Semiconductor စက်ပစ္စည်းအတွက် Gas Inlet Ring

Semicorex သည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ Silicon Carbide Coated Graphite Susceptor ၏ အကြီးစားထုတ်လုပ်သူနှင့် ပေးသွင်းသူဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများနှင့် epitaxy တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းကို အာရုံစိုက်ပါသည်။ Semiconductor စက်ပစ္စည်းအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ Gas Inlet Ring သည် စျေးနှုန်းကောင်းမွန်ပြီး ဥရောပနှင့် အမေရိကဈေးကွက်များစွာကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ရေရှည်လက်တွဲဖော်ဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ မျှော်လင့်ပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

Semicorex Gas Inlet Ring သည် Semiconductor Equipment အတွက် SiC Coated ဖြစ်ပြီး၊ ထူထပ်ပြီး ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အပေါ်ယံပိုင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် မြင့်မားသော သံချေးတက်ခြင်းနှင့် အပူခံနိုင်ရည်ရှိသော ဂုဏ်သတ္တိများအပြင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှုပါရှိသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဓာတုငွေ့ထုတ်ခြင်း (CVD) လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ ဂရပ်ဖိုက်ပေါ်သို့ SiC ကို ပါးပါးလွှာသောအလွှာတွင် လိမ်းသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းအတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ Gas Inlet Ring သည် အပူပရိုဖိုင်၏ညီညွှတ်မှုကိုသေချာစေရန် အကောင်းဆုံး laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံကိုရရှိစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် wafer ချစ်ပ်ပေါ်တွင် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုကို သေချာစေရန် ညစ်ညမ်းမှု သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ ပျံ့နှံ့မှုကို တားဆီးရန် ကူညီပေးသည်။

Semiconductor Equipment အတွက် Gas Inlet Ring အကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

Semiconductor စက်ပစ္စည်းအတွက် Gas Inlet Ring ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications
SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ
အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ	FCC β အဆင့်
သိပ်သည်းမှု	g/cm ³	3.21
မာကျောခြင်း။	Vickers မာကျောမှု	2500
စပါးအရွယ်အစား	µm	၂~၁၀
ဓာတုသန့်စင်မှု	%	99.99995
အပူစွမ်းရည်	J kg-1 K-1	640
Sublimation အပူချိန်	℃	2700
Felexural Strength	MPa (RT 4 မှတ်)	415
Young's Modulus	Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃)	430
အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E)	10-6K-1	4.5
အပူစီးကူးမှု	(W/mK)	300