SiC ရောင်ပြန်ဟပ်

Semicorex SiC ရောင်ပြန်ဟပ်သည် ၎င်းတို့၏ထူးခြားသောအပူစီးကူးမှု၊ မြင့်မားသောရောင်ပြန်ဟပ်မှုနှင့် မလိုက်ဖက်သောကြာရှည်ခံမှုတို့အတွက် ကျော်ကြားသောကြောင့် ၎င်းတို့ကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်စေသည်။

SiC ရောင်ပြန်ဟပ်သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အလင်းနှင့် အပူစွမ်းအင်ကို ထင်ဟပ်စေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် အထူးပြု optical အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ Silicon Carbide (SiC) သည် ၎င်း၏ထူးခြားသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် လူသိများသော ဆီလီကွန်နှင့် ကာဗွန်ဒြပ်ပေါင်းဖြစ်သည်။ SiC မှပြုလုပ်သော ရောင်ပြန်လွှာများသည် ပြင်းထန်သောအခြေအနေများကိုခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် အင်ဂျင်နီယာချုပ်လုပ်ထားပြီး အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ အဆိပ်သင့်သောပတ်ဝန်းကျင်နှင့် စွမ်းအင်မြင့်ဖိုတွန်များရှိနေသော အသုံးချမှုများအတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။

SiC Reflector ၏ အထူးခြားဆုံး အားသာချက်တစ်ခုမှာ ၎င်းတို့၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးခြင်း ဖြစ်သည်။ SiC ပစ္စည်းသည် အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ် (Al2O3) သို့မဟုတ် quartz ကဲ့သို့သော သမားရိုးကျပစ္စည်းများထက် အဆများစွာ မြင့်မားသော အပူစီးကူးနှုန်းရှိသည်။ ဤပိုင်ဆိုင်မှုသည် ထိရောက်သောအပူကို စုပ်ယူနိုင်ပြီး အပူလွန်ကဲခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးပြီး အပူချိန်မြင့်မားသောအခြေအနေများတွင်ပင် တည်ငြိမ်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိစေပါသည်။

SiC ရောင်ပြန်သည် အထူးသဖြင့် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် (UV) နှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည် (IR) ရောင်စဉ်တွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော ရောင်ပြန်ဟပ်မှုကို ပြသသည်။ ဤမြင့်မားသော ရောင်ပြန်ဟပ်မှုသည် ပစ်မှတ်ဧရိယာသို့ အလင်းပမာဏ အများဆုံး အလင်းကို လမ်းကြောင်းလွဲသွားစေပြီး photolithography၊ လျင်မြန်သော အပူပေးလုပ်ဆောင်ခြင်း (RTP) နှင့် ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD) ကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

Silicon Carbide သည် ၎င်း၏ မာကျောမှုနှင့် စုတ်ပြဲခြင်းတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ကျော်ကြားသည်။ SiC ရောင်ပြန်များသည် အလွန်တာရှည်ခံပြီး၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဓာတုချေးစားမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤကြာရှည်ခံမှုသည် သက်တမ်းပိုရှည်သည်၊ အစားထိုးခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုအကြိမ်ရေကို လျှော့ချကာ ပိုင်ဆိုင်မှုစုစုပေါင်းကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးသည်။