ထုတ်ကုန်များ
Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor
  • Monocrystalline Silicon Epitaxial SusceptorMonocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor
  • Monocrystalline Silicon Epitaxial SusceptorMonocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor

Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor

ဂရပ်ဖိုက် epitaxy နှင့် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွက် ပြီးပြည့်စုံသော Semicorex သည် အလွန်သန့်စင်သော Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor သည် ညစ်ညမ်းမှုအနည်းဆုံးဖြစ်ကြောင်း သေချာစေပြီး အလွန်ကြာရှည်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် ကောင်းမွန်သောစျေးနှုန်းအားသာချက်ရှိပြီး ဥရောပနှင့် အမေရိကန်စျေးကွက်များစွာကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ တရုတ်နိုင်ငံတွင် သင်၏ရေရှည်လက်တွဲဖော်ဖြစ်လာရန် ကျွန်ုပ်တို့ မျှော်လင့်ပါသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

Semicorex Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor သည် မြင့်မားသော သန့်စင်သော SiC ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသော ဂရပ်ဖိုက် ထုတ်ကုန်ဖြစ်ပြီး အပူနှင့် ချေးခံနိုင်ရည် မြင့်မားသည်။ CVD ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ဖုံးအုပ်ထားသော သယ်ဆောင်သူသည် အပူလျှပ်ကူးနိုင်မှု မြင့်မားပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဖြန့်ဖြူးဂုဏ်သတ္တိရှိသည့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ wafers များပေါ်တွင် epitaxial အလွှာကို ဖွဲ့စည်းသည့် လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အသုံးပြုသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor သည် အပူပရိုဖိုင်၏ ညီညာမှုကို အာမခံပြီး အကောင်းဆုံး laminar ဓာတ်ငွေ့စီးဆင်းမှုပုံစံကို ရရှိစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ ၎င်းသည် wafer ချစ်ပ်ပေါ်တွင် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုကို သေချာစေရန် ညစ်ညမ်းမှု သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ ပျံ့နှံ့မှုကို တားဆီးရန် ကူညီပေးသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor အကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ယနေ့ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။


Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor ၏ ကန့်သတ်ချက်များ

CVD-SIC Coating ၏ အဓိက Specifications

SiC-CVD ဂုဏ်သတ္တိများ

အရည်ကြည်ဖွဲ့စည်းပုံ

FCC β အဆင့်

သိပ်သည်းမှု

g/cm ³

3.21

မာကျောခြင်း။

Vickers မာကျောမှု

2500

စပါးအရွယ်အစား

µm

၂~၁၀

ဓာတုသန့်စင်မှု

%

99.99995

Heat Capacity ၊

J kg-1 K-1

640

Sublimation အပူချိန်

2700

Felexural Strength

MPa (RT 4 မှတ်)

415

Young's Modulus

Gpa (4pt ကွေး၊ 1300 ℃)

430

အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း (C.T.E)

10-6K-1

4.5

အပူစီးကူးမှု

(W/mK)

300


Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor ၏အင်္ဂါရပ်များ

- ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာနှစ်ခုစလုံးသည် ကောင်းမွန်သောသိပ်သည်းဆရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် အဆိပ်သင့်သောလုပ်ငန်းခွင်များတွင် ကောင်းမွန်သောအကာအကွယ်အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နိုင်သည်။
- Silicon carbide coated susceptor သည် တစ်ခုတည်းသော crystal growth အတွက် အသုံးပြုသော မျက်နှာပြင် ပြားချပ်ချပ် အလွန်မြင့်မားသည်။
- ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကြားရှိ အပူချဲ့ကိန်း၏ ခြားနားချက်ကို လျှော့ချပါ၊ ကွဲအက်ခြင်းနှင့် ကွဲအက်ခြင်းများကို ကာကွယ်ရန် ပေါင်းစပ်ခိုင်ခံ့မှုကို ထိရောက်စွာ တိုးတက်စေသည်။
- ဂရပ်ဖိုက်အလွှာနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ နှစ်ခုစလုံးသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဖြန့်ဖြူးဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။
- မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်၊ မြင့်မားသော အပူချိန် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှု၊ ချေးခုခံမှု။




Hot Tags: Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor၊ တရုတ်၊ ထုတ်လုပ်သူများ၊ ပေးသွင်းသူများ၊ စက်ရုံ၊ စိတ်ကြိုက်၊ အစုလိုက်၊ အဆင့်မြင့်၊ တာရှည်ခံ
ဆက်စပ်အမျိုးအစား
စုံစမ်းမေးမြန်းရန်ပေးပို့ပါ။
ကျေးဇူးပြု၍ အောက်ပါပုံစံဖြင့် သင်၏စုံစမ်းမေးမြန်းမှုကို အခမဲ့ပေးပါ။ 24 နာရီအတွင်း သင့်အား အကြောင်းပြန်ပါမည်။
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept