TaC Coated Graphite Susceptor

ထူးခြားသောအပူတည်ငြိမ်မှု- ကျွန်ုပ်တို့၏ဂရပ်ဖိုက်ခံစုပ်ကိရိယာပေါ်ရှိ TaC (Tantalum Carbide) အပေါ်ယံပိုင်းသည် ထူးခြားသောအပူတည်ငြိမ်မှုကိုသေချာစေပြီး epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း တိကျသောအပူချိန်ကိုထိန်းချုပ်နိုင်စေပါသည်။ ဤတည်ငြိမ်မှုသည် wafer ကြီးထွားမှုတွင် တူညီမှုရှိစေရန်နှင့် အလုံးစုံအထွက်နှုန်းကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

Uniform Heat Distribution- ကျွန်ုပ်တို့၏ susceptor ၏အဆင့်မြင့်ဒီဇိုင်းဖြင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သောရလဒ်များရရှိပြီး wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် တူညီသောအပူဖြန့်ဖြူးမှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် အပူချိန်ကွဲလွဲမှုများကို လျှော့ချပေးပြီး epitaxial အလွှာ၏ အရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ပေးကာ သာလွန်ကောင်းမွန်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို ရရှိစေသည်။

သက်တမ်းတိုးခြင်း- ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်း၏ တင်းကျပ်သောလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ တာရှည်ခံပြီး ကြာရှည်ခံသည့်ဖြေရှင်းချက်မှ အကျိုးကျေးဇူးရယူပါ။ TaC coating သည် အပူစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးရုံသာမက susceptor ၏ အသက်ရှည်မှုကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးကာ ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော အဖြေကို ပေးဆောင်ပါသည်။

စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော ဒီဇိုင်းများ- စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော ဒီဇိုင်းရွေးချယ်မှုများဖြင့် သင့်သတ်မှတ်ထားသော လုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များကို ကူရှင်ကို ပုံဖော်ပါ။ သင်သည် သီးခြားအရွယ်အစား၊ ပုံသဏ္ဍာန် သို့မဟုတ် အပေါ်ယံအထူကို လိုအပ်သည်ဖြစ်စေ သင်၏ထူးခြားသောလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသောဖြေရှင်းချက်တစ်ခုဖန်တီးရန် ကျွန်ုပ်တို့အဖွဲ့သည် သင်နှင့်ပူးပေါင်းရန် အသင့်ရှိပါသည်။

Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၊ တိကျမှုနှင့် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုဆိုင်ရာ TaC Coated Graphite Susceptor ကို အသုံးပြု၍ သင်၏ wafer epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်ကို ယုံကြည်စိတ်ချစွာ အဆင့်မြှင့်တင်ပါ။ သင်၏ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို မြှင့်တင်ပြီး တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ နည်းပညာ၏ လျင်မြန်စွာ တိုးတက်နေသော ကမ္ဘာတွင် ဆက်လက်နေပါ။