CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်း

CVD SiC-coated upper ground rings များကို wafer electrostatic chuck ပတ်ပတ်လည်တွင် plasma-etching equipment အတွင်းရှိ ဓါတ်ပြုခန်း၏ အပေါ်ပိုင်းဒေသတွင် တပ်ဆင်ထားသည်။ CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်းများသည် etching system တစ်ခုလုံးအတွက် အရေးကြီးသည်၊ ၎င်းသည် စက်အစိတ်အပိုင်းများကို ပလာစမာတိုက်ခိုက်ခြင်းမှကာကွယ်ရန်နှင့် အတွင်းပိုင်းလျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ချိန်ညှိကာ ပလာစမာဖြန့်ဝေမှုအပိုင်းကို ကန့်သတ်ချုပ်ချယ်သည့်ရလဒ်များကို သေချာစေရန်အတွက် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအတားအဆီးအဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။

Plasma etching သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည့် dry etching နည်းပညာဖြစ်ပြီး ပလာစမာနှင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ၏မျက်နှာပြင်ကြားရှိ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒ အပြန်အလှန်အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို အသုံးပြုကာ တိကျသောဖွဲ့စည်းပုံများကို ဖယ်ရှားနိုင်သောကြောင့် တိကျသောဖွဲ့စည်းပုံများလုပ်ဆောင်ခြင်းကို ရရှိစေပါသည်။ Plasma etching ၏ လိုအပ်ချက်ရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် စွမ်းအင်မြင့်မားသော ပလာစမာသည် ပြင်းထန်သော သံချေးတက်စေပြီး ဓာတ်ပြုခန်းအတွင်းရှိ အစိတ်အပိုင်းများကို တိုက်ခိုက်စေသည်။ ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ထိရောက်သောလည်ပတ်မှုကိုသေချာစေရန် အခန်းအစိတ်အပိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သောချေးခံနိုင်ရည်၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ညစ်ညမ်းမှုနည်းသောလက္ခဏာများ ရှိရပါမည်။ Semicorex CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်းများသည် ဤကြမ်းတမ်းသော၊ သံချေးတက်သောလည်ပတ်မှုပတ်ဝန်းကျင်များကိုဖြေရှင်းရန် စုံလင်စွာဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။

ယုံကြည်စိတ်ချရသော CVD SiC Coating

ကြမ်းတမ်းသော ထွင်းထုခြင်းအခြေအနေများတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်စွာလုပ်ဆောင်နိုင်ရန်၊ Semicorex CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်းများကို စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် CVD SiC coating ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားပြီး ၎င်းတို့၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တာရှည်ခံမှုကို ပိုမိုတိုးမြှင့်ပေးပါသည်။

1. အလွန်မြင့်မားသောသန့်စင်မှု

ဟိSiC အပေါ်ယံပိုင်းCVD လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် တီထွင်ထုတ်လုပ်ထားသော အလွန်မြင့်မားသော သန့်စင်မှု (99.9999% ထက် သန့်ရှင်းမှု) ဖြင့် အထူးကောင်းမွန်သော သိပ်သည်းဆကို စွမ်းဆောင်နိုင်သောကြောင့် Semicorex CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်းများကို etching applications များတွင် စွမ်းအင်မြင့်မားသော ပလာစမာတိုက်ခိုက်မှုမှ ကာကွယ်နိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် matrixes များမှ အမှုန်အမွှားများကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ညစ်ညမ်းမှုကို ရှောင်ရှားနိုင်ပါသည်။

2. ပိုမိုကောင်းမွန်သောချေးခုခံ

CVD လုပ်ငန်းစဉ်မှတစ်ဆင့် ဖန်တီးထားသော SiC coating သည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော corrosion resistance ကို ပေးစွမ်းပြီး Semicorex CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်းများသည် ပလာစမာမှ စိန်ခေါ်နေသော သံချေးတက်ခြင်း (အထူးသဖြင့် halogens နှင့် fluorine ကဲ့သို့သော အဆိပ်ဓာတ်ငွေ့များ) ကို ထိရောက်စွာ ခံနိုင်ရည်ရှိပါသည်။

3. အဆင့်မြင့်စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ

Semicorex CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်းများသည် ပြင်းထန်သောပလာစမာဗုံးကြဲချမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားများနှင့် CVD SiC အပေါ်ယံပိုင်း၏ ပိုမိုကောင်းမွန်သော မာကျောမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့ကြောင့် ရေရှည်ဝန်ဆောင်မှုကာလအတွင်း ပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကျိုးခြင်းမရှိဘဲ မကြာခဏကိုင်တွယ်ခြင်းတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

စံချိန်စံညွှန်း မြင့်မားစွာ လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် အရည်အသွေး စစ်ဆေးခြင်း။

တောင်းဆိုနေသော semiconductor etching အခြေအနေများနှင့် လုံးဝလိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်၊ Semicorex CVD SiC-coated အထက်မြေပြင်ကွင်းများသည် တိကျသောစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် တင်းကြပ်သောစစ်ဆေးခြင်းများကိုလုပ်ဆောင်သည်။

မျက်နှာပြင် သန့်စင်ခြင်း- ပွတ်တိုက်ခြင်း တိကျမှုသည် Ra < 0.1µm; ကြိတ်ခွဲခြင်း၏တိကျမှုသည် Ra > 0.1µm ဖြစ်သည်။

လုပ်ငန်းစဉ်တိကျမှုကို ≤ 0.03 မီလီမီတာအတွင်း ထိန်းချုပ်ထားသည်။

အရည်အသွေးစစ်ဆေးခြင်း-

Semicorex အစိုင်အခဲ CVD SiC ကွင်းများသည် ICP-MS ( inductively coupled plasma mass spectrometry ) ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု အရဖြစ်သည်။ Semicorex အစိုင်အခဲ CVD SiC rings များသည် အတိုင်းအတာ တိုင်းတာခြင်း၊ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု စမ်းသပ်ခြင်း နှင့် အမြင်ပိုင်းဆိုင်ရာ စစ်ဆေးခြင်း တို့ကြောင့် ထုတ်ကုန်များသည် ချစ်ပ်များ၊ ခြစ်ရာများ၊ ခြစ်ရာများ၊ အက်ကွဲများ၊ အစွန်းအထင်းများ ကင်းစင်ကြောင်း အာမခံပါသည်။