SIC coated trayss

Semicorex Sic COC COCKETESITE trays များသည်အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး Estitaxial တိုးတက်မှုနှုန်း 0 င်ရောက်ရန်အတွက်အထူးအင်ဂျင်နီယာများဖြစ်သည်။ အထူးသဖြင့် Algan-based devices များပြုလုပ်သော UV LED လုပ်ငန်းတွင်အထူးသဖြင့်သတ္တု - အော်ဂဲနစ်ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာအငွေ့အငှား (MOCVD) ဖြစ်စဉ်များတွင်ဤဗန်းမျိုးစိမ်းများတွင်ဤဗန်းမျိုးသည်အဓိကအခန်းကဏ် plays မှပါ 0 င်သည်။

Elgaxial ပစ္စည်းများတိုးတက်မှုသည်မြင့်မားသောအပူချိန်မြင့်မားသောအပူချိန်များ, ရန်လိုသောရှေ့ပြေးများနှင့်အလွန်ကောင်းမွန်သောရုပ်ရှင်အယူအဆများအတွက်လိုအပ်ချက်ကြောင့်ထူးခြားသောစိန်ခေါ်မှုများကိုတင်ပြသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ SIC coable လုပ်ထားသောဖိုဂါးပြားများသည်အလွန်ကောင်းမွန်သောစီးဂဲလ်စီးကူးခြင်း, အဆိုပါ graphite core သည်ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာသမာဓိနှင့်အပူကိုခံနိုင်ရည်ကိုပေးသည်။SIC အဖုံးအမိုးနီးယားနှင့်သတ္တု - အော်ဂဲနစ်ရှေ့ပြေးများကဲ့သို့သောတုံ့ပြန်သောမျိုးစိတ်များကိုကာကွယ်ရန်အတားအဆီးတစ်ခုပေးသည်။

SIC coated cofitite trays များကိုသတ္တုကိုယ်တွင်းအဖွဲ့အစည်းဓာတုပစ္စည်းအငွေ့အငှား (MOCVD) ပစ္စည်းကိရိယာများရှိတစ်ခုတည်းသော Crystal အလွှာများကိုထောက်ပံ့ရန်နှင့်အပူပေးရန်အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ်အသုံးပြုသည်။ အပူတည်ငြိမ်မှု, အပူနှင့်ဆိုင်သောသွင်ပြင်လက္ခဏာများနှင့်အခြားစွမ်းဆောင်ရည်ဆိုင်ရာ parameters များနှင့်အခြားစွမ်းဆောင်ရည်ဆိုင်ရာသတ်မှတ်ချက်များသည် Estitaxial ပစ္စည်းတိုးတက်မှု၏အရည်အသွေးမြင့်မားသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။ ထို့ကြောင့်၎င်းသည် MOCVD ပစ္စည်းကိရိယာများ၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည်။

သတ္တုကိုယ်ထည်ဆိုင်ရာဓာတုဗေဒဓာတုဗေဒအငွေ့ (MOCVD) နည်းပညာသည်လက်ရှိတွင်အပြာရောင်အလင်း LEDs ရှိ Gan ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ၏ epitaxial filming တိုးတက်မှုအတွက်အဓိကနည်းပညာဖြစ်သည်။ ၎င်းတွင်ရိုးရှင်းသောစစ်ဆင်ရေး, ထိန်းချုပ်နိုင်သည့်တိုးတက်မှုနှုန်းနှင့်ကြီးထွားလာသော Gan ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များ၏အားသာချက်များရှိသည်။ SIC coated cofitite trays များသည် Gan ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်ကားများကို MOCVD ပစ္စည်းကိရိယာများတွင်အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ်အသုံးပြုသောအရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ်အသုံးပြုသောအရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ်အသုံးပြုသည်။ အပူချိန်ခုခံခြင်း, ဖိုက်တဲများသည်အထက်ပါအခြေအနေများနှင့်ကိုက်ညီနိုင်သည်။

MOCVD ပစ္စည်းကိရိယာများအတွက်အဓိကအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ်SIC coated ဖိုက်ဗန်းများသည်အလွှာအလွှာ၏လေယာဉ်တင်သင်္ဘောနှင့်အပူပေးသောဒြပ်စင်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၎င်း၏အရည်အသွေးသည် Estitaxial Wafers ၏ပြင်ဆင်မှုကိုတိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်လုပ်ငန်းခွင်အခြေအနေများအသုံးပြုမှုနှင့်အပြောင်းအလဲများတိုးများလာခြင်းနှင့်အတူ 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့်မျက်ရည်ကျရန်အလွန်လွယ်ကူသည်။

ဖိုက်ဖိုက်သည်အလွန်ကောင်းသောအပူရွေ့လျားမှုနှင့်တည်ငြိမ်မှုရှိနေသော်လည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် Graphite အခြေစိုက်စခန်း၏ 0 န်ဆောင်မှုသက်တမ်းကိုအလွန်အမင်းလျှော့ချပေးနိုင်သည့်အနေဖြင့်, တစ်ချိန်တည်းမှာပင်ပြိုလဲသောပုန်းအမှုန့်အမှုန့်များသည်လေထုညစ်ညမ်းမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။

အပေါ်ယံပိုင်းဆိုင်ရာပေါ်ပေါက်လာခြင်းကမျက်နှာပြင်အမှုန့် fixation များကိုပေးနိုင်ရန်, အပူရွေ့လျားမှုကိုမြှင့်တင်ပေးသည်။ Graphite Base ကို MOCVD ပစ္စည်းကိရိယာဝန်းကျင်တွင်အသုံးပြုသည်။

(1) ၎င်းသည်ဖလပ်အခြေစိုက်စခန်းကိုအပြည့်အဝခြုံပြီးသိပ်သည်းဆကောင်းမွန်သောသိပ်သည်းဆရှိသည်။

(2) ၎င်းသည်ဂရပ်အခြေအနေသို့တွင်မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့်အပူချိန်နည်းသောသံသရာများကြုံတွေ့ရပြီးနောက်ပြိုကွဲရန်မလွယ်ကူစေရန်ထိရောက်သောခိုင်ခံ့မြဲမြံသောခွန်အားရှိသည်။

(3) အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့်တဖြည်းဖြည်းစားသုံးမှုမရှိသောဝန်းကျင်တွင်အပေါ်ယံပိုင်းကိုရှောင်ရှားရန်ဓာတုတည်ငြိမ်မှုရှိသည်။

CIC သည်ချေးခြင်းခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း, အပူမြင့်တက်ခြင်း, အပူ 0 င်ရောက်ခြင်း, ထို့အပြင် SIC ၏မြင့်မားသောတိုးချဲ့မှုတိုးပွားမှုသည်ဂရေဟုပ်ခြင်းနှင့်အလွန်နီးစပ်သည်။

လက်ရှိတွင်ဘုံ SIC သည်အဓိကအားဖြင့် 3C, 4H နှင့် 6H အမျိုးအစားများနှင့်ကွဲပြားခြားနားသောကြည်လင်သောပုံစံများကွဲပြားခြားနားသောအသုံးပြုမှုရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့် 4H-SIC သည်မြင့်မားသောစွမ်းအားများကိုထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုနိုင်သည်။ 6h-Sic သည်တည်ငြိမ်ဆုံးဖြစ်ပြီး Optoelectronic ကိရိယာများကိုထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုနိုင်သည်။ 3c-Sic, Gan နှင့်ဆင်တူသောဖွဲ့စည်းပုံကိုပြုလုပ်သောကြောင့် Gan EplitxAxial အလွှာများထုတ်လုပ်ရန်နှင့် Sic-Gan RF ကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုနိုင်သည်။ 3c-Sic ကိုလည်းအများအားဖြင့်β-sic ဟုရည်ညွှန်းသည်။ အရေးကြီးသောβ-SIC ၏အရေးပါသောအသုံးပြုမှုသည်ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်နှင့်ဖုံးအုပ်ထားသောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်β-SIC သည်လက်ရှိအချိန်တွင်အဓိကအကြောင်းအရာဖြစ်သည်။