Epitaxial Single-crystal Si Plate

Epitaxial Single-crystal Si Plate ၏ အဓိက အရည်အချင်းမှာ ၎င်း၏ သာလွန်သိပ်သည်းဆတွင် တည်ရှိသည်။ ဂရပ်ဖိုက်အလွှာ၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာနှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်းသည် အပူချိန်မြင့်ပြီး အဆိပ်သင့်သောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ကြုံတွေ့ရသည့် ပြင်းထန်သောအခြေအနေများကို အကာအကွယ်ပေးနိုင်သည့် ပြည့်စုံသောသိပ်သည်းဆကို ထုတ်ပေးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ Silicon carbide-coated susceptor သည် တစ်ခုတည်းသော crystals များပေါင်းစပ်မှုအတွက် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်ပြီး၊ အရည်အသွေးမှာ ကင်းစင်သော wafers များကို စဉ်ဆက်မပြတ် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အရေးပါသော ထူးခြားသော မျက်နှာပြင်ပရိုဖိုင်ကို ပိုင်ဆိုင်ထားသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်၏ဒီဇိုင်းအတွက် တူညီသောအချက်မှာ ဂရပ်ဖိုက်အူတိုင်နှင့် ၎င်း၏ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အကာများကြားတွင် အပူချဲ့ထွင်မှုကွဲလွဲမှုများကို လျော့ပါးသက်သာစေခြင်းဖြစ်သည်။ ထိုသို့သော ဆန်းသစ်တီထွင်မှုသည် ကော်၏ ကြံ့ခိုင်မှုကို သိသိသာသာ တိုးလာစေပြီး ကွဲအက်ခြင်းနှင့် အလွှာလိုက်ခြင်း၏ ဖြစ်စဉ်များကို ရှောင်လွှဲနိုင်သည်။ ၎င်းနှင့်ထပ်တူပြု၍ Epitaxial Single-crystal Si Plate သည် ထုတ်လုပ်မှုစက်ဝန်းအတွင်း တူညီသောအပူခွဲဝေမှုအတွက် ချီးမွမ်းဖွယ်ကောင်းသော ဉာဉ်ဖြင့်တွဲဖက်ထားသည့် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုကိုပြသသည်။

ထို့အပြင်၊ Epitaxial Single-crystal Si Plate သည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် oxidative နှင့် corrosive degradation တို့အား ချီးမွမ်းထိုက်သော ခံနိုင်ရည်ရှိမှုကို သရုပ်ပြပြီး ၎င်း၏ သက်တမ်းနှင့် မှီခိုအားထားနိုင်မှုကို မြင့်မားစေသည်။ အပူခံနိုင်ရည်အတွက် ၎င်း၏အဆင့်သတ်မှတ်ချက်ကို သိသာထင်ရှားသော အရည်ပျော်မှတ်ဖြင့် အလေးပေးထားပြီး၊ ထို့ကြောင့် ကျွမ်းကျင်သော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် ပင်ကိုယ်လိုအပ်ချက် တောင်းဆိုနေသော အပူ milieu ကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် ၎င်း၏စွမ်းရည်ကို အာမခံပါသည်။