Si Epitaxy

Si epitaxy သည် အထူ၊ doping အာရုံစူးစိုက်မှုနှင့် ဖွဲ့စည်းမှုကဲ့သို့သော သီးခြားအလွှာဂုဏ်သတ္တိများကို အင်ဂျင်နီယာပညာကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ ထိန်းချုပ်ထားသော အညစ်အကြေးပမာဏများကို epitaxial အလွှာထဲသို့ သွင်းခြင်းဖြင့်၊ ရရှိလာသော စက်များ၏ လျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများကို တိကျစွာ အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သည်။ ၎င်းသည် ရှုပ်ထွေးသော အီလက်ထရွန်နစ်ဆားကစ်များ ပေါင်းစည်းမှုကို ခွင့်ပြုပေးသည့် ကွဲပြားသောလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းအမျိုးအစားများ (n-type သို့မဟုတ် p-type) နှင့် အလိုရှိသော carrier ပြင်းအားများဖြင့် မတူညီသောဒေသများကို ဖန်တီးနိုင်စေပါသည်။

Si epitaxy သည် မိုက်ခရိုပရိုဆက်ဆာများ၊ မန်မိုရီချစ်ပ်များ၊ ရုပ်ပုံအာရုံခံကိရိယာများနှင့် ဆိုလာဆဲလ်များအပါအဝင် အဆင့်မြင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို တီထွင်ရာတွင် အခြေခံလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် စက်ပစ္စည်း၏စွမ်းဆောင်ရည်၊ အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို မြှင့်တင်ရာတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများအပေါ် တိကျသောထိန်းချုပ်မှုဖြင့် အရည်အသွေးမြင့် epitaxial အလွှာများကို အပ်နှံနိုင်မှုသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဆက်လက်တိုးတက်မှုနှင့် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေသည်။