SiC Epitaxy Receptor

SiC Epitaxy Susceptor သည် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာများကို ပံ့ပိုးပေးပြီး အပူပေးရန်အတွက် MOCVD စက်များတွင် အသုံးပြုသော အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည် ကန့်သတ်ချက်များဖြစ်သည့် အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် အပူပိုင်းတူညီမှုတို့သည် epitaxial material ကြီးထွားမှုအရည်အသွေးအတွက် အဆုံးအဖြတ်ပေးသည့်အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်နေပြီး ပါးလွှာသောဖလင်ပစ္စည်းများတွင် တူညီမှုနှင့် သန့်စင်မှုအဆင့်မြင့်မားမှုကို သေချာစေသည်။

SiC Epitaxy Susceptor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော သိပ်သည်းဆကို ပိုင်ဆိုင်ထားပြီး မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် အဆိပ်သင့်သော လုပ်ငန်းခွင်များတွင် ထိရောက်သော ကာကွယ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။ ထို့အပြင် ၎င်း၏ မြင့်မားသော မျက်နှာပြင် ညီညာမှု အဆင့်သည် အလွှာမျက်နှာပြင်ရှိ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှုအတွက် လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

SiC Epitaxy Susceptor ရှိ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှု ခြားနားချက်၏ အနည်းအကျဉ်းသည် epitaxial substrate နှင့် coating material အကြား ဆက်စပ်မှုကို သိသိသာသာ အားကောင်းစေပြီး အပူချိန်မြင့်သော အပူစက်ဘီးစီးခြင်းကို တွေ့ကြုံပြီးနောက် ကွဲအက်နိုင်ခြေကို လျှော့ချပေးသည်။

တစ်ပြိုင်နက်တည်း၊ ၎င်းသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုကို ပြသပြီး chip ကြီးထွားမှုအတွက် လျင်မြန်ပြီး တစ်ပြေးညီ အပူဖြန့်ဖြူးမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။ ထို့အပြင် ၎င်း၏ မြင့်မားသော အရည်ပျော်မှတ်၊ အပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုနှင့် ချေးခံနိုင်ရည်တို့သည် အပူချိန်မြင့်မားပြီး အဆိပ်သင့်သော လုပ်ငန်းခွင်များတွင် တည်ငြိမ်စွာ လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။

MOCVD ပစ္စည်းများ၏ တုံ့ပြန်မှုခန်းအတွင်း အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့် SiC Epitaxy Susceptor သည် မြင့်မားသောအပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန်၊ တူညီသောအပူစီးကူးမှု၊ ကောင်းမွန်သောဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုနှင့် အပူဒဏ်ကို ပြင်းထန်စွာခံနိုင်ရည်ရှိရမည်ဖြစ်ပါသည်။ Semicorex SiC Epitaxy Susceptor သည် ဤလိုအပ်ချက်များအားလုံးနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။