porue ser plate

Semicorex porus Sic Plate သည်အဆင့်မြင့်သော Sememonductor နှင့် Precise ထုတ်လုပ်မှုလျှောက်လွှာများအတွက်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ကြွေထည်ဖြစ်သည်။ အစကတည်းကထိန်းချုပ်ထားသည့် porused ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်အတူအင်ဂျင်နီယာဤပန်းကန်သည်ထူးခြားသည့်စက်မှုစွမ်းအား, အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာခုခံမှုများကိုပြုလုပ်ပေးသည်လေဟာနယ် Chucksemiconductor အပြောင်းအလဲနဲ့၌တည်၏။

တိကျစွာ sincising နှင့် pore ပုံစံများဖြင့်လုပ်ငန်းများ၌ porus sic plate တွင် poric sic plate တွင်ပါးလွှာသော porosity, ဖန်ထည်ပြားများ, ဖန်ခွက်များနှင့်အခြားနူးညံ့သိမ်မွေ့သောအလွှာများလုံခြုံ။ တည်ငြိမ်သောလေထုတည်နေရာများရှိနိုင်သည်။ ဂရုတစိုက်ထိန်းချုပ်ထားသောထိတ်လန့်ခြင်းအရွယ်အစားဖြန့်ဖြူးခြင်းက၎င်း၏ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာဖွဲ့စည်းပုံအခြေခံဥပဒေများကိုအတူတကွထိန်းသိမ်းထားစဉ်အတွင်း၎င်း၏ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာဖွဲ့စည်းပုံအခြေခံဥပဒေကိုအတူတကွထားရှိပြီး,

၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးမှုသည် suct suct plate တစ်ခုဖြစ်ပြီးမျက်နှာပြင်အနှံ့အပြားတွင်အပူချိန်ကိုယူနီဖောင်းဖြန့်ဖြူးခြင်းနှင့်အတူအပူဖြန့်ဝေမှုအတွက်အကောင်းဆုံးကိုယ်စားလှယ်လောင်းများဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်ထုတ်ကုန်များ၏အထွက်နှုန်းနှင့်အရည်အသွေးနှင့်တိုက်ရိုက်သက်ဆိုင်သောအပူအခြေအနေများအတွင်းတည်ငြိမ်မှုကိုထိန်းသိမ်းရန်အတွက် Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များစွာတွင်၎င်းသည်အရေးကြီးလာသည်။ ဆီလီလိုကာလက်ဆီးသည်ခုခံမှုကိုကောင်းမွန်စွာ 0 တ်ဆင်ပြီးအလွန်အမင်းခဲယမ်းအမြင့်ဆုံးအခမ်းအနားကိုထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပြီးကျယ်ပြန့်သောအသုံးပြုမှုများအပေါ်နှောင့်နှေးနေသည့်အတွက်ပန်းကန်အတွက်ကြာရှည်စွာအသက်ရှင်သည်။

Churctal Inertness သည် porus ser plate ၏နောက်ထပ်အရေးပါသောလက်ခဏာဖြစ်သည်။ အက်စစ်များသည်အက်ဆစ်များ, အယ်လ်ကာစ်နှင့်ပလာစမာထိတွေ့မှုများကိုပိုမိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ၎င်းကိုစွဲညှိခြင်း, SIC ၏နိမ့်ကျသောသဘောသဘာဝမရှိသောသဘောသဘာဝသည်မလိုလားအပ်သောဓာတုဆက်သွယ်မှုများကိုကာကွယ်ပေးပြီးပြုပြင်ထားသောပစ္စည်းများ၏သန့်ရှင်းမှုကိုထိန်းသိမ်းခြင်းနှင့်ထုတ်လုပ်မှုယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုတိုးမြှင့်ပေးသည်။

ထို့အပြင်၎င်း၏ကြံ့ခိုင်သောစက်မှုဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ပေါင်းစပ်ထားသော poroous sic ဂုဏ်သတ္တိများ, အနိမ့်အပူတိုးချဲ့ကိန်းသည်အလွန်အမင်းအပူချိန်အတက်အကျများအောက်တွင်ပင်ရှုထောင့်တည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေသည်။

poroity, အထူနှင့်မျက်နှာပြင်အပြီးတွင်ကွဲပြားမှုများအပါအ 0 င်တိကျသော application လိုအပ်ချက်များနှင့်တွေ့ဆုံရန် porous sic plate ကိုစိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ အဆင့်မြင့်ချောမွေ့သောနည်းစနစ်များကိုအနိမ့်ဆုံးသောမျက်နှာပြင်များရရှိရန်အတွက်အလွန်အမင်းကြမ်းတမ်းသောမျက်နှာပြင်များရရှိရန်အတွက်စွမ်းဆောင်ရည်နိမ့်ကျမှုများကိုရရှိရန်,

Semicorex silicon carbide plate သည်အလွန်အမင်းအထူးသဖြင့်ကောင်းမွန်သောအပူနှင့်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကိုပေါင်းစပ်ထားပြီးသာလွန်ကောင်းမွန်သော 0 တ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ၎င်း၏ထူးခြားသည့်စုပ်စက်ဖွဲ့စည်းပုံသည်ထိရောက်သောလေဟာနယ်စုတ်ယူခြင်း, ရလဒ်အနေဖြင့်၎င်းသည်စွမ်းဆောင်ရည်, ကြာရှည်ခံမှုနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည်အဓိကကျသည့်မြင့်မားသောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအကြောင်းအရာဖြစ်သည်။