Tantalum Carbide Coating လမ်းညွှန်လက်စွပ်

Semicorex Tantalum Carbide Coating Guide Ring သည် ဂရပ်ဖိုက်မှ ဖန်တီးထားပြီး တန်တလမ်ကာဘိုက်ဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် တာရှည်ခံမှုကို သေချာစေရန် ပစ္စည်းနှစ်ခုလုံး၏ အကောင်းဆုံးဂုဏ်သတ္တိများကို ပေါင်းစပ်ထားသည့် ပေါင်းစပ်မှုဖြစ်သည်။

Tantalum Carbide Coating Guide Ring ပေါ်ရှိ TaC coating သည် ဟိုက်ဒရိုဂျင်၊ အာဂွန်နှင့် နိုက်ထရိုဂျင်ကဲ့သို့သော ဓာတ်ငွေ့များ မကြာခဏ ပါဝင်သည့် SiC ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှု မီးဖိုများ၏ ဓာတ်ပြုလေထုတွင် ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် အားနည်းနေမြဲဖြစ်ကြောင်း သေချာစေသည်။ ဤဓာတုဓာတ်အားပျော့မှုသည် ကြီးထွားလာသော crystal ၏ညစ်ညမ်းမှုမှန်သမျှကို တားဆီးရန် အရေးကြီးပြီး ၎င်းသည် ချို့ယွင်းချက်များနှင့် နောက်ဆုံးတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်ကုန်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ကျဆင်းစေနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ TaC coating မှ ပံ့ပိုးပေးသော အပူတည်ငြိမ်မှုသည် Tantalum Carbide Coating Guide Ring အား ပုံမှန်အားဖြင့် 2000°C ထက်ပိုသော SiC crystal ကြီးထွားမှုအတွက် လိုအပ်သော မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ထိထိရောက်ရောက်လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။

TaC ၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည် Tantalum Carbide Coating Guide Ring တွင် ဝတ်ဆင်ခြင်းနှင့် မျက်ရည်ယိုခြင်းကို လွန်စွာလျှော့ချပေးသည်။ ၎င်းသည် မကြာခဏ အပူသံသရာနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖိစီးမှုများကို လမ်းညွှန်ပေးသည့် လမ်းညွှန်လက်စွပ်ကို ဖော်ထုတ်ပေးသည့် သလင်းကျောက်ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်၏ ထပ်ခါတလဲလဲ သဘောသဘာဝကြောင့် ၎င်းသည် အရေးကြီးပါသည်။ TaC ၏ မာကျောမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့သည် လမ်းပြလက်စွပ်သည် ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုနှင့် တိကျသောအတိုင်းအတာများကို ကြာရှည်စွာထိန်းသိမ်းထားပြီး၊ မကြာခဏ အစားထိုးမှုလိုအပ်မှုကို လျော့နည်းစေပြီး ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အချိန်ကုန်သက်သာစေကြောင်း သေချာစေသည်။

ထို့အပြင်၊ Tantalum Carbide Coating Guide Ring တွင် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် TaC ပေါင်းစပ်မှုသည် crystal ကြီးထွားမှုမီးဖိုအတွင်း အပူစီမံခန့်ခွဲမှုကို အကောင်းဆုံးဖြစ်စေသည်။ Graphite ၏ မြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် အပူကို ထိရောက်စွာ ဖြန့်ဝေပေးကာ ဟော့စပေါ့များကို တားဆီးပေးပြီး တူညီသော crystal ကြီးထွားမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ တစ်ချိန်တည်းတွင်၊ TaC အပေါ်ယံပိုင်းသည် အပူအတားအဆီးတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပြီး ဂရပ်ဖိုက်အူတိုင်ကို မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များ တိုက်ရိုက်ထိတွေ့ခြင်းမှ ကာကွယ်ပေးသည်။ Core နှင့် coating ပစ္စည်းများအကြား ပေါင်းစပ်ပေါင်းစပ်မှုသည် SiC crystal ကြီးထွားမှု၏ ကြမ်းတမ်းသောအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိရုံသာမက လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

Semicorex Tantalum Carbide Coating Guide Ring သည် Silicon Carbide ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှုအတွက် အထူးထုတ်လုပ်ထားသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ဒီဇိုင်းသည် အပူချိန်မြင့်မားသော၊ ဖိအားမြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးစွမ်းရန်အတွက် ဂရပ်ဖိုက်နှင့် တန်တလမ်ကာဘိုက်၏ အားသာချက်များကို စုစည်းထားသည်။ TaC coating သည် အရည်အသွေးမြင့် SiC ပုံဆောင်ခဲများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အရေးကြီးသော ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ခိုင်ခံ့မှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြာရှည်ခံမှုနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေသည်။ ပြင်းထန်သောအခြေအနေများအောက်တွင် ၎င်း၏ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို ထိန်းသိမ်းထားခြင်းဖြင့်၊ လမ်းညွှန်လက်စွပ်သည် SiC crystals များ၏ ထိရောက်ပြီး အပြစ်အနာအဆာကင်းသော ကြီးထွားမှုကို ပံ့ပိုးပေးကာ စွမ်းအားမြင့်နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် semiconductor ကိရိယာများ တိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေရန် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။