပ်များ။
3. Electro-Optic Modulator ကိုထုတ်လုပ်ခြင်း
4. Power Switches နှင့် RF ကိရိယာများကဲ့သို့သောထုတ်လုပ်မှုပါဝါလျှပ်စစ်ပစ္စည်းကိရိယာများထုတ်လုပ်ခြင်း။
Accelerometer နှင့် gyroscope ကဲ့သို့သော MEMS အာရုံခံကိရိယာထုတ်လုပ်ခြင်း။