တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လက်ခံသူ

အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖိုက်ဖြင့် ဖန်တီးထားသည့် Susceptor Semiconductor သည် သင်၏ wafer epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် တည်ငြိမ်ပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော ပတ်ဝန်းကျင်ကို ပေးဆောင်ကာ အကောင်းဆုံးသော အပူစီးကူးမှုကို သေချာစေသည်။

susceptor semiconductor သည် Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC) coating ဖြင့် ခိုင်ခံ့ပြီး ပြင်းထန်သော အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပြင်းထန်သော အပူချိန်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဤအဆင့်မြင့်အလွှာသည် အလိုအပ်ဆုံး မီးဖိုပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပင် တသမတ်တည်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို အာမခံပါသည်။

ဂရပ်ဖိုက်နှင့် CVD SiC ပေါင်းစပ်မှုက wafer မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် အပူချိန်ကွဲပြားမှုများကို လျှော့ချပေးကာ ထိရောက်သော အပူဖြန့်ဖြူးမှုကို သေချာစေသည်။ ၎င်းသည် တူညီသော epitaxial ကြီးထွားမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး နောက်ဆုံးတွင် သင်၏တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အရည်အသွေးနှင့် အထွက်နှုန်းကို တိုးတက်စေသည်။

Susceptor Semiconductor သည် မတူညီသော ထုတ်လုပ်မှုပုံစံများအတွက် ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်ပြီး လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပံ့ပိုးပေးသည့် အမျိုးမျိုးသော မီးဖိုစနစ်များတွင် ချောမွေ့စွာ ပေါင်းစပ်နိုင်ရန် တီထွင်ထားပါသည်။ ၎င်း၏ ဒီဇိုင်းသည် ကွဲပြားခြားနားသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်သည့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် တပ်ဆင်ရလွယ်ကူပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော လည်ပတ်မှုကို ရရှိစေပါသည်။

wafer epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး၊ ဤ susceptor semiconductor သည် မီးဖိုတွင်းရှိ wafer များကို ဘေးကင်းစွာ သယ်ဆောင်ရာတွင် ထူးချွန်ပါသည်။ ၎င်း၏ခိုင်ခံ့သောတည်ဆောက်မှုသည် epitaxial ကြီးထွားမှုအဆင့်အတွင်းပျက်စီးမှုအန္တရာယ်ကိုအနည်းဆုံးဖြစ်အောင် wafer နေရာချထားမှုကိုသေချာစေသည်။

SiC coating နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော တာရှည်ခံ ဂရပ်ဖိုက် core သည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးရုံသာမက susceptor semiconductor ၏ သက်တမ်းကိုလည်း တိုးစေသည်။ ဤသက်တမ်းကြာရှည်မှုသည် အချိန်ကြာလာသည်နှင့်အမျှ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစေခြင်းအဖြစ် ဘာသာပြန်ကာ Susceptor Semiconductor သည် သင်၏တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သည့်စက်ရုံအတွက် စမတ်ကျသောရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုတစ်ခုဖြစ်စေသည်။