Semiconductor Ion Implantation Technology ဆိုတာ ဘာလဲ။

ဘယ်လိုဖြစ်တာလဲ။Ion Implant ၊လုပ်ဆောင်ချက်အလုပ်လား?

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်၊ အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းတွင် အာဆင်းနစ် သို့မဟုတ် ဘိုရွန်ကဲ့သို့သော သီးခြားညစ်ညမ်းသောအက်တမ်များကို ထိုးသွင်းရန် စွမ်းအင်မြင့် accelerators ကိုအသုံးပြုခြင်းပါဝင်သည်။ဆီလီကွန်အလွှာ. Periodic Table တွင် နံပါတ် ၁၄ နေရာတွင် ရပ်တည်ထားသော ဆီလီကွန်သည် ၎င်း၏ အပြင်ဘက် အီလက်ထရွန် လေးလုံးကို အိမ်နီးချင်း အက်တမ်များနှင့် မျှဝေခြင်းဖြင့် covalent နှောင်ကြိုးများ ထုတ်ပေးသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဆီလီကွန်၏လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကိုပြောင်းလဲစေပြီး transistor threshold voltages များကိုချိန်ညှိကာ source နှင့် drain structure များဖွဲ့စည်းသည်။

တစ်ချိန်က ရူပဗေဒပညာရှင်တစ်ဦးသည် ဆီလီကွန် ရာဇမတ်ကွက်အတွင်းသို့ မတူညီသော အက်တမ်များကို မိတ်ဆက်ခြင်း၏ အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို တွေးတောခဲ့ဖူးသည်။ အပြင်ဘက် အီလက်ထရွန်ငါးခုပါရှိသော အာဆင်းနစ်ကို ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့်၊ အီလက်ထရွန်တစ်လုံးသည် အခမဲ့ဖြစ်ပြီး၊ ဆီလီကွန်၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ပေးပြီး ၎င်းအား n-type semiconductor အဖြစ် ပြောင်းလဲပေးသည်။ အပြန်အလှန်အားဖြင့် အပြင်ဘက် အီလက်ထရွန် သုံးခုသာရှိသော ဘိုရွန်ကို မိတ်ဆက်ပေးခြင်းဖြင့် p-type semiconductor သည် အပြုသဘောဆောင်သော အပေါက်ကို ဖန်တီးပေးသည်။ ဤနည်းကို ဆီလီကွန် ရာဇ၀င်တွင် အမျိုးမျိုးသောဒြပ်စင်များ ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းခြင်းနည်းလမ်းကို အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းဟုခေါ်သည်။

အစိတ်အပိုင်းတွေက ဘာတွေလဲ။Ion Implant ၊လုပ်ဆောင်ချက်စက်ပစ္စည်း?

အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းကိရိယာတွင် အဓိကအစိတ်အပိုင်းအများအပြားပါဝင်သည်- အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်၊ လျှပ်စစ်အရှိန်မြှင့်စနစ်၊ လေဟာနယ်စနစ်၊ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာသောသံလိုက်၊ အလင်းတန်းလမ်းကြောင်း၊ အရှိန်လွန်စနစ်နှင့် စိုက်ထည့်သည့်အခန်း။ အိုင်းယွန်းအရင်းအမြစ်သည် အက်တမ်များမှ အီလက်ထရွန်များကို ဖယ်ထုတ်သောကြောင့် အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများအဖြစ်သို့ ထုတ်ယူကာ အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းတစ်ခုအဖြစ်သို့ ထုတ်ယူသည်။

ဤအလင်းတန်းသည် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု module တစ်ခုမှတဆင့်ဖြတ်သန်းသွားပြီး၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာပြုပြင်မွမ်းမံရန်အတွက် အလိုရှိသောအိုင်းယွန်းများကို သီးခြားခွဲထုတ်သည်။ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာပြီးနောက်၊ သန့်စင်မှုမြင့်သော အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းကို အာရုံစူးစိုက်ပြီး ပုံသဏ္ဍာန်ပြုကာ လိုအပ်သော စွမ်းအင်သို့ အရှိန်မြှင့်ကာ၊ တစ်ပြေးညီစကင်န်ဖတ်သည်။တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာ. စွမ်းအင်မြင့်မားသော အိုင်းယွန်းများသည် ပစ္စည်းအတွင်းသို့ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ကာ၊ အချို့သောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် အကျိုးပြုသည့် ချို့ယွင်းချက်များကို ဖန်တီးပေးနိုင်သည့် ချစ်ပ်များနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များပေါ်တွင် ခွဲထုတ်ခြင်းကဲ့သို့သော ချို့ယွင်းချက်များကို ဖန်တီးနိုင်သည်။ အခြားအပလီကေးရှင်းများအတွက်၊ ပျက်စီးယိုယွင်းမှုများကို ပြုပြင်ရန်နှင့် အစွန်းအထင်းများကို အသက်သွင်းရန်၊ ပစ္စည်းလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ရန်၊ annealing cycles ကို အသုံးပြုပါသည်။

Ion Implant ၊ation ၏အခြေခံမူကားအဘယ်နည်း။

Ion implantation သည် dopants များကို semiconductors အဖြစ် မိတ်ဆက်ပေးရန်အတွက် ပေါင်းစပ် circuit fabrication တွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပါဝင်သည်-

အိုင်းယွန်းသန့်စင်ခြင်း- မတူညီသော အီလက်ထရွန်နှင့် ပရိုတွန်နံပါတ်များသယ်ဆောင်သည့် အရင်းအမြစ်မှ ထုတ်ပေးသော အိုင်းယွန်းများသည် အပြုသဘော/အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သော အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းတစ်ခုအဖြစ် အရှိန်မြှင့်လာသည်။ အလိုရှိသော အိုင်းယွန်း သန့်စင်မှုကို ရရှိရန် အားသွင်းမှုအချိုးအပေါ် အခြေခံ၍ အညစ်အကြေးများကို စစ်ထုတ်ပါသည်။

အိုင်းယွန်းထိုးသွင်းခြင်း- အရှိန်မြှင့်ထားသော အိုင်းယွန်းအလင်းတန်းသည် ပစ်မှတ်ပုံဆောင်ခဲမျက်နှာပြင်ဆီသို့ တိကျသောထောင့်တစ်ခုမှ ညွှန်ပြပြီး ညီညီစွာ ဖြာထွက်နေပါသည်။wafer. မျက်နှာပြင်ကို ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ပြီးနောက်၊ အိုင်းယွန်းများ တိုက်မိပြီး ရာဇမတ်ကွက်အတွင်း ပြန့်ကျဲသွားကာ နောက်ဆုံးတွင် အချို့သော အနက်တွင် အခြေချကာ ပစ္စည်း၏ ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြုပြင်ပေးသည်။ Patterned doping သည် တိကျသော circuit ဧရိယာများ၏ လျှပ်စစ်ပြုပြင်မွမ်းမံမှုကို ခွင့်ပြုပေးသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုမျက်နှာဖုံးများကို အသုံးပြု၍ အောင်မြင်နိုင်သည်။

မျှော်လင့်ထားသည့် အတိမ်အနက် ဖြန့်ဖြူးမှုကို အလင်းတန်း၏ စွမ်းအင်၊ ထောင့်နှင့် wafer ၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။

အားသာချက်များနှင့် ကန့်သတ်ချက်များကား အဘယ်နည်းIon Implant ၊လုပ်ဆောင်ချက်?

အားသာချက်များ

Dopants ၏ကျယ်ပြန့်သောအကွာအဝေး- တိကျသောအိုင်းယွန်းရွေးချယ်မှုဖြင့် မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှုဖြင့် အလှည့်ကျဇယားမှဒြပ်စင်အားလုံးနီးပါးကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

တိကျသောထိန်းချုပ်မှု- အိုင်းယွန်းအလင်းတန်း၏ စွမ်းအင်နှင့် ထောင့်ကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး၊ တိကျသောအတိမ်အနက်နှင့် အာရုံစူးစိုက်မှုဖြန့်ဝေမှုကို ခွင့်ပြုနိုင်သည်။

ပျော့ပြောင်းနိုင်မှု- အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းခြင်းကို wafer ၏ပျော်ဝင်နိုင်မှု ကန့်သတ်ချက်ဖြင့် ကန့်သတ်မထားဘဲ၊ အခြားနည်းလမ်းများထက် ပိုမိုပြင်းအားကို ခွင့်ပြုပါသည်။

Uniform Doping- ဧရိယာကြီးမားသော ယူနီဖောင်း တားမြစ်ဆေးကို ရရှိနိုင်သည်။

အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု- စိုက်သွင်းစဉ်အတွင်း wafer ၏အပူချိန်ကို ထိန်းချုပ်နိုင်သည်။

ကန့်သတ်ချက်များ-

တိမ်အတိမ်အနက်- ပုံမှန်အားဖြင့် မျက်နှာပြင်မှ တစ်မိုက်ခရွန်ခန့်သာ ကန့်သတ်ထားသည်။

အလွန်တိမ်ကောသော အစားထိုးခြင်းတွင် ခက်ခဲမှုများ- စွမ်းအင်နည်းသော အလင်းတန်းများသည် ထိန်းချုပ်ရန် ခက်ခဲပြီး လုပ်ငန်းစဉ် အချိန်နှင့် ကုန်ကျစရိတ်ကို တိုးမြင့်စေသည်။

Lattice Damage- အိုင်းယွန်းများသည် ရာဇမတ်ကွက်များကို ပျက်စီးစေပြီး အစားထိုးထည့်သွင်းပြီးနောက် လိမ်းဆေးကို ပြုပြင်ရန်နှင့် အညစ်အကြေးများကို အသက်သွင်းရန် လိုအပ်သည်။

ကုန်ကျစရိတ်မြင့်မားခြင်း- စက်ကိရိယာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ကုန်ကျစရိတ်များသည် သိသာထင်ရှားပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် Semicorex တွင် အထူးပြုပါသည်။မူပိုင် CVD Coating ဖြင့် Graphite/Ceramicsion implantation တွင်ဖြေရှင်းချက်များ၊ သင့်တွင်စုံစမ်းမေးမြန်းမှုများရှိပါက သို့မဟုတ် နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များလိုအပ်ပါက၊ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ရန် တုံ့ဆိုင်းမနေပါနှင့်။

ဆက်သွယ်ရန်ဖုန်း: +86-13567891907

အီးမေးလ်- sales@semicorex.com