စက်မှုသတင်းများ - Semicorex Advanced Material Technology Co.,Ltd

SiC Epitaxy

epitaxy အမျိုးအစား နှစ်မျိုးရှိသည်။ မတူညီသောအပလီကေးရှင်းများအတွက် တိကျသောခံနိုင်ရည်နှင့် အခြားကန့်သတ်ချက်များဖြင့် SiC စက်ပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက်၊ ထုတ်လုပ်ခြင်းမစတင်မီ epitaxy ၏အခြေအနေများနှင့် ကိုက်ညီရပါမည်။ epitaxy ၏အရည်အသွေးသည် စက်၏စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် သက်ရောက်မှုရှိသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Dry Etching vs Wet Etching

In semiconductor fabrication, etching is one of the major steps, along with photolithography and thin-film deposition. It involves removing unwanted materials from the surface of a wafer using chemical or physical methods. This step is carried out after coating, photolithography, and developing. It ......

ပိုပြီးဖတ်ပါ

SiC ပုံဆောင်ခဲများတွင် dislocation

SiC substrate တွင် Threading Screw Dislocation (TSD)၊ Threading Edge Dislocation (TED)၊ Base Plane Dislocation (BPD) နှင့် အခြားအရာများကဲ့သို့သော အဏုကြည့်မှန်ချို့ယွင်းချက်များ ရှိနိုင်ပါသည်။ ဤချို့ယွင်းချက်များသည် အက်တမ်အဆင့်ရှိ အက်တမ်များ၏ အစီအစဉ်ကို သွေဖည်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

SiC crystals - Micropipe တွင် ချို့ယွင်းချက်များအကြောင်း

SiC substrate တွင် Threading Screw Dislocation (TSD)၊ Threading Edge Dislocation (TED)၊ Base Plane Dislocation (BPD) နှင့် အခြားအရာများကဲ့သို့သော အဏုကြည့်မှန်ချို့ယွင်းချက်များ ရှိနိုင်ပါသည်။ ဤချို့ယွင်းချက်များသည် အက်တမ်အဆင့်ရှိ အက်တမ်များ၏ အစီအစဉ်ကို သွေဖည်ခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းဖြစ်သည်။ SiC ......

ပိုပြီးဖတ်ပါ

အဘယ်ကြောင့်အရည်အဆင့် epitaxy နည်းလမ်းကိုရွေးချယ်သနည်း။

PVT နည်းလမ်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC ကြီးထွားမှုအတွက် အရည်အဆင့်နည်းလမ်းတွင် အောက်ပါ အားသာချက်များ ရှိပါသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

liquid phase epitaxy ဆိုတာဘာလဲ။

အရည်အဆင့်နည်းလမ်းသည် သာမိုဒိုင်းနမစ်မျှခြေအခြေအနေများနှင့် ပိုမိုနီးစပ်ပြီး SiC ပုံဆောင်ခဲများကို ပိုမိုကောင်းမွန်သော အရည်အသွေးဖြင့် ကြီးထွားစေနိုင်သည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ