> သတင်း

သတင်း

Infineon သည် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး ၃၀၀ မီလီမီတာ ပါဝါ GaN Wafer ကို ထုတ်ဖော်ပြသခဲ့သည်။

မကြာသေးမီက၊ Infineon Technologies သည် ကမ္ဘာ့ပထမဆုံး 300mm ပါဝါ Gallium Nitride (GaN) wafer နည်းပညာကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Monocrystalline Silicon ထုတ်လုပ်မှု

monocrystalline silicon ထုတ်လုပ်မှုတွင် အဓိကအသုံးပြုသည့် နည်းလမ်းသုံးမျိုးမှာ Czochralski (CZ) နည်းလမ်း၊ Kyropoulos နည်းလမ်းနှင့် Float Zone (FZ) နည်းလမ်းတို့ဖြစ်သည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Semiconductor Processing တွင် Oxidation

Oxidation လုပ်ငန်းစဉ်များသည် မတူညီသော ဓာတုပစ္စည်းများကြားတွင် အတားအဆီးတစ်ခုအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပေးသည့် wafer ပေါ်တွင် အကာအကွယ်အလွှာတစ်ခု ဖန်တီးခြင်းဖြင့် အဆိုပါပြဿနာများကို ကာကွယ်ရာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Semiconductor နှင့် Photovoltaic ကဏ္ဍများရှိ SiC ကြွေထည်များ၏ အသုံးချမှုနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအလားအလာများကို ပိုင်းခြားစိတ်ဖြာခြင်း

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် အရေးကြီးသော တန်ဖိုးကြီးသော ကြွေထည်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည့် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ ချေးခံနိုင်ရည်၊ ဝတ်ဆင်မှုခံနိုင်ရည်၊ အပူချိန်မြင့်မားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာအား နှင့် ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်မှုစသည့် လွန်ကဲသော ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ၊ နျူကလီးယားစွမ်းအင်၊......

ပိုပြီးဖတ်ပါ

SiC ကြွေထည်ပြင်ဆင်မှုအတွက် Pressureless Sintering ကို အဘယ်ကြောင့်ရွေးချယ်သနည်း။

အလွန်မြင့်မားသောပေါင်းစပ်အပူချိန်နှင့် SiC ကြွေထည်များ ၏သိပ်သည်းစွာ သန့်စင်ခြင်းရရှိရန် ခက်ခဲမှုသည် ၎င်းတို့၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ကန့်သတ်ထားသည်။ sintering လုပ်ငန်းစဉ်သည် SiC ကြွေထည်များအတွက် အရေးကြီးပါသည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

Silicon Nitride ဆိုတာ ဘာလဲ။

ဆီလီကွန်နိုက်ထရိတ် (Si3N4) သည် အဆင့်မြင့် အပူချိန်မြင့် အဆောက်အဦဆိုင်ရာ ကြွေထည်များ တီထွင်ရာတွင် အဓိကသော့ပစ္စည်းဖြစ်သည်။

ပိုပြီးဖတ်ပါ

<...3 4 5 6 7...30 >