Epitaxial လက်ခံသူ

Semicorex Epitaxial Susceptor သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း SiC wafers များကို ထောက်ပံ့ပေးရန်နှင့် ထိန်းထားရန် အထူးထုတ်လုပ်ထားသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအဆင့်မြင့် susceptor ကို အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖိုက်အခြေခံဖြင့် တည်ဆောက်ထားပြီး Silicon Carbide (SiC) အလွှာဖြင့် တည်ဆောက်ထားပြီး အပူချိန်မြင့်သော epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ ပြင်းထန်သောအခြေအနေများအောက်တွင် ထူးခြားသောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းသည်။ SiC coating သည် ပစ္စည်း၏အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာကြံ့ခိုင်မှုနှင့် ဓာတုဗေဒခံနိုင်ရည်တို့ကို တိုးမြှင့်ပေးကာ semiconductor wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းဆိုင်ရာအသုံးချပလီကေးရှင်းများတွင် သာလွန်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အာမခံပါသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• မြင့်မားသောအပူဓာတ်SiC-coated ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းသည် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း wafer တစ်လျှောက်တူညီသောအပူချိန်ဖြန့်ဖြူးမှုကိုထိန်းသိမ်းထားရန်အတွက်အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးမှုကိုပေးစွမ်းသည်။ ၎င်းသည် အလွှာပေါ်ရှိ SiC အလွှာများ၏ အကောင်းဆုံးကြီးထွားမှုကို သေချာစေပြီး အပူရှိအရောင်အဆင်းများကို လျှော့ချပေးပြီး လုပ်ငန်းစဉ် ညီညွတ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
• သာလွန်ကြာရှည်ခံမှု-SiC coating သည် အပူရှော့ခ်နှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခံနိုင်ရည်အား သိသိသာသာ တိုးတက်စေပြီး susceptor ၏ သက်တမ်းကို တိုးစေသည်။ အစိတ်အပိုင်းသည် ပျက်စီးခြင်းမရှိဘဲ မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် အနိမ့်ပိုင်းကြားတွင် ဆက်တိုက်စက်ဘီးစီးခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိရမည့် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် အရေးကြီးပါသည်။
• ပိုမိုကောင်းမွန်သော ဓာတုခုခံမှု-SiC coating သည် အထူးသဖြင့် epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အဖြစ်များသော ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်များရှိနေချိန်တွင် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာချေးမှုကို ထူးထူးခြားခြား ခံနိုင်ရည်ရှိစေသည်။ ၎င်းသည် susceptor ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးမြင့်စေပြီး အလိုအပ်ဆုံး semiconductor ထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုနိုင်ကြောင်း သေချာစေပါသည်။
• အတိုင်းအတာ တည်ငြိမ်မှု-SiC coating သည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပင် ကောင်းမွန်သော အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးကာ ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပုံပျက်ခြင်းအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် ဆက်ခံကိရိယာသည် သက်တမ်းရှည်အသုံးပြုခြင်းထက် ၎င်း၏ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး တသမတ်တည်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော wafer ကိုင်တွယ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
• တိကျမှုနှင့် တူညီမှု-Epitaxial Susceptor သည် တိကျသော wafer နေရာချထားမှုနှင့် ချိန်ညှိမှုကို ထိန်းသိမ်းရန်၊ epitaxial လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း မှားယွင်းနေခြင်းကို ကာကွယ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ဤတိကျမှုသည် နောက်ဆုံးတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာ၏စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော SiC အလွှာများကြီးထွားမှုတွင် တူညီမှုကိုသေချာစေသည်။
• စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်မှု-Epitaxial Susceptor သည် အရွယ်အစား၊ ပုံသဏ္ဍာန်နှင့် ကိုင်ဆောင်ရမည့် wafer အရေအတွက်ကဲ့သို့သော ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် epitaxial ဓာတ်ပေါင်းဖိုများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များစွာအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်းတွင်အသုံးချမှုများ

SiC coating ပါသော Epitaxial Susceptor သည် ပါဝါမြင့်သော၊ အပူချိန်နှင့် ဗို့အားမြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများတွင် အသုံးပြုသော SiC wafers များအတွက် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ epitaxial ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင် မကြာခဏဆိုသလို SiC သည် ထိန်းချုပ်ထားသော အခြေအနေများအောက်တွင် ဆပ်ပြာအလွှာတစ်ခုပေါ်သို့ ပစ္စည်းပါးလွှာသော အလွှာတစ်ခုသို့ အပ်နှံခြင်းပါဝင်သည်။ susceptor ၏ အခန်းကဏ္ဍမှာ ဤလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း wafer ကို ထောက်ထားပြီး ထိန်းထားရန်ဖြစ်ပြီး ကြီးထွားမှုအတွက် အသုံးပြုသည့် ဓာတုအခိုးအငွေ့ (CVD) ဓာတ်ငွေ့များ သို့မဟုတ် ကြီးထွားမှုအတွက် အသုံးပြုသည့် အခြားရှေ့ပြေးပစ္စည်းများကိုပင် ထိတွေ့မှုရှိစေရန်ဖြစ်သည်။

စွမ်းဆောင်ရည် မထိခိုက်စေဘဲ မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် အပူချိန်ကဲ့သို့ လွန်ကဲသောအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် SiC အလွှာများကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် ပိုမိုအသုံးပြုလာကြသည်။ Epitaxial Susceptor သည် ပုံမှန်အားဖြင့် 1,500°C ထက်ကျော်လွန်သော အပူချိန်တွင် ပြုလုပ်သည့် epitaxy လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း SiC wafers များကို ပံ့ပိုးရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ Susceptor ပေါ်ရှိ SiC coating သည် သမားရိုးကျ ပစ္စည်းများ လျင်မြန်စွာ ပျက်စီးသွားနိုင်သည့် အပူချိန်မြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ခိုင်မာပြီး ထိရောက်မှုရှိကြောင်း သေချာစေသည်။

Epitaxial Susceptor သည် လျှပ်စစ်ကားများ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ဒိုင်အိုဒိုက်များ၊ ထရန်စစ္စတာများနှင့် အခြားပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများကဲ့သို့သော SiC ပါဝါစက်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးပါသောအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများသည် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အရည်အသွေးမြင့်၊ အပြစ်အနာအဆာကင်းသော epitaxial အလွှာများ လိုအပ်ပြီး Epitaxial Susceptor သည် တည်ငြိမ်သောအပူချိန်ပရိုဖိုင်းများကို ထိန်းသိမ်းကာ ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ညစ်ညမ်းမှုကိုကာကွယ်ပေးခြင်းဖြင့် ၎င်းကိုရရှိစေရန်ကူညီပေးသည်။

အခြားပစ္စည်းများထက် အားသာချက်များ

ဂရပ်ဖိုက် (သို့) ဆီလီကွန်အခြေခံ စုပ်ခွက်များ ကဲ့သို့သော အခြားပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC coating ပါသော Epitaxial Susceptor သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှုကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ဂရပ်ဖိုက်သည် ကောင်းသောအပူစီးကူးမှုကို ပံ့ပိုးပေးသော်လည်း မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ဓာတ်တိုးမှုနှင့် ခံနိုင်ရည်ရှိမှုတို့သည် လိုအပ်ချက်များအတွက် အသုံးချမှုတွင် ၎င်း၏ထိရောက်မှုကို ကန့်သတ်နိုင်သည်။ သို့သော် SiC coating သည် ပစ္စည်း၏အပူစီးကူးမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေရုံသာမက အပူချိန်မြင့်မားမှုနှင့် ဓာတ်ပြုဓာတ်ငွေ့များကို ကြာရှည်ထိတွေ့လေ့ရှိသည့် epitaxial ကြီးထွားမှုပတ်ဝန်းကျင်၏ ပြင်းထန်သောအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေကြောင်းလည်း သေချာစေသည်။

ထို့အပြင်၊ SiC-coated susceptor သည် ကိုင်တွယ်စဉ်အတွင်း wafer ၏မျက်နှာပြင်ကို အနှောက်အယှက်မဖြစ်စေရန် သေချာစေသည်။ မျက်နှာပြင်ညစ်ညမ်းမှုကို မကြာခဏ အလွန်အမင်း ထိလွယ်ရှလွယ်ဖြစ်သော SiC wafers များနှင့် လုပ်ဆောင်သည့်အခါ ၎င်းသည် အထူးအရေးကြီးပါသည်။ SiC coating ၏ မြင့်မားသော သန့်စင်မှုနှင့် ဓာတုခံနိုင်ရည်ရှိမှုသည် ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တစ်လျှောက်လုံး wafer ၏ခိုင်မာမှုကိုသေချာစေကာ ညစ်ညမ်းမှုအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးသည်။

SiC coating ပါသော Semicorex Epitaxial Susceptor သည် အထူးသဖြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွင်း SiC wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် semiconductor လုပ်ငန်းအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးနိုင်မှု၊ ကြာရှည်ခံမှု၊ ဓာတုခံနိုင်ရည်နှင့် အတိုင်းအတာတည်ငြိမ်မှုတို့က ၎င်းအား အပူချိန်မြင့်မားသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်မှုပတ်ဝန်းကျင်အတွက် စံပြဖြေရှင်းချက်တစ်ခု ဖြစ်စေသည်။ သတ်မှတ်ထားသောလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီရန် susceptor ကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်မှုနှင့်အတူ၊ ၎င်းသည် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများနှင့် အခြားအဆင့်မြင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းအပလီကေးရှင်းများအတွက် အရည်အသွေးမြင့် SiC အလွှာများ ကြီးထွားမှုတွင် တိကျမှု၊ တူညီမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကို အာမခံပါသည်။