Epitaxial နှင့် Diffused Wafers ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း

epitaxial နှင့် diffused wafer နှစ်ခုစလုံးသည် semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောပစ္စည်းများဖြစ်ကြသော်လည်း ၎င်းတို့၏ထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် ပစ်မှတ်အသုံးပြုမှုတွင် သိသိသာသာကွာခြားပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် ဤ wafer အမျိုးအစားများအကြား အဓိက ကွဲပြားချက်များကို ဖော်ထုတ်ထားသည်။

1. Fabrication Process-

Epitaxial wafersတစ်ခုတည်းသော crystal silicon အလွှာပေါ်တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အလွှာတစ်ခု သို့မဟုတ် တစ်ခုထက်ပိုသော အလွှာများ ကြီးထွားခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သည်။ ဤကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ယေဘုယျအားဖြင့် ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း (CVD) သို့မဟုတ် မော်လီကျူးအလင်းတန်း epitaxy (MBE) နည်းပညာများကို အသုံးပြုသည်။ အလိုရှိသောလျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများရရှိရန် epitaxial အလွှာအား သီးခြားဆေးအမျိုးအစားများနှင့် ပြင်းအားများဖြင့် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သည်။

အခြားတစ်ဖက်တွင်မူ ပျံ့နှံ့နေသော ဝေဖာများကို ဆီလီကွန်အလွှာထဲသို့ အစွန်းအထင်းအက်တမ်များ ထည့်သွင်းခြင်းဖြင့် ဖန်တီးထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပုံမှန်အားဖြင့် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဖြစ်ပေါ်လေ့ရှိပြီး အညစ်အကြေးများကို ဆီလီကွန် ရာဇမတ်ကွက်အတွင်းသို့ ပျံ့နှံ့သွားစေပါသည်။ diffused wafers ရှိ dopant အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့် အတိမ်အနက်ပရိုဖိုင်ကို ပျံ့နှံ့ချိန်နှင့် အပူချိန်ကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် ထိန်းချုပ်ထားသည်။

2. လျှောက်လွှာများ-

Epitaxial wafersကြိမ်နှုန်းမြင့် ထရန်စစ္စတာများ၊ optoelectronic ကိရိယာများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကဲ့သို့သော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။ ဟိepitaxial အလွှာဤအပလီကေးရှင်းများအတွက် အလွန်အရေးကြီးသော ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ မြင့်မားသော သယ်ဆောင်ရွေ့လျားနိုင်မှုနှင့် ချို့ယွင်းမှုသိပ်သည်းဆ ကဲ့သို့သော သာလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပေးဆောင်ပါသည်။

Diffused wafer များကို ဗို့အားနိမ့် MOSFETs နှင့် CMOS ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကဲ့သို့ ပါဝါနိမ့်၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများတွင် အများစုအသုံးပြုကြသည်။ ပျံ့နှံ့မှု၏ ရိုးရှင်းပြီး စျေးနည်းသော ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် ဤအပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

3. စွမ်းဆောင်ရည် ကွာခြားချက်များ-

Epitaxial wafersယေဘူယျအားဖြင့် ပိုမိုမြင့်မားသော သယ်ဆောင်သွားလာနိုင်မှု၊ ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ နည်းပါးခြင်းနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှု တိုးမြှင့်ခြင်း အပါအဝင် ပျံ့နှံ့နေသော ဝေဖာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက သာလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြသထားသည်။ ဤအားသာချက်များက ၎င်းတို့အား စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။

ပြန့်နှံ့နေသော wafer များသည် ၎င်းတို့၏ epitaxial counterparts များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အနည်းငယ်ညံ့ဖျင်းသော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိနိုင်သော်လည်း ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် များစွာသော အပလီကေးရှင်းများအတွက် လုံလောက်ပါသည်။ ထို့အပြင် ၎င်းတို့၏ ထုတ်လုပ်မှု ကုန်ကျစရိတ် နိမ့်ကျမှုသည် ပါဝါနည်းပါးပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် အပြိုင်အဆိုင် ရွေးချယ်မှုဖြစ်စေသည်။

4. ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်-

လုပ်ကြံဖန်တီးမှုepitaxial wafersခေတ်မီစက်ကိရိယာများနှင့် အဆင့်မြင့်နည်းပညာများ လိုအပ်ခြင်းမှာ အတော်လေးရှုပ်ထွေးပါသည်။ တဆက်တည်း၊epitaxial wafersထုတ်လုပ်ရန်မှာမူရင်းအားဖြင့် ပို၍စျေးကြီးသည်။

ဖြန့်ကြက်ထားသော wafers များတွင် အလွယ်တကူရနိုင်သော စက်ကိရိယာများနှင့် နည်းပညာများကို အသုံးပြုသည့် ရိုးရှင်းသော တီထွင်ဖန်တီးမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပါဝင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ် သက်သာသည်။

5. သဘာဝပတ်ဝန်းကျင် ထိခိုက်မှု-

ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်epitaxial wafersအန္တရာယ်ရှိသော ဓာတုပစ္စည်းများနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြုခြင်းကြောင့် စွန့်ပစ်ပစ္စည်းများနှင့် ညစ်ညမ်းမှုများ ပိုမိုဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။

နှိုင်းယှဥ်၍ ဖြန့်ကျက်ထားသော wafer သည် အပူချိန်နိမ့်ပြီး ဓာတုပစ္စည်းနည်းသောနည်းကို အသုံးပြု၍ ရနိုင်သောကြောင့် ပတ်ဝန်းကျင်ထိခိုက်မှု နည်းပါးပါသည်။

နိဂုံး-

Epitaxialနှင့် ပြန့်နှံ့နေသော wafer များသည် တီထွင်ဖန်တီးမှု လုပ်ငန်းစဉ်၊ အသုံးချဧရိယာများ၊ စွမ်းဆောင်ရည်၊ ကုန်ကျစရိတ်နှင့် ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ သက်ရောက်မှုများဆိုင်ရာ ကွဲပြားသော ဝိသေသလက္ခဏာများ ပါဝင်သည်။ ဤ wafer အမျိုးအစားနှစ်ခုကြားတွင် ရွေးချယ်မှုသည် တိကျသောလျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များနှင့် ဘတ်ဂျက်ကန့်သတ်ချက်များအပေါ်တွင် များစွာမူတည်ပါသည်။