SiC MOCVD အဖုံးအပိုင်း

Semicorex SiC MOCVD Cover Segment သည် အလွန်အမင်း အပူချိန်အောက်တွင် ၎င်းတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ရွေးချယ်ထားသော ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများနှင့် လွန်ကဲစွာ ဓာတ်ပြုနိုင်သော ရှေ့ပြေးနိမိတ်များ ရှိနေခြင်းဖြစ်သည်။ အပိုင်းတစ်ခုစီ၏ အူတိုင်ကို တည်ဆောက်ထားသည်။သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော Isostatic Graphite5 ppm အောက် ပြာပါဝင်မှု ကြွားဝါခြင်း။ ဤထူးခြားသော သန့်ရှင်းမှုသည် SiC epilayers ကြီးထွားလာမှု၏ ခိုင်မာမှုကို သေချာစေသည်။ အဲဒါကလွဲရင် အတိအကျ အသုံးချတယ်။Chemical Vapor Deposition (CVD) SiC Coatingဂရပ်ဖိုက်အလွှာအပေါ်တွင် အကာအရံအတားအဆီးတစ်ခုဖွဲ့စည်းသည်။ ဤသန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသောအလွှာ (≥ 6N) အလွှာသည် SiC epitaxy တွင်အသုံးပြုလေ့ရှိသော ပြင်းထန်သောရှေ့ပြေးနမိတ်များကို ထူးထူးခြားခြားခုခံပြသထားသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ-

ဤပစ္စည်းဝိသေသလက္ခဏာများသည် SiC MOCVD ၏တောင်းဆိုနေသောပတ်ဝန်းကျင်အတွင်း မြင်သာထင်သာရှိသောအကျိုးကျေးဇူးများအဖြစ် ဘာသာပြန်သည်-

မယိမ်းယိုင်သော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်- SiC MOCVD အဖုံးအပိုင်း၏ ပေါင်းစပ်အင်အားသည် တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ခိုင်မာမှုကို သေချာစေပြီး SiC epitaxy အတွက် လိုအပ်သော ပြင်းထန်သောအပူချိန် (မကြာခဏ 1500°C ထက်များသောအပူချိန်တွင်ပင် ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပုံပျက်ခြင်းများကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။

Chemical Attack Resistance- CVD SiC အလွှာသည် silane နှင့် trimethylaluminum ကဲ့သို့ သာမာန် SiC epitaxy ရှေ့ပြေးပရိုဆက်ဆာများ ၏ အဆိပ်သင့်သော သဘာဝကို ဆန့်ကျင်သည့် ခိုင်မာသော အကာတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်သည်။ ဤအကာအကွယ်သည် တိုးချဲ့အသုံးပြုမှုအပေါ် SiC MOCVD Cover Segment ၏ ခိုင်မာမှုကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး အမှုန်အမွှားထုတ်လုပ်ခြင်းကို လျှော့ချပေးပြီး ပိုမိုသန့်ရှင်းသော လုပ်ငန်းစဉ်ပတ်ဝန်းကျင်ကို အာမခံပါသည်။

Wafer တူညီမှုကို မြှင့်တင်ခြင်း- SiC MOCVD Cover Segment ၏ မွေးရာပါ အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် တူညီမှုသည် epitaxy ကာလအတွင်း wafer တစ်လျှောက် ပိုမိုအညီအမျှ ဖြန့်ဝေထားသော အပူချိန်ပရိုဖိုင်ကို အထောက်အကူဖြစ်စေသည်။ ၎င်းသည် စုဆောင်းထားသော SiC epilayers များ၏ တစ်သားတည်းကျသော ကြီးထွားမှုနှင့် သာလွန်တူညီမှုကို ဖြစ်စေသည်။

Aixtron G5 Receiver Kit Semicorex ပစ္စည်းများ

လုပ်ငန်းဆောင်ရွက်မှု အကျိုးကျေးဇူးများ-

လုပ်ငန်းစဉ်တိုးတက်မှုများအပြင်၊ Semicorex SiC MOCVD Cover Segment သည် သိသာထင်ရှားသော လုပ်ငန်းဆောင်ရွက်မှုဆိုင်ရာ အားသာချက်များကို ပေးဆောင်သည်-

တာရှည်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်း- ခိုင်ခံ့သောပစ္စည်းရွေးချယ်မှုနှင့် ဆောက်လုပ်ရေးသည် ကာဗာအပိုင်းများအတွက် သက်တမ်းတိုးခြင်းကို ဘာသာပြန်ပေးကာ မကြာခဏ အစားထိုးမှုလိုအပ်မှုကို လျှော့ချပေးသည်။ ၎င်းသည် လုပ်ငန်းစဉ်ရပ်နားချိန်ကို လျော့နည်းစေပြီး အလုံးစုံလည်ပတ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။

High-Quality Epitaxy Enabled- နောက်ဆုံးတွင်၊ အဆင့်မြင့် SiC MOCVD Cover Segment သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော SiC epilayers များထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် တိုက်ရိုက်ပံ့ပိုးပေးကာ ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ RF နည်းပညာနှင့် အခြားလိုအပ်သော အပလီကေးရှင်းများတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် SiC စက်ပစ္စည်းများအတွက် လမ်းခင်းပေးပါသည်။