wafer ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင်၊ တစ်ခုသည်အလွှာ၏ပြင်ဆင်မှုဖြစ်ပြီးနောက်တစ်ခုသည် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ကိုအကောင်အထည်ဖော်ခြင်းဖြစ်သည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်မျိုးတည်းဖြင့် ဂရုတစိုက်ပြုလုပ်ထားသည့် wafer သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အခြေခံအဖြစ် wafer ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် တိုက်ရိ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ပစ္စည်းသည် အချို့သော semiconductor လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုရှိသော အစိုင်အခဲပစ္စည်းဖြစ်ပြီး၊ နောက်ဆက်တွဲပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွက် အောက်စထရိအား ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ၎င်းသည် ဆီလီကွန်အခြေခံ ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များအတွက် အဓိကပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ကမ္ဘာပေါ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများအတွက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အလွန်နှစ်သက်သဘောကျသည်။ သို့သော်လည်း SiC ၏ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် ကြွပ်ဆတ်မှုသည် ၎င်း၏လုပ်ဆောင်မှုအတွက် စိန်ခေါ်မှုများစွာကို ဖြစ်စေသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာသည် ဒြပ်စင်နှစ်ခုဖြစ်သော ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်တို့ပါဝင်သော ဒြပ်စင်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင် ကြီးမားသော bandgap၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု၊ မြင့်မားသော အရေးပါသော ပြိုကွဲမှုနယ်ပယ် ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် အီလက်ထရွန် ရွှဲပျံမှုနှုန်း မြင့်မားသော လက္ခဏာများ ပါဝင်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်အတွင်း၊ အခြေခံပစ္စည်းရောင်းချသူများသည် အဓိကအားဖြင့် တန်ဖိုးဖြန့်ဖြူးမှုကြောင့် သိသာထင်ရှားသော သြဇာအာဏာကို ကိုင်စွဲထားသည်။ SiC အလွှာသည် စုစုပေါင်းတန်ဖိုး၏ 47% ရှိပြီး၊ နောက်တွင် epitaxial အလွှာများ 23% ဖြင့် စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်းနှင့် ထုတ်လုပ်မှုသည် ကျန် 30% ဖ......
ပိုပြီးဖတ်ပါSiC MOSFET များသည် မြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆ၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ချို့ယွင်းမှုနှုန်း နိမ့်ကျမှုတို့ကို ပေးဆောင်သည့် ထရန်စစ္စတာများဖြစ်သည်။ SiC MOSFET ၏ဤအားသာချက်များသည် တာရှည်မောင်းနှင်နိုင်သည့်အကွာအဝေး၊ ပိုမိုမြန်ဆန်စွာအားသွင်းခြင်းနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ