Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible

Semicorex Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible ကို အဓိကအားဖြင့် ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး ၎င်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် အပူဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် လူသိများသည်။ ၎င်း၏ ဂုဏ်သတ္တိများ မြှင့်တင်ရန်နှင့် အပူချိန်မြင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ၎င်း၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် ဂရပ်ဖိုက်ကို Tantalum Carbide (TaC) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ Tantalum Carbide ကို ၎င်း၏ထူးခြားသော မာကျောမှု၊ အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားမှုနှင့် ဓာတုဗေဒ တည်ငြိမ်မှု၊ အထူးသဖြင့် အခြားပစ္စည်းများ ပျက်စီးယိုယွင်းမှု သို့မဟုတ် ဆိုးရွားစွာ တုံ့ပြန်နိုင်သည့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ရွေးချယ်ထားသည်။ ဤဂရပ်ဖိုက်နှင့် TaC ပေါင်းစပ်မှုသည် SiC crystal ကြီးထွားမှုအတွက် လိုအပ်သော ပြင်းထန်သောအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေပြီး တာရှည်ခံမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးဆောင်သည်။

Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible ၏ ဒီဇိုင်းသည် ၎င်းကို ခြားနားစေသော အခြားအချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ သမားရိုးကျ အပိုင်းအစတစ်ခုနှင့်တစ်ခုမတူဘဲ၊ ဤမော်ဒယ်တွင် အပိုင်းသုံးပိုင်းခွဲ၍ ပုံမှန်အားဖြင့် အပိုင်းသုံးပိုင်းခွဲထားသော ပုံစံတစ်ခုပါရှိသည်။ ဤသုံးပိုင်းပုံစံဒီဇိုင်း၊ မကြာခဏဆိုသလို "ပွင့်ချပ်" သို့မဟုတ် "သုံးပွင့်ချပ်" crucible သည် အားသာချက်များစွာကို ပေးဆောင်သည်။ ပထမဦးစွာ၊ ၎င်းသည် မကြာခဏ ဖယ်ရှားရန် သို့မဟုတ် အစားထိုးရန် လိုအပ်သည့် အခြေအနေများတွင် အထူးသဖြင့် ပိုမိုလွယ်ကူစွာ ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် တပ်ဆင်ခြင်းကို ခွင့်ပြုသည်။ အပိုင်းပိုင်းခွဲထားသော ဒီဇိုင်းသည် ပိုမိုတူညီသော အပူနှင့် အအေးပေးမှုကိုလည်း ပံ့ပိုးပေးကာ Crucible သို့မဟုတ် ကြီးထွားလာနေသော crystal ၏ ဖိစီးမှုနှင့် ပျက်ကွက်မှုတို့ကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည့် အပူရောင်ပြောင်းမှုအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးသည်။

Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible ၏ အပိုင်းခွဲဒီဇိုင်းသည် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုနှင့် အစားထိုးမှုဆိုင်ရာ လက်တွေ့ကျသော အကျိုးကျေးဇူးများကို ပေးဆောင်ပါသည်။ crucible တစ်ခုလုံးကို အစားထိုးခြင်းထက် လိုအပ်သလို တစ်ဦးချင်း အပိုင်းများကို အစားထိုးနိုင်သည်။ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု ပိုမိုထိရောက်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်သောကြောင့် ဤမော်ဂျူလာချဉ်းကပ်မှုသည် ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချရုံသာမက စက်ရပ်ချိန်ကိုလည်း လျှော့ချပေးပါသည်။ ထို့အပြင်၊ အပိုင်းများကို သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သည် သို့မဟုတ် ပျက်စီးသွားပါက လွတ်လပ်စွာ အစားထိုးနိုင်သောကြောင့် segmented design သည် crucible ၏အသုံးပြုမှုတွင် ပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိနိုင်စေပါသည်။

SiC crystal ကြီးထွားမှုအခြေအနေတွင်၊ Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible သည် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ Silicon Carbide crystals များသည် ၎င်းတို့၏ မာကျောမှု၊ မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှုနှင့် ကျယ်ပြန့်သော bandgap တို့အတွက် လူသိများပြီး ၎င်းတို့ကို ပါဝါမြင့်မားမှု၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်သည့် အသုံးချမှုများအတွက် စံပြဖြစ်စေသည်။ သို့သော်၊ SiC crystals ၏ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်သည်ရှုပ်ထွေးပြီး အပူချိန်နှင့် ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများအပေါ် တိကျသောထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်သည်။ Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible သည် SiC sublimation နှင့် crystal ကြီးထွားမှုအတွက် လိုအပ်သော မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိ၍ တည်ငြိမ်ပြီး မသန်စွမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် အဆိုပါအခြေအနေများကိုရရှိရန် ကူညီပေးပါသည်။

Semicorex Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible သည် SiC crystal ကြီးထွားမှုအတွက် ရရှိနိုင်သော ကိရိယာများတွင် သိသာထင်ရှားသော တိုးတက်မှုကို ကိုယ်စားပြုသည်။ ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းများနှင့် ဆန်းသစ်သော ဒီဇိုင်း ပေါင်းစပ်မှုသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု ဖြစ်လာစေသည်။ ကျောက်သလင်းကြီးထွားမှုအတွက် တာရှည်ခံ၊ တည်ငြိမ်ပြီး ထိရောက်မှုရှိသော ပတ်ဝန်းကျင်ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့်၊ ဤ crucible သည် မျိုးဆက်သစ် semiconductor စက်ပစ္စည်းများအတွက် အရေးပါသော အရည်အသွေးမြင့် SiC crystals များထုတ်လုပ်မှုကို သေချာစေသည်။