TaC Coated Wafer Receptor

Semicorex TaC Coated Wafer Susceptor သည် Semiconductor epitaxial (epi) လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဓာတုအငွေ့ထွက်ခြင်း (MOCVD) မီးဖိုများတွင် အသုံးပြုသည့် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအထူးပြု အဝိုင်းခံစုပ်ကိရိယာကို အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းဖြင့် ဖန်တီးထားပြီး ထူးခြားသော Tantalum Carbide (TaC) အပေါ်ယံပိုင်းပါရှိပါသည်။

TaC အပေါ်ယံပိုင်း၏ အဓိကရည်ရွယ်ချက်မှာ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ လိုအပ်ချက်အခြေအနေများအတွင်း TaC Coated Wafer Susceptor ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကြာရှည်ခံမှုကို မြှင့်တင်ရန်ဖြစ်သည်။ Tantalum Carbide သည် ၎င်း၏ထူးခြားသော မာကျောမှု၊ အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားမှု၊ ဝတ်ဆင်မှုနှင့် သံချေးတက်ခြင်းတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် လူသိများသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများသည် TaC Coated Wafer Susceptor သည် MOCVD မီးဖိုအတွင်း ဖြစ်ပေါ်သည့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဖိစီးမှုများမှ အရင်းခံ ဂရပ်ဖိုက်ခံစုပ်သူကို ကာကွယ်ရန်အတွက် အကောင်းဆုံးရွေးချယ်မှုတစ်ခု ဖြစ်စေသည်။

TaC Coated Wafer Susceptor သည် wafers များပေါ်တွင် ပါးလွှာသော ရုပ်ရှင်များ အပ်နှံခြင်းကို လွယ်ကူချောမွေ့စေခြင်းဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုတွင် အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် ပြင်းထန်သော ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုသည် တိကျပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာ ထုတ်လုပ်မှုကို ရရှိရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

TaC Coated Wafer Susceptor သည် ၎င်း၏ဂရပ်ဖိုက်အူတိုင်နှင့် Tantalum Carbide အပေါ်ယံပိုင်းဖြင့် MOCVD လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း စိုက်ပျိုးထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအလွှာများ၏ အရည်အသွေးနှင့် တစ်သမတ်တည်း တူညီသောအပူဖြန့်ဖြူးမှုကို သေချာစေပါသည်။ ဤအဆင့်မြင့်ပစ္စည်းပေါင်းစပ်မှုသည် ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်း၏ တင်းကြပ်သောလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး တာရှည်ခံသည့်ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုဖြစ်စေသည်။