- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
စက်မှုသတင်း
GaN Single Crystal
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာသည် ခေတ်မီယဉ်ကျေးမှု၏ ကျောရိုးဖြစ်ပြီး ကျွန်ုပ်တို့နေထိုင်ပုံ၊ အလုပ်နှင့် ကမ္ဘာကြီးနှင့် အပြန်အလှန်ဆက်ဆံပုံတို့ကို အခြေခံကျကျ ပြောင်းလဲပေးပါသည်။ သတင်းအချက်အလက်နည်းပညာ၊ စွမ်းအင်၊ ဆက်သွယ်ရေးနှင့် ကျန်းမာရေးစောင့်ရှောက်မှု အပါအဝင် နယ်ပယ်အသီးသီးတွင် မကြုံစဖူးသော တိုးတက်မှုများကို လု......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
SiC ကြွေထည်များ- Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုတွင် တိကျသေချာသော အစိတ်အပိုင်းများအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ပစ္စည်း
ခေတ်မီနည်းပညာတိုးတက်မှု၏ အုတ်မြစ်ဖြစ်သော Semiconductor ထုတ်လုပ်မှုသည် သေးငယ်သော၊ ပိုမိုမြန်ဆန်ပြီး ပိုမိုထိရောက်သော ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကို အဆက်မပြတ်ရှာဖွေနေပါသည်။ ဤမဆုတ်မနစ်လိုက်စားမှုသည် အဆင့်တစ်ခုစီတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်၊ အရည်အသွေးမြင့်နှင့် တိကျမှုမြင့်မားသော စက်ကိရိယာများပေါ်တွင် များစွာမှီခိုန......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
3C-SiC ၏ Heteroepitaxy- ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ သိသာထင်ရှားသော polytype ဖြစ်သော 3C-SiC သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းသိပ္ပံ၏ စဉ်ဆက်မပြတ်တိုးတက်မှုကို ထင်ဟပ်စေသည်။ 1980 ခုနှစ်များတွင်, Nishino et al. 3C-SiC ပါးလွှာသောဖလင်နည်းပညာအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ချသည့် ဓာတုအငွေ့ပျံခြင်း (CVD)[1] ကို အသုံးပြု၍ ဆီလီကွန်အလွှာပေါ်တွင် 4 µm အထူ 3C-SiC ......
ပိုပြီးဖတ်ပါ
