Sic အစွန်းလက်စွပ်

Sememorex Sic Edge လက်စွပ် (CVD) silicon carbide (CVD) silicon carbide (SIC) Sicicon Carbide (SIC) ၏အရေးပါသောရှုထောင့်ကိုကိုယ်စားပြုသည်။ Plasma etching process စဉ်အတွင်း Extrostatic Chuck (Esc) ၏အပြင်ဘက်အစွန်းတွင်တည်ရှိသည်။

Semiconductor Integrated circuit (IC) ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင်ပလာစမာ၏ယူနီဖောင်းဖြန့်ဖြူးခြင်းသည်အလွန်အရေးကြီးသည်။ Sic Edge Rain သည် Plasma ၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှစ်ခုစလုံးကို 0 င်ရောက်ယှဉ်ပြိုင်ခြင်းမရှိဘဲပေါင်နယ်နိမိတ်အတွင်းဆန့်ကျင်သောဆော့ဖ်အရင်းကိုတည်ငြိမ်စေစဉ်ပလာဗက်စ်၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတွင်ပါ 0 င်ရန်အရေးကြီးသည်။

ဒီပလာစမာ actlaming လုပ်ငန်းစဉ်ကို Wafers များပေါ်တွင်ပြုလုပ်နေစဉ်ကွတ်များသည်စွမ်းအင်အိုင်းယွန်းများမှဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်မှုနှင့်ထိတွေ့မှုနှင့်ထိတွေ့မှုနှင့်ထိတွေ့မှုနှင့်ထိတွေ့မှုနှင့်အတူတုန့်ပြန်ဓာတ်ငွေ့များကိုသွေးသွင်းနိုင်သည့်ဓာတ်ငွေ့များဖြင့်ပါ 0 င်သည်။ ဤအခြေအနေများသည်မှန်ကန်စွာမနိုင်ပါကရှုပ်ထွေးသောနှင့် wafer အစွန်းအရည်အသွေးကိုဆိုးကျိုးသက်ရောက်နိုင်သည့်မြင့်မားသောစွမ်းအင်သိပ်သည်းဆလုပ်ငန်းစဉ်များကိုဖန်တီးနိုင်သည်။ အစွန်းလက်စွပ်ကို Wafer ပြုပြင်ထုတ်လုပ်မှု၏အခြေအနေနှင့်အတူပူးပေါင်းနိုင်ပြီးလျှပ်စစ်ထုတ်လွှင့်ပလာစမာ၏မီးလောင်မှုအနေဖြင့်စုပ်စက်များပေါ်ပေါက်လာသောမီးလက်စွပ်ကိုစုပ်ယူပြီးလျှပ်စစ်လယ်ကွင်းရှိစွမ်းအင်ကိုစုပ်ယူပြီးမီးစက်မှ ESC အထိထိရောက်သောထိရောက်မှုကိုဖြန့်ဝေပေးလိမ့်မည်။ ဤတည်ငြိမ်မှုကိုနည်းအမျိုးမျိုးဖြင့်အသုံးပြုသည်။ Plasma ယိုစိမ့်မှုပမာဏကိုလျှော့ချခြင်းနှင့်စုပ်စက်နယ်နိမိတ်အစွန်းအနီးရှိပုံပျက်မှုပမာဏကိုလျှော့ချခြင်းအပါအ 0 င်နည်းအမျိုးမျိုးဖြင့်အသုံးပြုသည်။

မျှတသောပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်ကိုမြှင့်တင်ခြင်းအားဖြင့် Sic Eduction လက်စွပ်သည် micro-loading effect များကိုလျှော့ချရန်, ၎င်းသည်ပိုမိုမြင့်မားသောလုပ်ငန်းစဉ်ကိုထပ်ခါတလဲလဲလုပ်နိုင်မှုကိုပိုမိုမြန်ဆန်စေနိုင်သည်။

ရပ်တန့်သွားခြင်းကိုတစ် ဦး နှင့်တစ် ဦး ချိတ်ဆက်ထားပြီး, ဥပမာအားဖြင့်လျှပ်စစ်ရပ်တည်မှုသည်အိမ်မှ shapehology ၏ပုံပျက်ခြင်းကိုပုံပျက်စေပြီးအဖြစ်အပျက်များကိုပြောင်းလဲစေခြင်းငှါပုံဖော်ခြင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ အပူချိန်အကွက်သည်ဓာတုဓာတ်ပြုမှုနှုန်းကိုအကျိုးသက်ရောက်စေနိုင်သည်, အစွန်း etching နှုန်းကိုဗဟို area ရိယာမှသွေဖည်သွားစေနိုင်သည်။ အထက်ပါစိန်ခေါ်မှုများကိုတုံ့ပြန်ခြင်းသည်များသောအားဖြင့်တိုးတက်မှုများကိုများသောအားဖြင့်ရှုထောင့်နှစ်ခုဖြင့်ပြုလုပ်လေ့ရှိသည်။

အာရုံစိုက်သည့်လက်စွပ်သည် Wafer Edge abeting ၏တူညီမှုကိုတိုးတက်စေရန်အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်ပလာစမာဖြန့်ဖြူးရေး area ရိယာကိုချဲ့ထွင်ရန်နှင့် Shake Morphyology ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန် Wafer ၏အစွန်းအစွန်းတွင်တပ်ဆင်ထားသည်။ အာရုံစူးစိုက်မှု၏မရှိခြင်း၌ Wafer Edge နှင့်လျှပ်ကူးပစ္စည်းအကြားအမြင့်ခြားနားချက်သည်အိမ်တော်ကိုကွေးစေလွှတ်။ မယူနီဖောင်းမဟုတ်သောထောင့်တွင် onling area ရိယာသို့ 0 င်ရောက်ခြင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။

အာရုံဆိုင်၏လုပ်ဆောင်ချက်များကိုပါဝင်သည်:

• Wafer Edge နှင့် Electrope တို့အကြားအမြင့်ခြားနားချက်ကိုဖြည့်စွက်ခြင်း, အိုင်းယွန်းများသည်အိုင်းရစ်သံကိုဖြည့်ဆည်းပေးပြီးအိုင်းယွန်းများသည် wafer မျက်နှာပြင်ကိုဒေါင်လိုက်ထိုးခြင်းနှင့်ပုံပျက်မှုကိုရှောင်ရှားရန်သေချာစေသည်။

•စည်းလုံးညီညွတ်မှုကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ခြင်းနှင့်အလွန်အကျွံအစွန်း etching သို့မဟုတ်စောင်း actloting profile အဖြစ်ပြ problems နာများကိုလျှော့ချပါ။

ပစ္စည်းအားသာချက်များ

CVD SIC အသုံးပြုမှုကိုအခြေခံပစ္စည်းသည်ရိုးရာကြွေထည်သို့မဟုတ် coated ပစ္စည်းများအပေါ်အားသာချက်များစွာကိုပေးသည်။ CVD SIC သည်ဓာတုဗေဒအရ inert, အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့်အလွန်အမင်းတည်ငြိမ်မှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့်ကလိုရင်းအခြေစိုက်သမားများနှင့်ကလိုရင်းအခြေစိုက်ဓာတုပစ္စည်းများ၌ပင်ပလာစမာတိုက်စားမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာစွမ်းအားနှင့်ရှုထောင့်များတည်ငြိမ်မှုသည် 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည်အပူချိန်မြင့်မားသောစက်ဘီးစီးသည့်အခြေအနေများအောက်တွင်အမှုန်သက်တောင့်သက်သာရှိစေရန်သေချာစေသည်။

ထို့အပြင် CVD SIC SIC ၏ Ultra-cerructructs သည်ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်ကိုလျော့နည်းစေသည်။ SASS ESC ပလက်ဖောင်းများနှင့်ဗဟိုပလက်ဖောင်းများနှင့်သဟဇာတဖြစ်သောသဟဇာတဖြစ်သော ercber chamber Geometries သည်အဆင့်မြင့် 200 မီလီမီတာနှင့် 300mm abeting tools များနှင့်အတူချောမွေ့စွာပေါင်းစည်းမှုကိုခွင့်ပြုသည်။