Silicon Carbide ဆိုတာ ဘာလဲ။

အမည်တွင်ဖော်ပြထားသည့်အတိုင်း ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် Si နှင့် C တို့ပေါင်းစပ်ထားသော ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖြစ်သည့် အရေးကြီးသောတတိယမျိုးဆက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ဤဒြပ်စင်နှစ်ခု၏ပေါင်းစပ်မှုသည် ခိုင်ခံ့သော tetrahedral ဖွဲ့စည်းပုံကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး ၎င်းအား အားသာချက်များစွာနှင့် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်အလားအလာများ အထူးသဖြင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် စွမ်းအင်သစ်နယ်ပယ်များတွင်ဖြစ်သည်။

ဟုတ်ပါတယ်၊ SiC ပစ္စည်းသည် Si atom တစ်ခုနှင့် C atom တစ်ခု၏ tetrahedron တစ်ခုတည်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားခြင်းမဟုတ်ဘဲ မရေမတွက်နိုင်သော Si နှင့် C အက်တမ်များဖြစ်သည်။ Si နှင့် C အက်တမ် အများအပြားသည် အက်တမ်နှစ်ထပ်အလွှာများ (C အက်တမ်တစ်လွှာနှင့် Si အက်တမ်များ၏ အလွှာတစ်ခု) နှင့် အက်တမ်နှစ်ထပ်အလွှာပေါင်းမြောက်မြားစွာသည် SiC ပုံဆောင်ခဲများအဖြစ် စုပုံလာကြသည်။ Si-C နှစ်ထပ် အက်တမ်အလွှာများ စုပုံခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အချိန်အခါအလိုက် ပြောင်းလဲမှုများ ဖြစ်ပေါ်ခြင်းကြောင့်၊ လက်ရှိတွင် ကွဲပြားသော အစီအစဥ်များဖြင့် ကွဲပြားသော ပုံဆောင်ခဲများ 200 ကျော် ရှိပါသည်။ လက်ရှိတွင် လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် အသုံးအများဆုံး ပုံဆောင်ခဲပုံစံများမှာ 3C-SiC၊ 4H-SiC နှင့် 6H-SiC တို့ဖြစ်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများ၏ အားသာချက်များ

(၁) Mechanical Properties များ၊

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲများသည် အလွန်မာကျောပြီး ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ပြီး စိန်ပြီးနောက် ဒုတိယအပြင်းထန်ဆုံးသောပုံဆောင်ခဲအဖြစ် တွေ့ရှိရပါသည်။ ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့်၊ အမှုန့်ကြိတ်ထားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်များကို ဖြတ်တောက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပွတ်တိုက်ခြင်းလုပ်ငန်းတွင် မကြာခဏ အသုံးပြုလေ့ရှိပြီး အချို့သော အလုပ်ခွင်များတွင် ဝတ်ဆင်နိုင်သော ခံနိုင်ရည်ရှိသော အပေါ်ယံလွှာများကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများကို အသုံးပြုသည်—ဥပမာ၊ Shandong စစ်သင်္ဘော၏ ကုန်းပတ်ပေါ်ရှိ ခံနိုင်ရည်ရှိသော အလွှာကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။

(၂) အပူဓာတ်

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏အပူစီးကူးမှုသည် သမားရိုးကျတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ Si ထက် ၃ ဆနှင့် GaA ၏ ၈ ဆဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော စက်ပစ္စည်းများသည် ထုတ်ပေးသော အပူကို လျင်မြန်စွာ ပြေပျောက်စေနိုင်သောကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကိရိယာများသည် အပူငွေ့ပျံ့သည့် အခြေအနေများတွင် လိုအပ်ချက်များစွာ လျော့ရဲပြီး ပါဝါမြင့်သော စက်များကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ပိုမိုသင့်လျော်ပါသည်။ ဆီလီကွန် ကာဗိုက်သည်လည်း တည်ငြိမ်သော သာမာန် ဖိအားအောက်တွင် အရည်ပျော်ခြင်းမရှိဘဲ မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် Si နှင့် C အငွေ့သို့ တိုက်ရိုက် ပြိုကွဲသွားပါသည်။

(၃) ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် တည်ငြိမ်သောဓာတုဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော သံချေးတက်ခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ၎င်းသည် အခန်းအပူချိန်တွင် လူသိများသော အက်ဆစ်နှင့် မတုံ့ပြန်ပါ။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို လေထဲတွင် အချိန်အကြာကြီး ထားသောအခါ၊ သိပ်သည်းသော SiO2 ပါးလွှာသော အလွှာသည် ၎င်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖြည်းညှင်းစွာ ဖြစ်ပေါ်လာပြီး နောက်ထပ် ဓာတ်တိုးတုံ့ပြန်မှုများကို တားဆီးပေးပါသည်။

(၄) လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ

wide-bandgap semiconductors များ၏ ကိုယ်စားလှယ်ပစ္စည်းအနေဖြင့်၊ 6H-SiC နှင့် 4H-SiC တို့၏ bandgap width သည် 3.0 eV နှင့် 3.2 eV အသီးသီးဖြစ်ပြီး Si ၏ 3 ဆနှင့် GaA ၏ 2 ဆဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများသည် သေးငယ်သော ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် ပိုမိုကြီးမားသော ပြိုကွဲပျက်စီးနေသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်းများပါရှိသောကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ပါဝါမြင့်သည့်စက်ပစ္စည်းများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုအဖြစ် ယူဆပါသည်။ silicon carbide ၏ ပြည့်ဝအီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှုသည် Si ထက် 2 ဆ မြင့်မားသောကြောင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် စက်များကို ထုတ်လုပ်ရာတွင် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်များကို ပေးစွမ်းသည်။

(၅) Optical Properties များ

၎င်း၏ကျယ်ပြန့်သော bandgap ကြောင့်၊ undopeded silicon carbide crystals များသည် အရောင်ကင်းပြီး ပွင့်လင်းသည်။ Doped silicon carbide crystals များသည် ၎င်းတို့၏ ဂုဏ်သတ္တိများ ကွဲပြားမှုကြောင့် ကွဲပြားသော အရောင်များကို ပြသသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ N ဖြင့်ဆေးသောက်ပြီးနောက်၊ 6H-SiC သည် အစိမ်းပြသည်၊ 4H-SiC သည် အညိုရောင်ပေါ်လာပြီး 15R-SiC သည် အဝါရောင်ပေါ်နေပါသည်။ Al နှင့် doping သည် 4H-SiC သည် အပြာရောင်ဖြစ်လာစေသည်။ polytype ကိုဆုံးဖြတ်ရန်အရောင်ကိုလေ့လာခြင်းသည် silicon carbide polytypes ကိုခွဲခြားရန်အလိုလိုသိသောနည်းလမ်းဖြစ်သည်။

Semicorex ကမ်းလှမ်းချက်များဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာအမျိုးမျိုးသောအရွယ်အစားနှင့်အဆင့်များတွင်။ မည်သည့်မေးခွန်းများ သို့မဟုတ် နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များအတွက်မဆို ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

Tel: +86-13567891907

အီးမေးလ်- sales@semicorex.com