monocrystalline silicon ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်သည် အပူစက်ကွင်းအတွင်းတွင် အများစုဖြစ်ပြီး၊ အပူပတ်ဝန်းကျင်၏ အရည်အသွေးသည် crystal quality နှင့် ကြီးထွားမှုထိရောက်မှုကို သိသိသာသာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။ အပူစက်ကွင်း၏ ဒီဇိုင်းသည် မီးဖိုခန်းအတွင်းရှိ အပူချိန် gradients နှင့် gas flow dynamics များကိုပုံဖော်ရာတွင် အဓ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် စိန်နှင့် ကုဗဘိုရွန်နိုက်ထရိတ်ကဲ့သို့သော အခြားမာကျောသောပစ္စည်းများနှင့် ဆင်တူသော မြင့်မားသောနှောင်ကြိုးစွမ်းအင်ကို ပိုင်ဆိုင်သည့်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ သို့သော်၊ SiC ၏မြင့်မားသောနှောင်ကြိုးစွမ်းအင်သည် ရိုးရာအရည်ပျော်နည်းများမှတစ်ဆင့် သတ္တုတွင်းထဲသို့ တိုက်ရိုက်ပုံဆောင်ခဲပုံဆောင်ရန......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက်လုပ်ငန်းတွင် အလွှာဖန်တီးမှု၊ epitaxial ကြီးထွားမှု၊ စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်း၊ စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှု၊ ထုပ်ပိုးမှုနှင့် စမ်းသပ်မှုတို့ပါ၀င်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်ကွင်းဆက်တစ်ခုပါဝင်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာတစ်ခုထုတ်လုပ်ရန် လှီးဖြတ်ကာ မြေသားနှင့် ပွတ်ပေးသော သတ္တုစပ်မ......
ပိုပြီးဖတ်ပါSemiconductor ပစ္စည်းများကို အချိန်အတိုင်းအတာအရ မျိုးဆက်သုံးဆက်ခွဲနိုင်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြု၍ အဆင်ပြေသော ကူးပြောင်းခြင်းဖြင့် သွင်ပြင်လက္ခဏာရှိသော ဂျာမနီယမ်၊ ဆီလီကွန်နှင့် အခြားဘုံ monomaterials များ၏ ပထမမျိုးဆက်။ ဂယ်လီယမ် အာဆင်းနိုက်၊ အင်ဒီယမ် ဖော့စဖိုက် နှင့် အခြား ဒ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) တွင် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် RF စက်များနှင့် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ရူပဗေဒဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် အပူချိန်မြင့်သောပတ်ဝန်းကျင်အတွက် အာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် အရေးကြီးသောအသုံးချပရိုဂရမ်များရှိသည်။ သို့သော်၊ SiC wafer စီမံဆောင်ရွက်စဉ်အတွင်း လ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ