တစ်ခုတည်းသော Crystal SiC Growth Applications အတွက် Porous Graphite ပစ္စည်းများ

ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံမှ Single Crystal SiC Growth Applications အတွက် Porous Graphite Materials များကို သင် စိတ်ချယုံကြည်စွာ ဝယ်ယူနိုင်ပါသည်။ Semicorex Porous Graphite Materials များသည် SiC crystal ကြီးထွားမှုအသုံးချပရိုဂရမ်များ၏ တိကျသောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ တိကျသေချာပြီး စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် တီထွင်ဖန်တီးထားသော ဤပစ္စည်းများသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော SiC crystals များရရှိရန် သင့်အတွက်သော့ချက်ဖြစ်ပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ:

ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ထားသော Porosity- ကျွန်ုပ်တို့၏ Porous Graphite ပစ္စည်းများသည် တစ်ခုတည်းသော crystal SiC ၏ကြီးထွားမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေရန်အတွက် တိကျစွာထိန်းချုပ်ထားသော porosity အဆင့်များကိုကြွားဝါသည်။ ချွေးပေါက်များကို တစ်ပြေးညီ ဖြန့်ကျက်ခြင်းသည် တသမတ်တည်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ရလဒ်များကို ရရှိစေပါသည်။

မြင့်မားသော Thermal Conductivity- SiC ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ထိရောက်သောအပူလွှဲပြောင်းမှုသေချာစေရန်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ပစ္စည်းများကို မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုဖြင့် အင်ဂျင်နီယာချုပ်လုပ်ကာ အပူချိန် gradients များကို လျှော့ချပေးပြီး crystal ချို့ယွင်းချက်များကို လျှော့ချပေးပါသည်။

Chemical Inertness- ပြင်းထန်သော ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်များကို ခုခံနိုင်မှုသည် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာအသုံးချမှုများတွင် အရေးအကြီးဆုံးဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ပစ္စည်းများသည် SiC ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များ၏ အဆိပ်သင့်သောသဘောသဘာဝကြောင့် ၎င်းတို့သည် တည်ငြိမ်ပြီး ထိခိုက်မှုမရှိစေကြောင်း အာမခံပါသည်။

စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု- အသက်ရှည်ရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် ဤပစ္စည်းများသည် ခြွင်းချက်ဖြင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို ပြသပြီး သက်တမ်းကြာမြင့်စွာ အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း ပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပျက်စီးမှုအန္တရာယ်ကို လျော့နည်းစေသည်။

စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်မှု- မတူညီသော crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ထူးခြားသောလိုအပ်ချက်များရှိသည်ကို ကျွန်ုပ်တို့နားလည်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ပစ္စည်းများကို သင့်လိုအပ်ချက်များနှင့် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေရန်အတွက် ကွဲပြားသော porosity အဆင့်၊ အရွယ်အစားနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်များအပါအဝင် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်မှုရွေးချယ်စရာများကို ပေးဆောင်ထားပါသည်။