Semicorex သည် Silicon Carbide Coated Graphite၊ Silicon Carbide Ceramic၊ Semiconductor ထုတ်လုပ်မှု၏ MOCVP နယ်ပယ်များကို အဓိကထား၍ တိကျသောစက်ဖြင့် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော Graphite ၏ ထိပ်တန်းကိုယ်ပိုင်ပိုင်ဆိုင်သည့် ထုတ်လုပ်သူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ Robot End Effector သည် ကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းအားသာချက်ရှိပြီး ဥရောပနှင့် အမေရိကန်စျေးကွက်များစွာကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ရေရှည်လက်တွဲဖော်ဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ မျှော်လင့်ပါသည်။
Robot End Effector သည် wafer processing equipment နှင့် carriers များကြားတွင် semiconductor wafer များကို ရွေ့လျားပေးသော စက်ရုပ်၏လက်ဖြစ်သည်။ စက်ရုပ် End Effector သည် စက်ပစ္စည်းများကို မထိခိုက်စေဘဲ သို့မဟုတ် အမှုန်အမွှားမဖြစ်စေဘဲ wafer များကို ဘေးကင်းစွာကိုင်တွယ်ရန် ချောမွေ့ပြီး ပွန်းပဲ့ခံနိုင်ရည်ရှိသော မျက်နှာပြင်ရှိစဉ်တွင် အတိုင်းအတာအရ တိကျပြီး အပူရှိန်တည်ငြိမ်မှုရှိရပါမည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ သန့်စင်မှုမြင့်မားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံပိုင်း Robot End Effector သည် သာလွန်သော အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး တစ်သမတ်တည်း epi layer အထူနှင့် ခံနိုင်ရည်အတွက် အပူပိုင်းတူညီမှု၊ နှင့် တာရှည်ခံ ဓာတုဗေဒ ခံနိုင်ရည်တို့ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
Robot End Effector ၏ ကန့်သတ်ချက်များ
CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications |
||
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ |
||
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ |
FCC β အဆင့် |
|
သိပ်သည်းဆ |
g/cm ³ |
3.21 |
မာကျောခြင်း။ |
Vickers မာကျောမှု |
2500 |
စပါးအရွယ်အစား |
μm |
၂~၁၀ |
ဓာတုသန့်စင်မှု |
% |
99.99995 |
Heat Capacity ၊ |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimation အပူချိန် |
℃ |
2700 |
Felexural Strength |
MPa (RT 4 မှတ်) |
415 |
Young’s Modulus |
Gpa (4pt bend, 1300â¹۔) |
430 |
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
အပူစီးကူးမှု |
(W/mK) |
300 |
Robot End Effector ၏အင်္ဂါရပ်များ
မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော SiC coated ဂရက်ဖိုက်
သာလွန်သောအပူခံနိုင်ရည်နှင့်အပူတူညီမှု
ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်အတွက် Fine SiC crystal coated
ဓာတုသန့်စင်မှုကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသည်။
အက်ကွဲခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်းများ မဖြစ်ပေါ်စေရန် ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။