တစ်ခုတည်းသော crystal Silicon Epi လက်ခံကိရိယာ

epitaxial ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင် ခံနိုင်ရည်ရှိသူများသည် မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပြင်းထန်သော ဓာတုသန့်စင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန် လိုအပ်ပါသည်။ Single-crystal Silicon Epi Susceptor သည် epitaxy စက်ကိရိယာများ အသုံးပြုမှုတွင် ကြုံတွေ့နေရသည့် ဤအတိအကျတောင်းဆိုချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရန်အတွက် စေ့စပ်သေချာစွာ အင်ဂျင်နီယာချုပ်ထားပါသည်။

ဤ susceptors များသည် high-purity silicon carbide (SiC) coated graphite ပါ၀င်သော ဆောက်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းဖြစ်ပြီး အပူဒဏ်ကို တုနှိုင်းမဲ့ခံနိုင်ရည်ရှိစေကာ တသမတ်တည်း epitaxy အလွှာအထူနှင့် ခံနိုင်ရည်အတွက် တူညီသောအပူဖြန့်ဖြူးမှုကို သေချာစေသည်။

ထို့အပြင်၊ Single-crystal Silicon Epi Susceptor သည် ပြင်းထန်သော ဓာတုဗေဒပစ္စည်းများကို ဆန့်ကျင်သည့် သိသိသာသာ ကြာရှည်ခံမှုကို ပြသသည်။ ကောင်းမွန်သော SiC crystal coating ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် ထိရောက်သောကိုင်တွယ်မှုအတွက် အရေးအကြီးဆုံးဖြစ်သည့် ပွန်းပဲ့ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်ကို ပိုမိုရရှိစေပြီး၊ မသမ်းသော wafers များသည် ၎င်းတို့၏မျက်နှာပြင်ဧရိယာတစ်ခုလုံးရှိ အမှတ်များစွာကိုဖြတ်၍ susceptor နှင့် ထိတွေ့မိသောကြောင့်ဖြစ်သည်။

Single-crystal Silicon Epi Susceptor ကို အသုံးပြုခြင်းသည် မယိမ်းယိုင်သော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် သက်တမ်းရှည်မှုကို သေချာစေပြီး၊ မကြာခဏ အစားထိုးမှုများ ပြုလုပ်ရန် လိုအပ်မှုကို လျော့ပါးစေပြီး စက်ရပ်ချိန်နှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။ ၎င်း၏ ခိုင်ခံ့သော တည်ဆောက်မှုနှင့် ထူးခြားသော လည်ပတ်နိုင်မှုစွမ်းရည်များသည် လုပ်ငန်းစဉ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြင့်မားလာစေပြီး နောက်ဆုံးတွင် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းနယ်ပယ်အတွင်း ကုန်ထုတ်စွမ်းအားနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုကို အားကောင်းစေသည်။