တစ်ခုတည်းသော Crystal SiC Growth Applications အတွက် Porous Graphite ပစ္စည်းများ

Semicorex Porous Graphite Materials များသည် SiC crystal ကြီးထွားမှုအသုံးချပရိုဂရမ်များ၏ တိကျသောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ တိကျသေချာပြီး စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် တီထွင်ဖန်တီးထားသော ဤပစ္စည်းများသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော SiC ပုံဆောင်ခဲများရရှိရန် သင်၏သော့ချက်ဖြစ်ပါသည်။

အင်္ဂါရပ်များ:

ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ထားသော Porosity- ကျွန်ုပ်တို့၏ Porous Graphite ပစ္စည်းများသည် တစ်ခုတည်းသော crystal SiC ၏ကြီးထွားမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေရန်အတွက် တိကျစွာထိန်းချုပ်ထားသော porosity အဆင့်များကိုကြွားဝါသည်။ ချွေးပေါက်များကို တစ်ပြေးညီ ဖြန့်ကျက်ခြင်းသည် တသမတ်တည်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ရလဒ်များကို ရရှိစေပါသည်။

မြင့်မားသောအပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း- SiC ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း ထိရောက်သောအပူလွှဲပြောင်းမှုသေချာစေရန်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ပစ္စည်းများကို မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ အပူချိန် gradients များကိုလျှော့ချပေးပြီး crystal ချို့ယွင်းချက်များကို လျှော့ချပေးပါသည်။

Chemical Inertness- ပြင်းထန်သော ဓာတုပတ်ဝန်းကျင်များကို ခုခံနိုင်မှုသည် ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုဆိုင်ရာအသုံးချမှုများတွင် အရေးအကြီးဆုံးဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ပစ္စည်းများသည် SiC ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်များ၏ အဆိပ်သင့်သောသဘောသဘာဝကြောင့် ၎င်းတို့သည် တည်ငြိမ်ပြီး ထိခိုက်မှုမရှိစေရန် ဓာတုဗေဒနည်းအရ ထူးထူးခြားခြား အားနည်းနေပါသည်။

စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု- အသက်ရှည်ရန်အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည့် အဆိုပါပစ္စည်းများသည် ခြွင်းချက်ဖြင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကိုပြသပြီး သက်တမ်းကြာမြင့်စွာအသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း ပုံပျက်ခြင်း သို့မဟုတ် ပျက်စီးမှုအန္တရာယ်ကို လျော့နည်းစေသည်။

စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်မှု- မတူညီသော crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ထူးခြားသောလိုအပ်ချက်များရှိသည်ကို ကျွန်ုပ်တို့နားလည်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ပစ္စည်းများကို သင့်လိုအပ်ချက်များနှင့် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေရန်အတွက် ကွဲပြားသော porosity အဆင့်၊ အရွယ်အစားနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်များအပါအဝင် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်မှုရွေးချယ်စရာများကို ပေးဆောင်ထားပါသည်။