- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
စက်မှုသတင်း
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ၏ လုပ်ငန်းစဉ်သည် ရှုပ်ထွေးပြီး ထုတ်လုပ်ရန် ခက်ခဲသည်။ SiC substrate သည် စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်၏ အဓိကတန်ဖိုးကို သိမ်းပိုက်ထားပြီး 47% ရှိသည်။ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည် တိုးချဲ့ခြင်းနှင့် အနာဂတ်တွင် အထွက်နှုန်း တိုးတက်လာခြင်းတို့နှင့်အတူ 30 ရာခိုင်နှုန်းအထိ ကျဆင်းသွားဖွယ်ရှိသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Semiconductor လုပ်ငန်းတွင် Dry Etching Technology ကို နားလည်ခြင်း။
လက်ရှိတွင်၊ semiconductor စက်ပစ္စည်းအများအပြားသည် etching အမျိုးအစားနှစ်မျိုးဖြင့် အဓိကအားဖြင့် ဖန်တီးထားသည့် mesa device structures များကို အသုံးပြုကြသည်- စိုစွတ်သော etching နှင့် dry etching ဖြစ်သည်။ ရိုးရှင်းပြီး လျင်မြန်သော စိုစွတ်သော ထွင်းထုခြင်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အရ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Silicon Carbide Power Devices မိတ်ဆက်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ပါဝါကိရိယာများသည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ အပူချိန်မြင့်၊ ဗို့အားမြင့်နှင့် စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ သမားရိုးကျ ဆီလီကွန် (Si) အခြေခံ ပါဝါသုံး စက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ဆီလီကွန် ကာဗိုက်ပါဝါ ကိရိယာများသည် ကြိုးဝိ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
GaN ပြင်ဆင်မှုတွင် အခက်အခဲများ
တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် Gallium Nitride ကို Silicon Carbide နှင့် နှိုင်းယှဉ်လေ့ရှိသည်။ Gallium Nitride သည် ၎င်း၏ကြီးမားသော bandgap၊ မြင့်မားသောပြိုကွဲဗို့အား၊ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ပြည့်ဝသောအီလက်ထရွန်ပျံ့လွင့်မှုအလျင်နှင့် ပြင်းထန်သောရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်မှုတို့ဖြင့် ၎င်း၏သာလွန်......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
