- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
သတင်း
CVD လုပ်ဆောင်ချက်များတွင် ပလာစမာ လုပ်ငန်းစဉ်များ
Chemical Vapor Deposition (CVD) သည် မတူညီသော တစ်စိတ်တစ်ပိုင်း ဖိအားများတွင် ဓာတ်ငွေ့ အများအပြား ဓာတ်ပြုခြင်း ဆိုင်ရာ သီးခြား အပူချိန် နှင့် ဖိအား အခြေအနေများ အောက်တွင် ဓာတု တုံ့ပြန်မှု ခံယူသည့် လုပ်ငန်းစဉ် နည်းပညာကို ရည်ညွှန်းသည်။ ရရှိလာသော အစိုင်အခဲဒြပ်ပစ္စည်း အနည်အနှစ်များသည် အောက်ခြေပစ္စည်း၏ မျက်......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Silicon Carbide (SiC) Power Device Market ၏ Surge နှင့် Outlook
ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လျှပ်စစ်ကားများ လက်ခံမှု တဖြည်းဖြည်း တိုးလာသည်နှင့်အမျှ Silicon Carbide (SiC) သည် လာမည့်ဆယ်စုနှစ်အတွင်း ဆန်းသစ်သော တိုးတက်မှု အခွင့်အလမ်းများကို ကြုံတွေ့ရလိမ့်မည်။ မော်တော်ယာဥ်လုပ်ငန်းရှိ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်သူများနှင့် အော်ပရေတာများသည် ဤကဏ္ဍ၏တန်ဖိုးကွင်းဆက်တည်ဆောက်မ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် ဆီလီကွန် Epitaxial အလွှာများနှင့် အလွှာများ
ခေတ်မီအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ optoelectronics၊ microelectronics နှင့် သတင်းအချက်အလက်နည်းပညာနယ်ပယ်များတွင်၊ semiconductor substrates နှင့် epitaxial နည်းပညာများသည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ ၎င်းတို့သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်၊ ယုံကြည်စိတ်ချရသော ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ခိုင်မာသော အခြေခံအုတ်မြစ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
EV လုပ်ငန်းတွင် SiC ၏ အားသာချက်များ
wide-bandgap (WBG) semiconductor material အနေဖြင့် SiC ၏ ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းအင်ကွာခြားချက်သည် သမားရိုးကျ Si နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အပူနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ် ဂုဏ်သတ္တိများ ပိုမိုမြင့်မားစေသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်သည် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူချိန်၊ ကြိမ်နှုန်းနှင့် ဗို့အားများ တွင် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို လည်ပတ်နိုင်စေပါ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
Sublimation SiC ကြီးထွားမှုတွင် Doping ထိန်းချုပ်မှု
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်နှင့် အပူဓာတ်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်စက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ SiC crystals များ၏ အရည်အသွေးနှင့် တားမြစ်ဆေးအဆင့်သည် စက်ပစ္စည်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုက်ရိုက်......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
SiC crystal ကြီးထွားမှုအတွက် porous graphite ပစ္စည်းများ၏ အရေးပါမှု
Semicorex ၏ SiC ပုံဆောင်ခဲ ကြီးထွားမှု မီးဖိုအစိတ်အပိုင်းဖြစ်သည့် porous graphite barrel သည် အဓိက အကျိုးကျေးဇူး သုံးခုကို ဆောင်ကြဉ်းပေးမည်ဖြစ်ပြီး ပြည်တွင်း SiC အလွှာများ၏ ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို ထိရောက်စွာ အားကောင်းစေနိုင်သည်-
ပိုပြီးဖတ်ပါ
