Gallium Nitride Epitaxial Wafers- တီထွင်ဖန်တီးမှု လုပ်ငန်းစဉ် နိဒါန်း

Gallium Nitride (GaN)epitaxial waferကြီးထွားမှုသည် ရှုပ်ထွေးသော လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး မကြာခဏ အဆင့်နှစ်ဆင့်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုသည်။ ဤနည်းလမ်းတွင် အပူချိန်မြင့်သော မုန့်ဖုတ်ခြင်း၊ ကြားခံအလွှာကြီးထွားမှု၊ ပြန်လည်ပေါင်းစည်းခြင်း နှင့် ပေါင်းထည့်ခြင်း အပါအဝင် အရေးကြီးသော အဆင့်များစွာ ပါဝင်ပါသည်။ ဤအဆင့်များတစ်လျှောက်လုံးရှိ အပူချိန်ကို စေ့စေ့စပ်စပ်ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့်၊ အဆင့်နှစ်ဆင့် ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းသည် ရာဇမတ်ကွက်များ ကိုက်ညီမှုမရှိခြင်း သို့မဟုတ် ဖိစီးမှုတို့ကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော wafer warping ကို ထိရောက်စွာကာကွယ်ပေးကာ ၎င်းကို မြင်သာထင်သာအောင် ဖန်တီးထုတ်လုပ်သည့်နည်းလမ်းဖြစ်သည်။GaN epitaxial wafersတစ်ကမ္ဘာလုံး

1. နားလည်မှုEpitaxial Wafers

တစ်ခုepitaxial waferတစ်ခုတည်းသော သလင်းခဲအလွှာအသစ်တစ်ခု ပေါက်ဖွားလာသော သလင်းကျောက်အလွှာတစ်ခု ပါဝင်သည်။ ဤ epitaxial အလွှာသည် နောက်ဆုံးစက်ပစ္စည်း၏ စွမ်းဆောင်ရည် 70% ခန့်ကို ဆုံးဖြတ်ရာတွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပြီး ၎င်းသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ကုန်ကြမ်းတစ်ခု ဖြစ်လာစေသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်း ကွင်းဆက်တွင် ရေဆန်တွင် နေရာချထားခြင်း၊epitaxial wafersတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်စက်မှုလုပ်ငန်းတစ်ခုလုံးကို ပံ့ပိုးပေးသည့် အခြေခံအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် ဆောင်ရွက်သည်။ ထုတ်လုပ်သူများသည် ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD) နှင့် Molecular Beam Epitaxy (MBE) ကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်နည်းပညာများကို အသုံးချပြီး အရေပြားအောက်စထရိပစ္စည်းပေါ်တွင် epitaxial အလွှာကို အပ်နှံပြီး ကြီးထွားစေပါသည်။ ထို့နောက် အဆိုပါ wafers များသည် photolithography၊ ပါးလွှာသော ဖလင်အစစ်ခံခြင်းနှင့် semiconductor wafers များဖြစ်လာစေရန် etching ဖြင့် ထပ်မံလုပ်ဆောင်သည်။ နောက်တော့ အဲဒါတွေwafers are diced into individual dies, which are then packaged and tested to create the final integrated circuits (ICs). Throughout the entire chip production process, constant interaction with the chip design phase is crucial to ensure the final product meets all specifications and performance requirements.

2. GaN ၏အသုံးချမှုများEpitaxial Wafers

GaN ၏ မွေးရာပါ ဂုဏ်သတ္တိများGaN epitaxial wafersမြင့်မားသော ပါဝါ၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် နှင့် ဗို့အား အလယ်အလတ်မှ အနိမ့်ပိုင်း လည်ပတ်မှု လိုအပ်သော application များအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ အချို့သော အဓိက လျှောက်လွှာနယ်ပယ်များ ပါဝင်သည်-

High Breakdown Voltage- GaN ၏ ကျယ်ပြန့်သော bandgap သည် စက်များအား သမားရိုးကျ ဆီလီကွန် သို့မဟုတ် gallium arsenide နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုမြင့်မားသော ဗို့အားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပါသည်။ ဤလက္ခဏာသည် 5G အခြေစိုက်စခန်းများနှင့် စစ်ရေဒါစနစ်များကဲ့သို့သော အက်ပ်များအတွက် GaN ကို စံပြဖြစ်စေသည်။

မြင့်မားသော ကူးပြောင်းမှု ထိရောက်မှု- GaN အခြေပြု ပါဝါပြောင်းခြင်း စက်များသည် ဆီလီကွန် ကိရိယာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ခုခံအား သိသိသာသာ နိမ့်ကျကာ ကူးပြောင်းမှု ဆုံးရှုံးမှု လျော့နည်းလာပြီး စွမ်းအင် ထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

မြင့်မားသော Thermal Conductivity- GaN ၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်မှုသည် ထိရောက်သော အပူများကို စုပ်ယူနိုင်စေပြီး စွမ်းအားမြင့် နှင့် အပူချိန်မြင့်သော အသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

High Breakdown Electric Field Strength- GaN ၏ပြိုကွဲနေသောလျှပ်စစ်စက်ကွင်းအားအားသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) နှင့် နှိုင်းယှဉ်နိုင်သော်လည်း၊ semiconductor processing နှင့် lattice mismatch ကဲ့သို့သောအချက်များသည် GaN စက်ပစ္စည်းများ၏ ဗို့အားကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းကို 1000V ဝန်းကျင်တွင် ကန့်သတ်ထားပြီး၊ ဘေးကင်းသောလည်ပတ်မှုဗို့အား ယေဘုယျအားဖြင့် 650V အောက်တွင်ရှိသည်။

3. GaN အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်း။Epitaxial Wafers

တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအဖြစ် GaN သည် အပူချိန်မြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ကောင်းစွာလိုက်ဖက်ညီမှု၊ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် ကျယ်ပြန့်သော bandgap အပါအဝင် အားသာချက်များစွာကို ပေးဆောင်သည်။ ယင်းကြောင့် အမျိုးမျိုးသော လုပ်ငန်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် မွေးစားခြင်းကို ဖြစ်ပေါ်စေခဲ့သည်။GaN epitaxial wafers၎င်းတို့၏ အလွှာပစ္စည်းများအပေါ် အခြေခံ၍ အမျိုးအစားခွဲခြားနိုင်သည်- GaN-on-GaN၊ GaN-on-SiC၊ GaN-on-Sapphire နှင့် GaN-on-Silicon။ ယင်းတို့အနက်၊GaN-on-Silicon wafers၎င်းတို့၏ ထုတ်လုပ်မှု ကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးခြင်းနှင့် ရင့်ကျက်သော ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များကြောင့် လက်ရှိတွင် အသုံးအများဆုံး ပစ္စည်းများ ဖြစ်သည်။**