မြင့်မားသော Porosity ရှိသော Semicorex Ultra-Thin Graphite ကို semiconductor လုပ်ငန်းတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုထားပြီး အထူးသဖြင့် ကောင်းမွန်သော မျက်နှာပြင်ကို တွယ်ဆက်မှု၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူခံနိုင်ရည်၊ ပြောင်မြောက်သော စက်စွမ်းနိုင်မှုရှိသော တစ်ခုတည်းသော crystal growth process တွင် အဓိက အသုံးပြုပါသည်။ Semicorex တွင် ကျွန်ုပ်တို့သည် အရည်အသွေးမြင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစွာဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော မြင့်မားသော Porosity ဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော Ultra-Thin Graphite ကို ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ထောက်ပံ့ပေးခြင်းအတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။ **
သာလွန်ကောင်းမွန်သော မျက်နှာပြင်အမှုန်အမွှားများ၏ ကပ်ငြိမှုနှင့် အထူးကောင်းမွန်သော ဖုန်မှုန့်ဆန့်ကျင်ရေးလက္ခဏာများ- မြင့်မားသော Porosity ရှိသော Semicorex Ultra-Thin Graphite သည် ထူးခြားသောမျက်နှာပြင်အမှုန်များကို တွယ်တာမှုကိုပြသပြီး ဖုန်မှုန့်အနည်းငယ်မျှသာထွက်ရှိစေရန်နှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော ထိခိုက်လွယ်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် အရေးကြီးသော သန့်ရှင်းသောလုပ်ငန်းခွင်ပတ်ဝန်းကျင်ကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။
High-Temperature Tolerance- မြင့်မားသော Porosity ရှိသော အလွန်ပါးလွှာသော ဂရပ်ဖိုက်သည် ပြင်းထန်သောအပူချိန် 2500°C အထိ ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး သမားရိုးကျပစ္စည်းများ ပျက်ကွက်သည့် အပူချိန်မြင့်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်အတွက် သင့်လျော်စေသည်။
မြင့်မားသော Porosity 65% အထိ- porous graphite ၏မြင့်မားသော porosity သည် ထိရောက်သောဓာတ်ငွေ့နှင့် အရည်စီးဆင်းမှုကိုရရှိစေပြီး အမျိုးမျိုးသောအသုံးအဆောင်များတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သောအစုလိုက်အပြုံလိုက်လွှဲပြောင်းမှုနှင့် အပူများပျံ့နှံ့မှုကိုဖြစ်စေသည်။
အလွန်ပါးလွှာသော Porous Graphite ကို ပြုပြင်နိုင်စွမ်းရှိသော အလွန်ပါးလွှာသော Graphite- မြင့်မားသော Porosity ရှိသော Ultra-Thin Graphite ကို 1.5mm အထိ ပါးလွှာသော အလွှာများအဖြစ် ဖန်တီးနိုင်ပြီး မြင့်မားသော porosity ကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး ဒီဇိုင်းနှင့် အသုံးချမှုတွင် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသည်။
အလွန်ပါးလွှာသော နံရံကပ်ဆလင်ဒါပုံသဏ္ဍာန်များအတွက် ပြုပြင်နိုင်မှု- မြင့်မားသော Porosity ရှိသော အလွန်ပါးလွှာသော ဂရပ်ဖိုက်ကို ≤1mm နံရံအထူရှိသော နံရံအထူများနှင့် အလွန်ပါးလွှာသော ဆလင်ဒါပုံသဏ္ဍာန်များအဖြစ် ပုံဖော်နိုင်ပြီး အစိတ်အပိုင်းဒီဇိုင်းနှင့် လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းများတွင် ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
အထူးကောင်းမွန်သော လျှပ်ကာဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အတွဲလိုက်ညီညွှတ်မှု- မြင့်မားသော Porosity ရှိသော အလွန်ပါးလွှာသော ဂရပ်ဖိုက်သည် ပြောင်မြောက်သော insulating လက္ခဏာများနှင့် တသမတ်တည်းရှိသော batch-to-batch စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသသည်၊၊ အရေးကြီးသောအသုံးအဆောင်များတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး မျိုးပွားနိုင်သောရလဒ်များကို သေချာစေသည်။
အလွန်သန့်စင်သော Porous Graphite ပစ္စည်း- မြင့်မားသော Porosity ပါသော အလွန်ပါးလွှာသော ဂရပ်ဖိုက်ကို အလွန်သန့်စင်သောပုံစံများဖြင့် ရရှိနိုင်ပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော မြင့်မားသောသန့်စင်မှုအဆင့်ကို ရရှိနိုင်သည်။
High Strength- ၎င်း၏ ပါးလွှာသော သဘာဝရှိသော်လည်း၊ မြင့်မားသော Porosity ပါသော Ultra-Thin Graphite သည် အထင်ကြီးလောက်သော ခိုင်ခံ့မှုကို ပြသသည်၊ ၎င်းသည် တည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများနှင့် load-bearing applications များအတွက် သင့်လျော်စေသည်။
Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် အသုံးချမှုများ-
မြင့်မားသော Porosity ပါသော အလွန်ပါးလွှာသော ဂရပ်ဖိုက်ကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်း၊ အထူးသဖြင့် ဝတ္ထုအစုလိုက်အပြုံလိုက်လွှဲပြောင်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် single-pass အစုလိုက်အပြုံလိုက်လွှဲပြောင်းမှုအတွက် အပူစက်ကွင်းအသစ်ကို အသုံးပြုထားပြီး လွှဲပြောင်းမှုထိရောက်မှုနှင့် စဉ်ဆက်မပြတ်နှုန်းကို ထိန်းသိမ်းထားကာ၊ ယင်းကြောင့် ပြန်လည်ပုံသွင်းခြင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုကို လျှော့ချခြင်း ( double-pass အစုလိုက်အပြုံလိုက်လွှဲပြောင်းခြင်းကို ရှောင်ကြဉ်ခြင်း) နှင့် micro-piping သို့မဟုတ် အခြားဆက်စပ်ပုံဆောင်ခဲချို့ယွင်းချက်များကို ထိထိရောက်ရောက်လျှော့ချပေးသည်။ ထို့အပြင်၊ porous graphite သည် ဓာတ်ငွေ့အဆင့် အစိတ်အပိုင်းများကို ဟန်ချက်ညီအောင် ကူညီပေးသည်၊ သဲလွန်စ အညစ်အကြေးများကို ခွဲထုတ်ရန်၊ ဒေသတွင်း အပူချိန်ကို ထိန်းညှိပေးပြီး ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အမှုန်အမွှားများကို လျှော့ချပေးသည်။ သလင်းကျောက်အသုံးပြုရလွယ်ကူမှုအတွက် လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးခြင်းဖြင့် porous graphite သည် crystal အထူကို သိသိသာသာတိုးလာစေပြီး ပိုမိုထူထဲသော crystals များ၏စိန်ခေါ်မှုကိုဖြေရှင်းရန်အတွက် အဓိကနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်လာသည်။