လက်ရှိတတိယမျိုးဆက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် Silicon Carbide ကိုအခြေခံထားပြီး၊ စက်ကုန်ကျစရိတ်၏ 47% နှင့် epitaxy သည် 23% ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် စုစုပေါင်း 70% ရှိပြီး SiC စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုစက်မှုလုပ်ငန်း၏အရေးကြီးဆုံးအစိတ်အပိုင်းအဖြစ်ဖွဲ့စည်းထားသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များသည် အပူချိန်မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှု၊ နိမ့်သောအပူတိုးချဲ့ဖော်ကိန်း၊ ဆုံးရှုံးမှုနှင့် ပျက်စီးမှုအဆင့်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအား၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ ကောင်းသောအပူစီးကူးမှုနှင့် သေးငယ်သော dielectric ကိန်းသေများအပါအဝင် များစွာသောအားသာချက်များကို ပေးစွမ်းသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများသည် SiC ကြွေထည်......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ၏သမိုင်းကြောင်းသည် စိန်အတုများကို ပေါင်းစပ်ဖန်တီးရန် ကြိုးစားစဉ် Edward Goodrich Acheson က ၎င်းကို မတော်တဆရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့သည့် 1891 ခုနှစ်မှ စတင်ခဲ့ခြင်းဖြစ်သည်။ Acheson သည် လျှပ်စစ်မီးဖိုတွင် ရွှံ့စေး (အလူမီနိုဆီလီကိတ်) နှင့် အမှုန့် (ကာဗွန်) တို့ကို အပူပေးသည်။ မျှော်လင့်ထားသည......
ပိုပြီးဖတ်ပါသလင်းကျောက်ကြီးထွားမှုသည် Silicon Carbide အလွှာများထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် core link ဖြစ်ပြီး core equipment သည် crystal growth furace ဖြစ်သည်။ ရိုးရာပုံဆောင်ခဲများဖြစ်သော ဆီလီကွန်အဆင့် ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှု မီးဖိုများနှင့် အလားတူ၊ မီးဖိုဖွဲ့စည်းပုံသည် အလွန်ရှုပ်ထွေးခြင်းမရှိပါ၊ အဓိကအားဖြင့် မီးဖိုက......
ပိုပြီးဖတ်ပါGallium Nitride (GaN) နှင့် Silicon Carbide (SiC) ကဲ့သို့သော တတိယမျိုးဆက် ကျယ်ပြန့်သော bandgap တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပစ္စည်းများသည် ၎င်းတို့၏ ထူးခြားသော optoelectronic ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် အချက်ပြထုတ်လွှင့်ခြင်းစွမ်းရည်များကြောင့် ကျော်ကြားသည်။ ဤပစ္စည်းများသည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော၊ အ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက်လှေ၏အတိုကောက်ဖြစ်သော SiC လှေသည် အပူချိန်မြင့်မားသောလုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း wafers များသယ်ဆောင်ရန် မီးဖိုပြွန်များတွင်အသုံးပြုသော အပူချိန်မြင့်မားသောဆက်စပ်ပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ဓာတုတိုက်စားမှုနှင့် လွန်ကဲသောအပူတည်ငြိမ်မှုစသည့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများကြော......
ပိုပြီးဖတ်ပါ