- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
စက်မှုသတင်း
တတိယမျိုးဆက် Semiconductors မိတ်ဆက်- GaN နှင့် သက်ဆိုင်ရာ Epitaxial နည်းပညာများ
အပြာရောင် LEDs များအတွက် 2014 ခုနှစ် ရူပဗေဒနိုဘယ်ဆုကို ချီးမြှင့်ပြီးနောက် GaN ပစ္စည်းများသည် ထင်ပေါ်ကျော်ကြားလာခဲ့သည်။ လူသုံးအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အမြန်အားသွင်းခြင်းအက်ပ်လီကေးရှင်းများ၊ GaN အခြေပြု ပါဝါအသံချဲ့စက်များနှင့် RF စက်ပစ္စည်းများသည် 5G အခြေစိုက်စခန်းများတွင် အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းမ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Substrate နှင့် Epitaxy- Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍများ
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာနှင့် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင်၊ အလွှာများနှင့် epitaxy တို့၏သဘောတရားများသည် သိသိသာသာအရေးပါပါသည်။ ၎င်းတို့သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် semiconductor substrates နှင့် epitaxy အကြား ခြားနားချက်မျာ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Silicon Carbide (SiC) အလွှာများ၏ အဓိက ကန့်သတ်ချက်များ
Silicon Carbide (SiC) ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပစ္စည်းများဘက်မှ အလွှာနှင့် epitaxy ၏ ပြင်ဆင်မှုကို အကျုံးဝင်ပြီး၊ ၎င်းနောက်တွင် ချစ်ပ်ဒီဇိုင်းနှင့် ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ စက်ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် နောက်ဆုံးတွင် ရေအောက်အပလီကေးရှင်း စျေးကွက်များသို့ ဖြန့်ချီခြင်းတို့ ပါဝင်ပါသည်။ ဤအဆင့်များကြားတွင်၊ အလွှာပစ္စည်း......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အသုံးချမှုများ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ထွန်းသစ်စစက်မှုလုပ်ငန်းများနှင့် ရိုးရာစက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အသုံးချမှုအများအပြားရှိသည်။ လက်ရှိတွင် ကမ္ဘာ့တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဈေးကွက်သည် ယွမ် ဘီလီယံ 100 ကျော်သွားပြီဖြစ်သည်။ 2025 ခုနှစ်တွင် တစ်ကမ္ဘာလုံးအတိုင်းအတာဖြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရောင်းချမှုသည် အမေရိကန်ဒေါ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Silicon Carbide Ion Implantation and Annealing Process ကို မိတ်ဆက်ခြင်း။
သမားရိုးကျ ဆီလီကွန်ပါဝါစက်ကို တီထွင်ထုတ်လုပ်ရာတွင်၊ အပူချိန်မြင့်မားစွာပျံ့နှံ့ခြင်းနှင့် အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းတို့သည် dopant ထိန်းချုပ်မှုအတွက် အဓိကနည်းလမ်းများအဖြစ် ရပ်တည်ကြပြီး တစ်ခုစီတွင် အားသာချက်များနှင့် အားနည်းချက်များရှိသည်။ ပုံမှန်အားဖြင့်၊ မြင့်မားသော အပူချိန်ပျံ့နှံ့မှုကို ၎င်း၏ရိုးရ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
