Semicorex ၏ SiC ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှု မီးဖိုအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည့် porous graphite barrel သည် အဓိက အကျိုးကျေးဇူး သုံးခုကို ဆောင်ကြဉ်းပေးမည်ဖြစ်ပြီး ပြည်တွင်း SiC အလွှာများ၏ ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို ထိရောက်စွာ အားကောင်းစေနိုင်သည်-
ပိုပြီးဖတ်ပါမကြာသေးမီက၊ ကျွန်ုပ်တို့ ကုမ္ပဏီသည် ကုမ္ပဏီသည် သွန်းလုပ်နည်းကို အသုံးပြု၍ 6 လက်မ Gallium Oxide တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ပြီး 6 လက်မ Gallium Oxide တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာပြင်ဆင်မှုနည်းပညာကို ကျွမ်းကျင်သည့် ပထမဆုံးပြည်တွင်းစက်မှုလုပ်ငန်းကုမ္ပဏီဖြစ်လာကြောင်း ကြေညာခဲ့သည......
ပိုပြီးဖတ်ပါmonocrystalline silicon ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်သည် အပူစက်ကွင်းအတွင်းတွင် အများစုဖြစ်ပြီး၊ အပူပတ်ဝန်းကျင်၏ အရည်အသွေးသည် crystal quality နှင့် ကြီးထွားမှုထိရောက်မှုကို သိသိသာသာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။ အပူစက်ကွင်း၏ ဒီဇိုင်းသည် မီးဖိုခန်းအတွင်းရှိ အပူချိန် gradients နှင့် gas flow dynamics များကိုပုံဖော်ရာတွင် အဓ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် စိန်နှင့် ကုဗဘိုရွန်နိုက်ထရိတ်ကဲ့သို့သော အခြားမာကျောသောပစ္စည်းများနှင့် ဆင်တူသော မြင့်မားသောနှောင်ကြိုးစွမ်းအင်ကို ပိုင်ဆိုင်သည့်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ SiC ၏မြင့်မားသောနှောင်ကြိုးစွမ်းအင်သည် ရိုးရာအရည်ပျော်နည်းများမှတစ်ဆင့် သတ္တုတွင်းထဲသို့ တိုက်ရိုက်ပုံဆောင်ခဲပုံဆောင်ရန......
ပိုပြီးဖတ်ပါSemiconductor ပစ္စည်းများကို အချိန်အတိုင်းအတာအရ မျိုးဆက်သုံးဆက်ခွဲနိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြု၍ အဆင်ပြေသော ကူးပြောင်းခြင်းဖြင့် သွင်ပြင်လက္ခဏာရှိသော ဂျာမနီယမ်၊ ဆီလီကွန်နှင့် အခြားဘုံ monomaterials များ၏ ပထမမျိုးဆက်။ ဂယ်လီယမ် အာဆင်းနိုက်၊ အင်ဒီယမ် ဖော့စဖိုက် နှင့် အခြား ဒ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ