ပြားချပ်ချပ်အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုစီ

Semicorex Sic Netting Plat Part သည်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်သော SIC-COCTATE COCTESTION အစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်မှာယူနီဖောင်း 0 န်ဆောင်မှုပေးခြင်းတွင် 0 တ်ပါသောလေစီးဆင်းမှုကိုလွယ်ကူချောမွေ့စေရန်နှင့် epitaxial တိုးတက်မှုနှုန်းတွင်ဓာတ်ငွေ့ဖြန့်ဖြူးမှုကိုလွယ်ကူစေရန်ဖြစ်သည်။ Sememorex ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည် Semiconductor Industry သို့အလိုက်သာလွန်ကောင်းမွန်သောအရည်အသွေးနှင့်တိကျသောအင်ဂျင်နီယာဖြေရှင်းနည်းများကိုအာမခံသည်။

Sic Coating သည်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်, ဓာတုဓာတ်အားပေးစက်မှုနှင့်အပူဓာတ်များကို 0 င်ရောက်ခြင်းအတွက်ကြာရှည်ခံသောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေရန်အထူးသဖြင့်ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ အဆိုပါဖိုက်အခြေစိုက်စခန်းအစိတ်အပိုင်း၏ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံသမာဓိကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီးယူနီဖောင်းလုပ်ခြင်းသည်အထိခိုက်မခံသော epitagaxy ဖြစ်စဉ်များအတွက်သန့်ရှင်းစင်ကြယ်သောမျက်နှာပြင်ကိုသေချာစေသည်။ ဤပေါင်းစပ်မှုပေါင်းစပ်မှုသည်ယူနီဖောင်းများ EstagAxial အလွှာများရရှိရန်နှင့်ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်နှင့်ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်ဆိုကယပ်ရေးပြားချပ်ချပ်အပိုင်းကိုယုံကြည်စိတ်ချစွာဖြေရှင်းနိုင်သည်။

ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးခြင်းနှင့်ဖိုက်၏တည်ငြိမ်မှုသည် epitaxial ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအနေဖြင့်သိသာထင်ရှားသည့်အားသာချက်များကိုအားသာချက်များပေးနိုင်သည်။ သို့သော်စင်ကြယ်သောဖိုက်ဒါတစ်ခုတည်းကိုအသုံးပြုခြင်းသည်ကိစ္စများစွာကို ဦး ဆောင်လမ်းပြပေးနိုင်သည်။ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်းတဖြည်းဖြည်းစားသုံးနိုင်သောဓာတ်ငွေ့နှင့်သတ္တုစပ်တပ်ဖွဲ့များသည်ဖိုက်အခြေခံတပ်သံများကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီးယိုယွင်းပျက်စီးစေပြီးယိုယွင်းပျက်စီးစေနိုင်သည်။ ထို့အပြင်ပြိုလဲနေသောမည်သည့်ဖလောင်းပုဒ်မဆို၎င်းသည်အခြေစိုက်စခန်းပြင်ဆင်မှုတွင်ဤပြ problems နာများကိုဖြေရှင်းရန်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။

အပေါ်ယံပိုင်းဆိုင်ရာနည်းပညာသည်ဤပြ issues နာများကိုမျက်နှာပြင်အမှုန့်များကိုပြုပြင်ခြင်း, ဒီနည်းပညာဟာဖိုက်အခြေစိုက်စခန်းရဲ့ကြာရှည်ခံမှုကိုသေချာအောင်လုပ်ဖို့အရေးကြီးတယ်။ လျှောက်လွှာပတ် 0 န်းကျင်နှင့်တိကျသောအသုံးပြုမှုလိုအပ်ချက်များပေါ် မူတည်. မျက်နှာပြင်အနှံ့အပြားတွင်အောက်ပါလက္ခဏာများကိုပိုင်ဆိုင်သင့်သည်။

1 ။ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆနှင့်အပြည့်အဝလွှမ်းခြုံမှု - ဂရပ်ခွအေနေအခြေစိုက်စခန်းသည်အပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်, အဆိုပါအပေါ်ယံပိုင်းထိရောက်သောကာကွယ်မှုပေးရန်သိပ်သည်းဖြစ်ရမည်။

2 ။ ကောင်းမွန်သောမျက်နှာပြင်အပြား - တစ်ကိုယ်ရေသောကြည်လင်တိုးတက်မှုအတွက်အသုံးပြုသောဖရစ်စတင်းအခြေစိုက်စခန်းသည်အလွန်မြင့်မားသောမျက်နှာပြင်ပြားများလိုအပ်သည်။ ထို့ကြောင့်အပေါ်ယံပိုင်းတွင်အခြေစိုက်စခန်း၏မူလတိုက်ခန်းကိုထိန်းသိမ်းထားရမည်။

3 ။ ခိုင်မာတဲ့နှောင်ကြိုးအစွမ်းသတ္တိ - ဂလူးအခြေစိုက်စခန်းနှင့်အပေါ်ယံပိုင်းအကြားနှောင်ကြိုးတိုးတက်စေရန်အတွက်အပူတိုးချဲ့ကိန်းဆိုင်ရာခြားနားကိန်းကွာခြားမှုကိုလျှော့ချရန်အလွန်အရေးကြီးသည်။ ဤတိုးမြှင့်မှုသည်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောအပူသံသရာများအနေဖြင့်အပေါ်ယံပိုင်းတွင်အပေါ်ယံပိုင်းတွင်နဂိုအတိုင်းရှိနေဆဲဖြစ်သည်။

4 ။ မြင့်မားသောအပူစီးကူးခြင်း - အကောင်းဆုံးသောချစ်ပ်တိုးတက်မှုနှုန်းအတွက်, အကျိုးဆက်အနေဖြင့်ဖုံးအုပ်ထားသည့်အကြောင်းအရာတွင်မြင့်မားသောအပူစီးကူးခြင်းရှိသင့်သည်။

5 ။ မြင့်မားသောအရည်ပျော်မှတ်နှင့်ဓာတ်ဆီခြင်းနှင့်ချေးခြင်းများကိုခုခံခြင်း

ဤအဓိကဝိသေသလက္ခဏာများကိုအာရုံစိုက်ခြင်းအားဖြင့် Estitaxial ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်ဖိုက်စစ်သောအစိတ်အပိုင်းများတွင်ဘင်္ဂလားဖိုက်ခြင်းနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်သိသိသာသာတိုးတက်လာနိုင်သည်။

အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းစနစ်များဖြင့် Sememorex သည်တိကျသောလုပ်ငန်းစဉ်လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန်စိတ်ကြိုက်ဒီဇိုင်းများကိုပေးသည်။ Sic Covere Plants Plant သည် semiconductor ပစ္စည်းများတွင် SememonceSexs မှထူးချွန်မှုကိုထင်ဟပ်စေသောရှုထောင့်တိကျမှုနှင့်ကြာရှည်ခံမှုကိုတိကျခိုင်မာစွာစစ်ဆေးသည်။ အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုသို့မဟုတ်သုတေသနချိန်ညှိချက်များတွင်အသုံးပြုသည်ဖြစ်စေဤအစိတ်အပိုင်းသည်တိကျစွာထိန်းချုပ်မှုနှင့်အထွက်နှုန်းမြင့်မားခြင်းနှင့်အထွက်နှုန်းမြင့်မားသောအထွက်နှုန်းကိုရရှိစေသည်။