Graphitising သည် ဂရပ်ဖစ်မဟုတ်သော မီးသွေးကို ဂရပ်ဖစ်မီးသွေးအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးသည့် လုပ်ငန်းစဉ်ဖြစ်ပြီး အပူချိန်မြင့်သော အပူကုသမှုဖြင့် ဂရပ်ဖစ်သုံးဖက်မြင် ပုံမှန်ဖွဲ့စည်းပုံအတိုင်း၊ လျှပ်စစ်ခံနိုင်ရည်ရှိအပူကို အပြည့်အဝအသုံးပြုကာ မီးသွေးကို အပူချိန် 2300~3000 ℃အထိ အပူချိန် 2300 ~ 3000 ℃ နှင့် မီးသွေ......
ပိုပြီးဖတ်ပါGraphite Boat သည် ၎င်း၏စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် နည်းပညာဆန်းသစ်တီထွင်မှု၏ ရှေ့တန်းမှ ရပ်တည်နေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်၊ သန့်ရှင်းမှုနှင့် သက်တမ်းကို မြှင့်တင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော အမိုက်စား တိုးတက်မှုအစုံအလင်ဖြင့် ရပ်တည်နေသည်။ အောက်တွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဂရပ်ဖိုက်လှေ၏ ထူးချွန်မှုကို သတ်မှတ်ပေးသည့် အဓိကနည်းပညာများ......
ပိုပြီးဖတ်ပါSilicon Carbide (SiC) သည် အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် optoelectronic applications များအတွက် အလွန်နှစ်လိုဖွယ်ဖြစ်စေသော ထူးခြားသည့်ဂုဏ်သတ္တိများကို ပေးဆောင်သည့် semiconductor နည်းပညာနယ်ပယ်တွင် အဓိကပစ္စည်းတစ်ခုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာပါသည်။ အရည်အသွေးမြင့် SiC single crystals များထုတ်လုပ်မှုသည် ပါဝါအီလက်......
ပိုပြီးဖတ်ပါအထူးပြုဂရပ်ဖိုက်သည် 99.99% ထက်ကြီးသော ကာဗွန်ဒြပ်ထုအပိုင်းအစရှိသော ဂရပ်ဖိုက်ဖြစ်ပြီး "မြင့်မားသောဂရပ်ဖိုက်သုံးမျိုး" (မြင့်မားသောခွန်အား၊ သိပ်သည်းဆ၊ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု)။ မြင့်မားသောခွန်အား၊ သိပ်သည်းဆ၊ မြင့်မားသောသန့်ရှင်းမှု၊ မြင့်မားသောဓာတုတည်ငြိမ်မှု၊ မြင့်မားသောအပူနှင့်လျှပ်စစ်စီးကူးမှု၊ မြင့......
ပိုပြီးဖတ်ပါ2023 ခုနှစ် နိုဝင်ဘာလတွင်၊ Semicorex သည် 850V GaN-on-Si epitaxial ထုတ်ကုန်များကို ဗို့အားမြင့်၊ လက်ရှိ HEMT ပါဝါစက်ပစ္စည်းအပလီကေးရှင်းများအတွက် 850V ထုတ်ပေးခဲ့သည်။ HMET ပါဝါစက်ပစ္စည်းများအတွက် အခြားအလွှာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက GaN-on-Si သည် ပိုကြီးသော wafer အရွယ်အစားများနှင့် ပိုမိုကွဲပြားသော အပလီက......
ပိုပြီးဖတ်ပါC/C composite သည် ကာဗွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ကာဗွန်ထုတ်ခြင်းမှတစ်ဆင့် မက်ထရစ်အဖြစ် အားဖြည့်ခြင်းနှင့် ကာဗွန်အမျှင်များဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် ကာဗွန်-ကာဗွန်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ အဆ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ