MOCVD အပူပေးစက်

ဤအပူပေးစက်ကို သန့်စင်မြင့်ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် တည်ဆောက်ထားပြီး အညစ်အကြေးအဆင့် တစ်သန်းလျှင် 5 အစိတ်အပိုင်း (ppm) အောက်အထိ ဂရုတစိုက်ထိန်းချုပ်ထားသည်။ ထို့နောက် ဂရပ်ဖိုက်ကို ဓာတုအခိုးအငွေ့ထွက်မှု (CVD) ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး သန့်စင်မှုအဆင့် 99.99995% ထက် ကျော်လွန်သည်။ ဤပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများသည် သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုအငွေ့များ စုပုံခြင်း (MOCVD) လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်နိုင်မှုအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် အပူပေးကိရိယာကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။

Semicorex MOCVD Heater ၏ထူးခြားချက်မှာ ၎င်း၏ထူးခြားသောဓာတုသန့်စင်မှုဖြစ်သည်။ သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဂရပ်ဖိုက်အူတိုင်သည် အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း ညစ်ညမ်းစေသည့် မိတ်ဆက်မှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးကာ အလွန်သန့်ရှင်းသောပါးလွှာသော ဖလင်များ ထွက်လာခြင်းကို သေချာစေသည်။ CVD SiC coating သည် ဤသန့်စင်မှုကို ပိုမိုတိုးမြှင့်ပေးကာ စုဆောင်းထားသော အလွှာများ၏ သမာဓိကို ထိခိုက်စေနိုင်သည့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများမှ ခိုင်မာသောအတားအဆီးတစ်ခုကို ပေးဆောင်သည်။ ဤမြင့်မားသော ဓာတုသန့်စင်မှုအဆင့်သည် သာလွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာကိရိယာများကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

ထို့အပြင်၊ အပူပေးစက်သည် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ ပုံမှန်အပူလွန်ကဲသော အခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မြင့်မားစွာ ကြံ့ခိုင်ပြီး အပူဒဏ်ကို သက်သာစေပါသည်။ SiC ၏ မွေးရာပါ ဂုဏ်သတ္တိများဖြစ်သည့် ၎င်း၏ အရည်ပျော်မှတ် နှင့် အပူကူးယူနိုင်မှု တို့သည် အပူပေးစက်၏ အပူကို ထိထိရောက်ရောက် စီမံခန့်ခွဲခြင်းနှင့် ဖြန့်ဝေနိုင်စွမ်းကို အထောက်အကူပြုသည်။ ဤအပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်သည် တူညီသောအမှုန်အမွှားများကိုရရှိစေရန်နှင့် ချို့ယွင်းချက်များဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည့် အပူရှိအရောင်အဆင်းများကို နည်းပါးအောင်ပြုလုပ်ရန်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အလွှာတလျှောက်လုံးတူညီသောအပူပေးခြင်းကိုသေချာစေသည်။

Semicorex MOCVD Heater သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သည့် လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်သည့် အခြားနယ်ပယ်ဖြစ်သည်။ High-purity graphite core သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်စီးကူးမှုကို ပံ့ပိုးပေးသောကြောင့် အပူပေးစက်သည် မြင့်မားသော လျှပ်စစ်ဝန်များကို လွယ်ကူစွာ ကိုင်တွယ်နိုင်စေပါသည်။ ဤစွမ်းရည်သည် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အပူချိန်နှင့် သိုလှောင်မှုနှုန်းများအပေါ် တိကျသောထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်သော အရေးကြီးပါသည်။ မြင့်မားသောဝန်များအောက်တွင် တည်ငြိမ်သောလျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်နိုင်စွမ်းကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်မှုသည် အထွက်နှုန်းမြင့်မားသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အရေးကြီးသော တသမတ်တည်းဖြစ်ပြီး မျိုးပွားနိုင်သောလုပ်ငန်းစဉ်အခြေအနေများကို သေချာစေသည်။

အပူပေးကိရိယာ၏ ပြန့်ပြူးသော မျက်နှာပြင်သည် အလွှာဆီသို့ ပိုမိုမြင့်မားသော ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု ပေးစွမ်းနိုင်စေရန် စေ့စပ်သေချာစွာ ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး ဓါတ်ရောင်ခြည်အပူလွှဲပြောင်းခြင်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဤဒီဇိုင်းအင်္ဂါရပ်သည် တစ်သမတ်တည်းအထူနှင့် ဂုဏ်သတ္တိများရှိသော အရည်အသွေးမြင့်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များရရှိရန်အတွက် အရေးကြီးသောအလွှာသည် တူညီသောအပူပေးမှုကို ရရှိကြောင်းသေချာစေသည်။ မြင့်မားသော ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု မျက်နှာပြင်သည် အပူပေးစက်၏ အလုံးစုံသော အပူစွမ်းအင်ကို ထိရောက်စွာ အသုံးချနိုင်စေပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုနှင့် လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။

တာရှည်ခံမှုအရ Semicorex MOCVD Heater သည် ခြွင်းချက် ချေးခံနိုင်ရည်၊ ရောင်ပြန်ဟပ်နိုင်မှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ စွမ်းအားမြင့်မားမှုကို ပေးစွမ်းသည်။ CVD SiC coating သည် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် တွေ့ရလေ့ရှိသော အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များနှင့် ဓာတုပစ္စည်းများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော ခိုင်ခံ့သောအကာအကွယ်အလွှာကို ပေးဆောင်သည်။ ဤချေးခံနိုင်ရည်သည် အပူပေးစက်၏ လည်ပတ်သက်တမ်းကို တိုးစေပြီး ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနှင့် အစားထိုးစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။ အပူပေးကိရိယာ၏ ဓာတ်တိုးနိုင်စွမ်းသည် တည်ငြိမ်ပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပင် ပြိုပျက်မသွားကြောင်း သေချာစေပြီး တာရှည်လည်ပတ်မှုကာလတစ်လျှောက် ၎င်း၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။

နောက်ဆုံးတွင်၊ အပူပေးစက်၏ မြင့်မားသောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွန်အားသည် အပူစက်ဘီးစီးခြင်းနှင့် ကြမ်းခင်းကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် ဆက်စပ်နေသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် သေချာစေသည်။ ဤကြံ့ခိုင်မှုသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာချို့ယွင်းမှုအန္တရာယ်ကို လျော့နည်းစေပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး စဉ်ဆက်မပြတ်လည်ပတ်မှုကို သေချာစေသည်။