ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လုပ်ငန်းတွင် အလွှာဖန်တီးမှု၊ epitaxial ကြီးထွားမှု၊ စက်ပစ္စည်းဒီဇိုင်း၊ စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှု၊ ထုပ်ပိုးမှုနှင့် စမ်းသပ်မှုတို့ပါ၀င်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်ကွင်းဆက်တစ်ခုပါဝင်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာတစ်ခုထုတ်လုပ်ရန် လှီးဖြတ်ကာ မြေသားနှင့် ပွတ်ပေးသော သတ္တုစပ်မ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) တွင် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် RF စက်များနှင့် ၎င်း၏အလွန်ကောင်းမွန်သော ရူပဗေဒဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် အပူချိန်မြင့်သောပတ်ဝန်းကျင်အတွက် အာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များတွင် အရေးကြီးသောအသုံးချပရိုဂရမ်များရှိသည်။ သို့သော်၊ SiC wafer စီမံဆောင်ရွက်စဉ်အတွင်း လ......
ပိုပြီးဖတ်ပါလက်ရှိ စုံစမ်းဆဲ ပစ္စည်းများ အများအပြား ရှိပြီး ၎င်းတို့ထဲမှ ဆီလီကွန် ကာဗိုက်သည် အလားအလာ အရှိဆုံး အမျိုးအစား တစ်ခု ဖြစ်သည်။ GaN ကဲ့သို့ပင်၊ ၎င်းသည် ပိုမိုမြင့်မားသော လည်ပတ်မှုဗို့အား၊ ပိုမိုမြင့်မားသော ပြိုကွဲမှုဗို့အားများနှင့် ဆီလီကွန်ထက် သာလွန်သော လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းတို့ ပါဝင်သည်။ ထို့အပြင်၎င်း၏မြ......
ပိုပြီးဖတ်ပါဂရပ်ဖိုက်ပုံသွင်းခြင်းအတွက် အဓိကပုံသွင်းနည်း လေးခုမှာ- ထုထည်ပုံသွင်းခြင်း၊ ပုံသွင်းခြင်း၊ vibratory ပုံသွင်းခြင်းနှင့် isostatic ပုံသွင်းခြင်း တို့ဖြစ်သည်။ စျေးကွက်ရှိ အသုံးများသော ကာဗွန်/ဂရပ်ဖိုက် ပစ္စည်းများ အများစုကို ပူသော ထုတ်ယူခြင်းနှင့် ပုံသွင်းခြင်း (အအေး သို့မဟုတ် ပူခြင်း) ဖြင့် ပုံသွင်းခြင......
ပိုပြီးဖတ်ပါSiC ၏ကိုယ်ပိုင်ဝိသေသလက္ခဏာများ၎င်း၏တစ်ခုတည်းသော crystal တိုးတက်မှုကိုဆုံးဖြတ်ရန်ပိုမိုခက်ခဲသည်။ လေထုဖိအားတွင် Si:C=1:1 အရည်အဆင့်မရှိခြင်းကြောင့်၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်မှုလုပ်ငန်း၏ ပင်မရေစီးကြောင်းမှ လက်ခံကျင့်သုံးသည့် ပိုမိုရင့်ကျက်သောကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို ပိုမိုရင့်ကျက်သောကြီးထွားမှုနည်းလမ်း- ဖြောင......
ပိုပြီးဖတ်ပါ