SiC Epitaxy

Semicorex သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် အလွှာများပေါ်တွင် စိတ်ကြိုက်ပါးလွှာသော ဖလင် (ဆီလီကွန်ကာဗိုက်) SiC epitaxy ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

SiC epitaxy ကို dopants ပေါင်းစည်းခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲပြားခြားနားသော crystal orientations များကြီးထွားလာခြင်းဖြင့် သီးခြားစက်ပစ္စည်းလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီစေရန် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သည်။ နိုက်ထရိုဂျင် သို့မဟုတ် အလူမီနီယံကဲ့သို့ အညစ်အကြေးများဖြစ်သော epitaxial အလွှာကို သုတ်လိမ်းခြင်းဖြင့် သယ်ဆောင်သူ၏အာရုံစူးစိုက်မှုကို ထိန်းချုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် p-n လမ်းဆုံများဖန်တီးခြင်းကဲ့သို့သော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို ပြုပြင်မွမ်းမံနိုင်စေပါသည်။

SiC epitaxial အလွှာ၏အရည်အသွေးကို X-ray diffraction၊ scanning electron microscopy၊ atomic force microscopy နှင့် လျှပ်စစ်တိုင်းတာခြင်းအပါအဝင် အမျိုးမျိုးသော characterization နည်းပညာများဖြင့် အကဲဖြတ်ပါသည်။ ဤနည်းပညာများသည် ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ၊ မျက်နှာပြင်ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် epitaxial အလွှာ၏ လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုကို အကဲဖြတ်ရာတွင် ကူညီပေးပါသည်။

Semicorex သည် ကမ်းလှမ်းနိုင်သည်- SiC epitaxial wafer၊ GaN epitaxial wafer၊ Si Epitaxy၊ SiC wafer စသည်ဖြင့်။